332497

332497 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикт. свидетельства че -Зависимо с 13/О Заявлено 04 1.1970 (М 1391724/18-24 1, Кл исоединением заявки М -Приоритет митет ло аелз ткоытий истров изобретении ДК 681.327,6(088.8) ковано 14.11.1972. Бюллетень М 1публикования описания 13,1 Ъ.1972 Опуб оветеССС Дата Авторыизобретения А. А. Васильковский, В. С. Боржим, В. В. Нечи о и В. И. Левчен есский холодильный инстит аявитель Л ЕМЕНТ ИМИЧЕСКИЙ ЗАПОМИН Изобретение относится .к запоминающим устройствам.Известен электрохимический запоминающий элемент, в основу, которого, положены электро- химические процессы осаждения и растворе ния металлов на электродах, погруженных в раствор электролита, при прохождении через последний электрического тока. Такой элемент представляет собой электрохимическую ячейку, состоящую из трех электродов: ципко вого и двух одинаковых рабочего и стандартного, представляющих собой амальгированные ртутью пластинки рафинированной меди. На рабочий электрод при прохождении импульса тока осаждается ци 1 нк, что меняет по тенциал электрода. Стандартный же электрод обладает определенным устойчивым потенциалом. Рабочий и цинковый электроды находятся в одном сосуде, стандартный электрод - в другом, и оба сосуда соединены между собой 20 электрохимическим ключом.Известный запоминающий элемент имеет сравнительно большой объем. Кроме того, наличие двойного сосуда с жидким электролитом усложняет технологию изготовления этих 25 запомин ающих элементов.Для устранения указанных недоста г ков предложен пленочный запоминающий элемент с твердым электролитом размером 0,0008 смз (с учетом толщины диэлектрической подлож- ЗО ки). Таким образом, размеры, предлагаемого запоминающего элемента более, чем на три порядка, меньше прототипа, Кроме того, предлагаемый пленочный запоминающий элемент изготовляется термическим испарением в вакууме составляющих его компонентов, и технология изготовления его намного проще и дешевле.На чертеже изображен предлагаемый запомппающпй элемент. На диэлектрическую подложку 1 последовательно напыляются инертный электрод (Р 1, С и др.) 2, слой 8 твердой ионопроводящей соли (АдСе, РЬС 1) и электрод 4 из металла катиона соли. В такой ячейке в начальном состоянии ,при приложении напряжения меньшего, чем напряжение разлокения ионопроводящей соли, ток не,проходпт в направлении от инертного электрода 2 и электроду 4, Однако если предварительно пропустить некоторое количество электричества в противоположном направлении, то на инертном электроде 2 оседает порция металла электрода 4, после чего ток уже может идти и в направлении от инертного электрода 2 к электроду 4. Таким образом, элемент имеет два устойчивых состояния. В одном состоянии, когда через элемент не,пропускается некоторое количество электричества в направлении от электрода 4 к электроду 2, ток в направлении от электрода 2 к электроду 4 не проходит.332497 Предмет изобретения Составитель А. Соколов едактор В. Фельдман Техред Т. Ускова Корректор Л. ОрловЗаказ 934/4 Изд, Мз 377 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5ипография, пр. Сапунова, 2 В другом состоянии, когда через элемент пропускается некоторое количество электричества в направлении от электрода 4 к электроду 2, происходит запись сигнала, Индикацией наличия записи сигнала является прохождение тока в направлении от электрода 2 и электроду 4. Процесс является полностью обратимым.Слои соли и металлов наносятся на диэлектрическую,подложку методом вакуумного испарения. Толщина слоя соли порядка 1 - 2 мк, слоев металлов 0,1 - 0,2 мк, Малая толщина ячейки позволяет увеличить на порядок быстродействие пленочного запоминающего элемента по сравнению с прототипом. Распо агая на одной подложке пленочные запоминающие элементы в несколько рядов в продольном и поперечном направлениях и в высоту, можно достичь весьма большой емкости записи информации (порядка 1250 элементов в,дз5 Электрохимичеокий запомин ающий элемент 10 для записи информации, отличающийся тем,что, с целью уменьшения объема элемента, он содержит слой твердой ионопроводящей соли,слой инертного проводника и слой металла катиона соли, причем слой твердой ионопрово 15 дящей соли заключен между,слоем инертного проводника и слоем металла катиона соли.