Устройство для контроля микросхем

Номер патента: 781539

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Иванов, Первых, Размахнин

МПК: G01B 5/30

Метки: давлением, контакта, металлов, обработке, параметров

...площади контакта.указанная цель достигается тем,что образец из деформированного металла подвергают электролизу в раст-воре солей металлов, стоящих в рядуэлектрохимическихпотенциалов дальшеисследуемого металла, определяют площадь пятен выделившегося из соли металла на исследуемом образце, по которой судят о фактической площади контакта.Сгособ осуществляется следующимобразом.При прокатке стального слитка определяется известными способами исредствами мнкрорельеф поверхности ивеличина шероховатости валка и прокатываемого металла, а также средняяСоСтавитель С. СурковРедактор А. Шандор Техред М.Петко Корректор М. Коста Тираж 801 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 1472791

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Аржаев, Щербинин

МПК: G01M 17/02

Метки: контакта, опорной, параметров, пневматической, поверхностью, шины

...канавкой 10, На раме 1 установлен фиксатор 11.На протекторе пневматической шины 6 установлен в пазу или закреплен, например приклеен снаружи, проводник 12 из экранирующей оплетки с резино" вым шнуром внутри или другой конструкции. В плоскости опорного стола 2 радиально от центра его поворота размещен резистивный элемент 13,Устройство работает следующим образом.Для измерения длины контакта Ь, шины с опорной поверхностью проводник 12 устанавливают на протектор шины вующее ему положение, проводят измерение координат цругих точек контура пятна контакта шины. 3 ил,6 в ее экваториальной плоскости, При этом длина проводника Ь может быть равной длине окружности шины, замеренной по ее экватору, если требуется.провести исследования шины в ее...

Номер патента: 308749

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гинекомоши, Девдариани, Жордани, Лоладзе, Научно, Чачава

МПК: A61B 5/04

Метки: датчик, параметров, плода, электрофизиологических

...помощи проводников 6 и 7, заключенных в эластичный вакуумовод 8, присоединенный через зажимы 9 и 10 ко входу регистрирующего прибора.10 Дополнительный электрод П выполнен в виде металлической чаши, заключенной в общий диэлектрический корпус 1, При помощи проводника 12, заключенного в вакуумовод 8, через зажим 18 электрод П присоединяют к 15 реографу. В боковой стенке чаши имеется отверстие 14 для связи ее полости через полость диэлектрического коргуса с вакуумоводом 8.Датчик электрофизиологических параметров плода для одновременной записи на од ном носителе электроэнцефалограммы, электрокардиограммы и реоэнцефалограммы представляет собой две ветви вакуумоводов 8 с электродами 2, 3 и 11 на одном конце и зажимами 9, 10 и 13 на другом,...

Номер патента: 949540

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Ахманаев, Медведев, Петров, Туркин, Ураевский

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...к внутренней поверхноститорцовой стенки, при этом ось индуктивного штыря 4 смещена относительноцентра отверстия 3.Датчик работает следующим образом.Исследуеьый полупроводник 5 располагается над отверстием 3 и тем самым осуществляется ее включение вкраевое сверхвысокочастотное (СВЧ)электрическое поле резонатора 1.Пространственное разрешение датчикаопределяется геометрическими размерами области локализации СВЧ элекЗаказ 5740/33 Тираж 717 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 ефилиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 трического поля резонатора 1. Смещение центра торца штыря 4 относительно центра отверстия 3 приводит к тому, что СВЧ поле...

Номер патента: 957116

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Дамрин, Жевак, Коловертнов, Кутлуяров, Молчанов, Черный

МПК: G01R 17/02

Метки: глубинных, датчиков, параметров, сопротивления

...двухполярных импульсов тока прямоугольной формы постоянной длительности и различной амплитуды. К выходным зажимам указанного источника тока кроме ка 50 беля подсоединен решающий блок 7,Устройство работает следующим образом.Напряжения стаби.пизации стабилитронов 2 выбираются таким образом, что Ос с О. сОд, Источником 6 тосс- ка вырабатываются двухполярные импуль 6 4сы тока с амплитудами полуволн 3, где- ,амплйтуда тока, при которомвыполняется неравенство1 Р,1 с О с (Р - минимальноесопротивление датчика 1-1);К 11 - амплитуда тока, при котором выполняется неравенство Оь с К 1 Р 1 4 ОС 2,К 1 - амплитуда тока, при которомвыполняется неравенствоОС с К 51 Р с ОС 5 (Рминимальное сопротивлениедатчика 1-2);К 1 - амплитуда тока, при...