301235

Номер патента: 536418

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Гладченко, Ильинский, Шевеля

МПК: G01N 3/20

Метки: деформаций, изгибе, материалах, остаточных, пластин, равного, сопротивления

...чертеже изображено описываемое устройство, общий вид.Устройство содержит основание 1, па,котором установлен держатель 2 для консольного закрепления образца 3 в виде пластины равного сопротивления. На том же основании 1 симметрично плоскости зажима образца 3 на некотором расстоянии от держателя 2 установлены соосно два микрометрических винта 4 с шариковыми наконечниками, Микрометрические;винты 4 образуют узел нагружения. Вблизи держателя 2 на основании 1 размещен электромагнитный механизм для циклической нагрузки образца, выполненный в виде соленоида б и постоянного магнита 6, Ось соленоида 5 лежит в плоскости зажима образца 3 и на оси микрометрических винтов 4, а постоянный магнит б расположен на торце соленоида 5, обращенном к....

Номер патента: 364637

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Абрамова, Бирюков, Денисенко, Ильин, Левин, Литв, Самыщкнна, Юзв

МПК: C08K 5/375, C08K 5/524, C08L 23/28, C08L 27/06

Метки: винилхлорида, гомополимеров, композиция, основе, полимерная, полиолефинов, хлорированных

...многократному изгибу 1 в циклах 1 до разр,".еи )я3346,"57 20 3 с.с т н 3 0 б 3 е т е н н 51 Составитель Т. БезбородоваТехред Т. Миронова Редактор Л. Ушакова Корректоры: Е. Сапуноваи Л, Бадылама Заказ 590/5 Изд.104 Ти ра )к 551 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и сткры О.и ):ри Совете Министров ССС:Р Москва, Ж-З 5, Ралискаи )аб, д. 45 Типо)рафик, ир. Гаи)п)ов, 2 Для пленок контрольных образцов с.). табл. 2, рецептуры 1 и 71, 113 готс)в.-,е 11 ьх 1; основе гомополимеров с сн,нкягом с)нп:.а стеа 13 ЯтОм кадмия, д 3 дкже нсс Г 151,11:3 н 30. ванных пленок на основе сонолнмеров Вннлхлорнда после светотеплового старения снижаются показатели относительного уллн сния, жесткости н морозостойкостн. 11 евозможно достичь...

Номер патента: 932289

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Домрачев, Козин, Куваев

МПК: G01K 15/00

Метки: инерции, показателя, сопротивления, тепловой, термопреобразователей

...10Я Яйся- соответственно величиныф9 3%сопротивлений рмисторов 7-9,По сигналу с блока 4 управления размыкается электронный ключ 14, В результате включения дополнительных резисторов 12 и 13 мостовая схема 640 выходит из баланса. Одновременно с размыканием ключа 14 на базу транзистора 2 начинают поступать управляющие импульсы, амплитуда которых нарастает во времени по экспоненпиальному закону, и происходит разогрев термопреобразова 5 теля 10, являющегося нагрузкой транзистора, импульсным током, Для уменьшения погрешности измерения длительность импульСов Си и длительнос ть,пауз Г и выбираются иэ условия ЕЬЪХь, й Ыи, где- ожидаемый показатель тепловой инерции. В результате нагрева термопреобразователя импульсным током нарастающим во...

Номер патента: 896213

Опубликовано: 07.01.1982

Автор: Кулиш

МПК: E04C 3/12

Метки: балка, деревянная

...листах шпона ориентированы под углом, который растет от д. = 0 (в уровне нейтральной плоскости), до некоторого заданного значения с=(Ы) (на периферии) и позволяет, таким образом, получить закон изменения модуля упругости по высоте балки от нейтральной оси до периферии по известному модулю для каждого листа шпана с ориентацией волокон под углом с, вычисляемому по формулеЬ, = сов+Р; где Ц - модуль упругости древесинывдоль волокон,- модуль упругости древесиныпоперек волокон.Для исключения депланации поперечных сечений балки, волокна листов шпона перекрещены.Если предположить, цто сечение прямоугольное шириной Ь и высотой й и модуль упругости уменьшается от нейтральной оси (при с = 0) со значениемсоответствующего с 3.=(б)ЬЕ=Е ИБ 61 БЬп 5 Ц,...

Номер патента: 1782996

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Воеводин, Любимов, Романов, Тимофеев, Чмир

МПК: C23C 14/34

Метки: антифрикционного, ионно-плазменного, кольца, многослойного, нанесения, покрытия, поршневые

...величина искажений кристаллической решетки определяется соотношением радиусов атома примеси и поры, в которую он внедряется. В области упругих деформаций при малых концентрациях примеси внедрения (менее 0,81 ат.о. где с 1 и с 2- произвольные постоянные, определяемые из граничныхусловийО(I г-о=О Ог/(-ь =- Р, (18)где Ог =ОГ +оР,р-давление, сказываемоестенками цилиндра на кольцо.Используя формулы (11),(12)(18), имеемдля с и сздва уравненияС 1(1 + )Уо) С 2(1")Ио ) - 2 = 0110 а 2С 1(1 ;По ) С 2(1 - Яо ) - ж -р +1 1 Р 2 ооЬ 2 ЕоЬо - 2 Х Т(йг (1915 Ь аРешая проблему (19), получим6"о)(а)г,)(, (- .оТангенциальные напряжения имеютмаксимальное значение на рабочей поверх 2 б ности кольца, т.е. при г= Ь. Используя(17)и(20), имеем:.Е .6ярД а 4)1 Е...