Всесоюзная iшштш-: х: ; г: гилй1

Союа Советских Социалистических РеспубликК ПАТЕНТУ ависимыи от патен ПК О 03 д 5 Комитет по делам зобретений и открыти при Совете влииистрое СССР1.1971. Бюллетень12 бликован УДК 621.319(088.8) Авторизобретен ИностранецЭнтони фрэнк ЛипаниСоединенные Штаты АмерИностранная фирмаРЭНК Ксерокс Лимитед(Великобритания) ВСЕС Э:3 Я -. д:-тБИБ 1 ЗО 7 = ",Д аявител ретениеим матерстны элеержащиеидного сдложку,цилиндости элприменанесенныПри изгт отслаив относится к электроиалам,ктрофотографическиефотополупроводниковелена, нанесенного нвыполненную в видера. Для увеличенияектрофотографическихяют электрофотограе на гибкую подложкибании такой подлоание фотополупровод ограпластиый слой а жестпл асти- произвомашин фические у в виде жки про- никового афическая зией меж- стекловидимеет вывойства. лагаемая а обладает ополупрово лена и гиб изические электрофотог улучшенной адг иковым слоем й подложкой имеханические Электрофотографическа из гибкой подложки, ад стекловидного селена. В используется металл, н латунь, нержавеющая с цинк; стекло, покрытое материалами, например о индия, металлическим ал аналогичными покрытия танная химикалиями ил ная для придания ей эле я пластина состоит гезионного слоя икачестве подложки апример алюминий, таль, медь, никель, электропроводящими кисью олова, окисью юминием, пластик с ми; бумага, пронин кондиционированктропроводности,ет изобретен Изоб фическ Изве ны, сод стеклов кую по ны или дительн в них слои, н ленты. исходи слоя. Пред пластин ду фот ного се сокие фО П И С А Н И Е ЗОООЗ 6ИЗОБРЕТЕНИЯ аявлено 23.Ч.1969 ( 1335901/28-12) риоритет 24 Х.1968,731743, США ата опубликования описания 4,Ч 1.197 ЕКТРОФОТО ГРАФИ Ч ЕСКАЯ ПЛАСТИ Н Подложка должна иметь удельное электрическое сопротивление не более 10 ом см.На тщательно очищенную поверхность подложки наносится тонкий (от 0,1 до 5,0 мк) 5 слой адгезионного материала. В качестве последнего используются замещенные силилизобутилэтилендиамины, например н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин, и - триметоксисилилизобутилэтилендиамин, и-диэтокси- О этилсилилизобутилэтилендиамин и другиесоединения этого ряда.Наилучшими адгезионными свойствами поотношению к фотополупроводниковому слою и подложечке обладает клеевой состав на осно ве и-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина, который входит в клеевую композицию в количестве 2 вес. ч., а 1 вес. ч. приходится на гамма-метакрилоксипропилтриметоксисилан или винилтриацетоксисилан.О В качестве фотополупроводникового слояна адгезионный слой наносится селен и его сплавы, например сел енид кадмия, селенид теллура и другие, и смеси мышьяка и селена.Селен может содержать сенсибилизирующие 25 добавки. Толщина фотополупроводниковоггслоя находится в пределах от 10 до 200 мк 1. Электрофотографическая пластина, соО держащая подложку, выполненную из элект300036 Составитель Э. ПочтарьТехред Л. В, Куклина Корректор О. Б. Тюрина Редактор Н. Старостина Заказ 1353/16 Изд.604 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ропроводящего материала, и фотополупроводниковый слой селена, отличающаяся тем, что, с целью исключения отслаивания фото- полупроводникового слоя и улучшения его физических и механических свойств, пластина включает промежуточный адгез ионный слой, находящийся между упомянутыми слоями и содержащий замещенный силилизобутилэтилендиамин.2, Пластина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамин.3, Плаотина по п. 1, отличающаяся тем, что промежуточный адгезионный слой содержит н-триметоксисилилизобутилэтилендиамин. 4. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, чгопромежуточный адгезионный слой содержит 2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина и 1 вес. ч, гамма-метакрилокси пропилтриметоксисилана,5. Пластина по п. 1, отличающаяся тем, чтопромежуточный адгезионный слой содержит 2 вес. ч. н-диметоксиметилсилилизобутилэтилендиамина и 1 вес. ч. винилтриацетоксиси.10 лана.б. Пластина по,п. 1, отличающаяся тем, чтопромежуточный адгезионный слой имеет толщину от 0,1 до 5,0 мк.7. Пластина по п, 1, отличающаяся тем, что 15 фотополупроводниковый слой имеет толщинуот 10 до 200 мк.