Способ обнаружения ангиклинальньх структур

1 ги в зт 7 ОПИСАИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства МЗаявлено 26,111,1970 ( 142006426-25)с присоединением заявки МПриоритетОпубликовано 07.Х.1971. Бюллетень че 3Дата опубликования описания 3.Х 11.19 1 00 1 ПК 6 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРК 550.834(088.8) Авторы зобретени И, Б, Мошинскигеологии и разработки го их ископаемь нст аявитель ОСОБ ОБНАРУЖЕНИЙ АНТИКЛИНАЛЬНЬ 1 Х СТРУК шение эфантиклиихся зна- поверхноИзобретение относится к способам обнаружения антиклипальных структур сейсморазведкой отраженными волнами, особенно структур куполовидной формы с большой кривизной поверхности.Известен способ обнаружения антиклинальных структур обычной поисковой методикой сейсморазведки, основанной на изучении кинематических характеристик сейсмических волн.Однако при сейсмических исследованиях МОВ могут быть пропущены антиклинальные складки, характеризующиеся значительной кривизной геологических границ.Целью изобретения является павыфективности и упрощение поисканальных структур, характеризующчительной кривизной отражающихстей.Поставленная цель достигается тем, что изучают изменение энергетической харакгеристики сейсмических волн вдоль профиля. Наибольший интерес представляют участки профиля, где значительно ослабляются или полностью отсутствуют отражения от прослеживаемых поверхностей. Исчезновение отражений может быть вызвано тем, что криволинейная поверхность сводовой части антиклинальной структуры дополнительно рассеивает Ралновую энергию,2Значигельное ослабление интенсивности отраженных волн или их полное отсутствие является существенным поисковым признаком антиклинальной структуры.Выделенный участок профиля, где отражения от прослеживаемых поверхностей значительно ослаблены или отсутствуют вообще, исследуют при помощи основного контрольного профиля, перпендикулярного к первоначальному и проходящего через середину выделенного участка. Отсутствие отражений на контрольном профиле в области пересечения его с первоначальным профилем позволит наметить ориентировочный контур сводовой части антиклинальной структуры.Преимущество предложенного способа заключается в значительном упрощении поиска и ориентировочного оконтуривания антиклинальных структур, особенно сложнопостроенных, характеризующихся значительной кривизной поверхности. Особенный экономический эффект даст применение предлагаемого способа при вторичном пересмотре ранее полученного фондового сейсмического материала на участках профилей, где отраженные волны значительно ослаблялись или вообще не регистрировались. Таким образом, без дополнительных затрат может быть выявлено большое число антиклинальных структур.На чертеже представлена схема расположеета по дгпш приСССРшская наб 4,15 осква,нпография, пр, Сапунова гшя профилей с указанием характера прослеживания отраженных волн, где 1 - 4 сейсмические профили, 5 - ориентировочный контур сводовой части антиклицальцой структуры.В резульгате изучения энергетической харакгеристики отраженных волн вдоль профиля 1 выделяют участок, ца котором огра)кения значительно ослаблены или цс регистрируются вообще. Затем, в зависимости от формы и расположения предполагаемой ангнклицальной структуры, производят наблюдения цо однОм и;1 и трем конгрольным профилям 2, д, 4. Б случае, если антиклицальная струкгура имеет приблизительно правильную форму, можно ограничиться отработкой одного основного контрольного профиля 2, перпендикулярного к первоначальному профилю 1 и проходящего через середину выделенного участка, так как ца контрольном профиле 2 наметится цохо)кгш участок ослабления или отсутствия отражений, что окажется достаточным для ориентировочного оконтуривания свода струкгуры,Дополнительные (диагональные) контрольные профили 3, 4, также проходящие через середину выделенного участка соответственно под углами 45 и 135 к первоначальному профилю 1, необходимы тогда, когда форма антиклинальной структуры значительно отличается от куполовидной и близка, например, к цилиндрической.В этом случае при условии, что первоначальный профиль 1 сечет цилиндрическую структуру вкрест простирания, по всему основному контрольному профилю 2, расположенному по простиранию структуры, будут регистрироваться отраженные волны. В то же время на дополнительных диагональных контрольных профилях д, 4 появятся участки ослаблеция или исчезновения отра)кеци 11, чго также позволит ориентировочно окоцтури)ь сводовую часть структуры,Следует отметить, что если намеченный орц ецтировочцый контур свода структуры имеетформу эллипса, то действительная форма цодцягця будет также эллиптической, только повернутой отцосигельно построенного эллипса на 90". Эго обьясцяется прямо пропорцнональ цой зависимостью ефуду кривизной поверхности и интенсивностью отраженных волн. Предмет изобретения1. Способ обнаружения ацтиклицальных 15 срук 1 ур се 11 сморазведкой Отраженными волцамц, от,гичагоигигся тем, что с цельго повыгпецця эфс)ективности и упрощения поиска ацгиклицальцых структур, характеризующихсяя значительной кривизной отражающих цо верхцостсй, выявляют изменение эцерге гцческой характеристики отраженных волн вдоль основного сейсмического профиля, выделяют участки резкого ослабления или исчезцогзения отраженных волн, проводят через 25 центр этого участка несколько примерно ра- цоотстоящих друг от друга продольных контрольных профилей, например, под углами 45, 90 и 135 к основному профилю, и получают ориентировочный контур сводовой части ан тиклинальной структуры в виде огибающейзамкнутой кривой, соединяющей концы участков всех профилей, ца которых отраженные волны значительно ослаблены или совсем це регистр ируются.55 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтопротяженность продольных контрольных профилей задают це менее тройной длины участка основного профиля, на котором отраженгые волны резко ослаблены или вообще це 40 регистриру 1 отся.