Переключатель на транзисторе

ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСИОМУ СЕИДЕТРЯЬС 3 ВУ ЗИ 394 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства Мв -Заявлено ОЗ.Ч 1.1968 ( 1252761/26-9)с присоединением заявки УевПриоритет -Опубликовано 09.Ч 111.1971, Бюллетень Лв 24Дата опубликования описания 04.1.1972.1 ПК Н 03 с 4 82 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 621.374.3(088.8) Ю1 Авторизобретения М. Б. Позин Заявитель ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРЕ Изобретение относится к импульсой технике и может быть использовано в рад:отехнических и электронных устройствах.Известны аналогичные устройства, работающие в ключевом режиме, в которых запирающее напряжение подают на участок база-эмиттер транзистора через сопротивление, вклоченцое последовательно с участком база-эх,стер транзистора и источником запирающего напряжения. При этом как в течение времени нахождения транзистора в открытом состоя - ции, так и в течении времени цяхождсцця его в закрытом состоянии, величину этого сопротивления не меняют,Однако в таких устройствах прц работе транзистора в широком диапазоне переключаемых токов увеличивается потребление мощности от источника входного сигнала и снижается коэффициент передачи по мощност:. Это объясняется тем, что сопротивление, через которое подается запирающее напряжение, подключено параллельно источнику входного сигнала, Оно имеет относительно малую величину, чтобы падение напряжения на нем зя счет обратных токов коллекторного и эмиттсрного переходов при нахождении пранзистора в за,крытом состоянии не превышало бы запцзяющего напряжения. Эта достаточно малая величина сопротивления вызывает существенные потер; на нем. В устройствах с обратной связью, где мощ:ость входного сигнала берется из коллекторо цеп, сжене коэфф- циента передячц транзистора по мощности и 5 ряде случаев вообще делает работу устройства невозможцои.Целью изобретения является увеличениекоэффициента передачи по мощности, Достцгается это тем, что источник запирающего на- О пряжечия подключен к участку .база-эмиттертря:зстора через в:помогательный т 1 анз- стор, база которого подключена к коллектору основного транзистора через сопротивление и нелинейный элемент, няприхер стаб:литрон, б На фиг. 1 приведен графк, оясняоцийработу предлагаетого устройстза; на фиг. 2 - его принципиальная схема; на фиг. 3 - схема аналогичного устройства, в котором источник запирающего напряжения вклоче це в базовую цепь, а в эм.ттерцую.Устройство раоотает следующим образом.В течение времени нахождения транзистора в открытом состоянии (время т), величину сопротизления г элемента, через который по дают запирающее напряжение на базу транзистора, увеличивают (участок кривой 1) до такой величины, чтооы потери мощности на этом элементе от источника входного сигнала были незначительными. В течение, времени нахождения трацз:стора в закрытом состоянии. ЛЪ 1095писное по делал ете Мини аушская Заказ 388/1368 И ираж 47 По ЦИИИПИ Комитет и открытий при С Москва, Ж, изобретенистров СССР наб., 4/5 фив(время т 2) величину сопротивления г этого элемента уменьшают (участок кривой 2) до такой величины, чтооы падение напряхкения на нем за счет обратных токов коллекторного и эмиттерного переходов не превышало по величине запи 1 рающее напряжение, Для этого на базу транзистора 3 напряжение от источника запирающего напряжения 4 подаот через вспомогательный трианзистор 5, сопротивление участка коллектор-эмиттер которого изменяот тем, что на его базу подают напряжение с коллектора транзисто 1 ра 3 через стабилитрон б и сопротивление 7. В течение 11 рсмени нахождения транзистора 3 в открытом состоянии вспомогательный транзистор 5 закрыт и его сопротивление Велико. Так как на кОллектОре открытого транзистора 3 имеется остаточное напряжение, то для надежного запирания вспомогательного транзистора 5 целесообразно включение стабилитрона 6, прекраща 1 ощего базовый ток гцри напряжениях на нем, существенно меньших опорного. При малых остаточных напряжениях транзистора 3 стабилитрон можно не включать, а подавать напряжение с коллектора транзистора 3 на базу вспомогательного транзистора 5 через сопротивление, Вместо стабилитрона 6 могут быть использованы также один или несколько последовательно соединенных полупроводниковых диодов, включенных в прямом направлении, так как вольтам 1 перная характеристика диода в прямом направлении подобна характеристике стабилитрона с Опорным напряжением порядка нескольких десятых долей вольта.В течение времени нахождения транзистора 3 в закрытом состоянии вспомогательный транзистор 5 открыт и его сопротивление мало. Напряжение стабилизации стабилитрона б выбн 1 рается меньше минимального коллекторного напряжения закрытого транзистора 3.Мощность, на которую выбирается вспомогательный транзистор 5, ничтожна по сравне нию с мощностью транзистора 3, так как вспомогательный транзистор в открытом состоянии должен пропускать обратные токи транзистора 3, в сотни и тысячи зараз меньшие его прямых токов. Потребление тока через стабили трон б и сопротивление 7 из коллекторной цепи транзистора 3 при этом в В раз меньше суммы обратных токов 1 коллекторного и эмитте 1 рного переходов транзистора 3 в закрытом состоянии, где В - коэффициент усиления вспомогательного транзистора 5 по току. Предмет изобретения Пе 1 реключатель на транзисторе, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента передачи по мощности, источник запирающего напряжения подключен к участку база-эмиттер транзистора через вспомогательный транзистор, база которого подключена к коллектору основного транзистора через сопротивление и нелинейный элемент, например стабилитрон. ип, Харьк. Фил. пред, ссПатент,