Управляемый аттенюатор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 29682 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМПК Н 01 р 1122 Заявлено 15.Ч.1969 ( 1322588 г 2 рисоединением заявкириоригетпубликовано 121971. БюллетеньКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР(088.8) Дата бликования описания 9.1 Ч.1971; т 11,1. лтн т т ,(и дС 11 ъ.тт Авторыизобретени Б. И. М кий милевич Новосибирский э инст тротехническ вител УПРАВЛЯЕМЪЙ АТТЕНЮАТ енных друг относиик р-г-и-диодов. (а содержат по и в цепь тока СВЧ ные конденсаторы 4 мыкание для токов очно чтобы и=4 - 6. цнентамн нескольких, смещ тельно друга, характеристВетви четырехполюсни р-и-диодов, включенных параллельно (разделитель представляют короткое за СВЧ). Практически достат Учитывая, чтоО воднмости послед1- (% - характер рГчеты рехполюсннка), параллельно диодам в этих ветвях включены резисторы 2 с сопротив ленпем Р= 1 У. Каждый р-г-и-диод получает отисточника 5 опорных напряжений индивидуальное смещение. Переменные резисторы 6 служат для установки требуемого наклона характеристик 6;=(ги) каждого диода. ПраО вильно установив индивидуальные смещениядиодов н наклоны их характеристик, можно добиться хорошей аппроксимации требуемой функции бветвп =(иг), а следовательно, линейности модуляционной характеристики н со гласовання с трактом. Так как проводимость последвей должна увеличиваться, параллельной ветви - уменьш О ченнем фактора модуляции, н овательных вета проводимость аться с увелиапряжения, поИзобретение относится к технике управления колебаниями СВЧ и может служить для осуществления амплитудной модуляции поглощением в тракте.Известные аттенюаторы на р-г-и-диодах с сосредоточенными параметрами, а также и аттенюаторы на отрезках линий, будучи использованы для амплитудной модуляции поглощением, дают весьма нелинейные модуляционные характеристики.Описываемый аттенюатор отличается от известных тем, что параллельно р-г-и-диодам последовательного плеча Т-образного четырехполюсника включен постоянный резистор, сопротивление которого равно волновому сопротивлению четырехполюсника, причем опорные напряжения р-г-и-диодов обоих плеч подобраны соответствующим образом.Указанное отличие обеспечивает получение линейной модуляционной характеристики,На чертеже показана схема предлагаемого аттенюатора (в Т-образном варианте).Диоды 1 и резисторы 2 образуют последовательные ветви четырехполюсника, диоды 3 - параллельную ветвь. Линейность модуляционной характеристики при хорошем согласовании достигается здесь тем, что требуемые для этого зависимости проводимостей ветвей от модулирующего фактора составляют путем суммирования с соответствующими коэффиминимальное значение проовательных ветвей 2 бвин= нстическое соп отивленнс296182 Предмет изобретения 3+ т (1 - т) (3 -т)1 - т 4(1+ т) где и - коэффициент модуляции. Составитель Л. Рубинчикедактор М. В. Макарова Тсхред Т. П. Курилко Корректор А. П. Василь Заказ 854/7ЦНИИПИ Комитета Изд.372 Тираж 473делам изобретений и открытий при СМосква, Ж, Раушская наб., д. 475 Подписете Министров СС Типография, ир. Сапунова,даваемые на последовательные и параллельные ветви должны быть противофазны другдругу; поэтому модулятор 7 должен иметь двапротивофазных выхода с общей точкой. Цепочки, состоящие из резисторов б и ри- диодов, включаясь при разных модулирующих напряжениях, образуют переменную (нелинейную) нагрузку модулятора. Для стабилизации нагрузки параллельно выходам модулятора подключены низкоомные резисторы 8 и 9. При достаточно малых их величинах моукно тать, что напряжения на них пропорциональны э.д.с. модулятора, Токи же, протекающие через ветви СВЧ четырехполюснпка, связаны с напряжениями на резисторах 8 и 9 нелинейно, что и дает возможность линеаризовать модуляционную характеристику,Схема сохраняет описанные выше свойства в диапазоне частот, где шунтирующим действием собственных емкостей диодов можно пренебречь. Расширение верхней границы рабочего диапазона частот возможно путем компенсации этих емкостей известными методами. Управляемый аттенюатор, состоящий изТ-образного четырехполюсника с параллельно 5 включенными ри-диодами в последовательном и параллельном плечах, цепи питания диодов постоянным током и цепи модулирующего напряжения, поданного в противофазе на последовательное и параллельное плечи 10 четырехполюсника, отличающийся тем, что, сцелью получения линейной модуляционной характеристики, параллельно упомянутым рп-диодам последовательного плеча включен постоянный резистор, сопротивление которо го равно волновому сопротивлению четырехполюсника, причем опорные напряжения ри- диодов обоих плеч подобраны так, что последовательная и параллельная проводимости ветвей четырехполюсника соответственно 20 равны