Индукционный насос для жидких металлов

Номер патента: 386352

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01R 33/02, G01R 33/035

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля

...Датчик представляет собой образец, вырезанный из монокристалла бериллия в базисной плоскости и находящийся в ванне из жидкого гелия или водорода. Он помещен в измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле Н так, что его гексагональная ось Се параллельна направлению поля, а измерительный ток У через образец перпендикулярен полю. Напряжение Е, снимаемое с датчика, про порционально его сопротивлению и измеряется обычным потенциометром, например типа Р 308.Магнитное поле при помощи такого датчика измеряют следующим образом. В некото ром, сравнительно небольшом поле Но, осуществляется привязка градуировки, далее прои увеличении магнитного поля измеряется изменение фазы Р осциллирующей части сопротивления. Значение измеряемого магнит ного...

Номер патента: 739442

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Гостищев, Демьянов, Дрозд

МПК: G01R 33/00

Метки: величины, магнитного, неоднородности, поля

...к неоднородности резко возрастает (примерно как тангенс углов,близких к 90 ),Способ реализуется следующим образом. На эталонном образце"йрймйваютпо его ширине несколько пар потенциальных точечных электродов в мщравленииприложенного электрического поля, Нв40фиг, 2 показан эталонный образец в собранном виде. В качестве эталонного образца берут пластину металла высокойчистоты, которую помещают Ь попереч-ное магнитное поле так, чтобы потен 45циальные электроды находились в средней части магнитного поля, При пропускании тока по образцу на контактах 1-10определяется истинный сигнал, вызванный омическим и магнитным сопротивль 50ниями металла, На остальных контактахопределяется сигнал от двух составляющих падения напряжения, вызванного...

Номер патента: 528525

Опубликовано: 15.09.1976

Автор: Францев

МПК: G01R 33/10

Метки: магнитного, поля, стабилизации

...модуляции. Второй входсинхронного детектора 11 соединен с генератором 13 моделирующих колебаний, от которого пита ютс 51 моллиру 1011 пс кат 1 1 пкп 6.Устройство раоотает следующим образом. ;10 Вола, протекая через полярцзующий магнит528525 Ф о 1 з м у л а и 3 о о р с т е 1 и я от б 7 5 Составитель Б, Коншин Редактор Т, Янова Корректор Н. Аук Заказ 2007/б Изд. М 1593 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного ког:итета Совета Министров СССР по дслаги изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раугиская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 1, поляризуется и по трубопроводам 3 последовательно протекает через датчики 9 нутации, расположенные в поле электромагнита 2, и датчики анализатора.При настройке стабилизатора намагниченность...

Номер патента: 688107

Опубликовано: 25.09.1979

Автор: Джузеппе

МПК: A61B 5/00, A61B 5/04

Метки: биологических, магнитных, обнаружения, объектов, полей

...6, выполненные в виде ряда бифилярно намотанных об.моток 7 и 8, закрытых изоляционными трубками 9, Выводы 10 обмоток через отверстия в торцовых частях соединены с контактны3 б 881ми лапками 11 дпя соединения с регисгри.рующим прибором (на чертеже не показан).Катушки б включают в себя внутреннииферромагнитный сердечник 12, Таким образом,каждая трубка 9 имеет по крайней мередве катушки б, каждая из которой, в своюочередь, состоит из двух обмоток,Внутреннее пространство пирамидальногоуголкового отражателя 2 между изоляционными трубками 9 и стенками может быть 1 озаполнено любым йодходящим электроизолирующим материалом. Энергия магнитного поля биологического объекта будет восприниматься пирамидальным уголковым отражателем 2, который работает...

Номер патента: 298905

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ленинградский, Персианова, Рекалова, Шахов

МПК: G01R 33/07

Метки: индукции, магнитного, поля

...введена примесь р-т 1 ипа, т. е, соз дан плоскостной р-гг-переход. Измеряемое магнитное поле направляется параллельно плоскости этого перехода. Выходная цепь содержит источник питания н сопротивление нагрузки.В цепь смещения входят сопротивление смещения и батарея смещения.Устройство работает следующим образом.На р-и-переход кристалла подается отрицательное смещение, Область объемного заряда, обедненная носителями, распространяет ся внутрь гг-области на значительную часть еетолщины, оставляя для прохождения электронон, дрейфующих от истока к стоку, тонкий проводящий канал 4. Его толтцина определяет.ся величиной отрицательного смещения затвора 3 и напряжением выходной цепи и может регулироваться в достаточно широких пределах (от...