Магнитный широтно-импульсный модулятор для управления транзисторными усилителями

Номер патента: 288036

Авторы: Кравцов, Степанов

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 288036ИЗОЬЕЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союэ Советских Социалистических Республик-24 3473 о ПК Н 03 с 7,508 Приоритет Комитет по делам зооретеиий и отирытийДК 621.818(088.8) публиковаь нь хЪЗ 03. Х 11.1 юлле при Совете Мииистро СССРДата опублик ация описания 28.1.1971 Авторыизобретения Кравцов и А. И. Степанов аявит МАГНИТНЫЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМИ УСИЛИТЕЛЯМИ2 ььность 2азмеры Предмет изобретения Магдля упсодержтельггг гг гг сятельноумецьш цмпхльсньш хьодхлятор сторпымц усилителями, ый мапштный усилитрацзпсторы, отличаюю увеличения чувствцусилителя, а также его сердечника, в цем гтцьш широтно авлецця транз щпй дроссель х правляемые тем, что, с цел тп м агьштного ения размеров Известны схемы дроссельных магнитныхусилителей, работающих в режиме со свободными четными гармониками при питании егонапряжениех прямоугольной формы и обладаьощих свойствами широтно-импульсного модулятора,Однако практически невозможно изготовитьмаломощный магнитный усилитель, которыйодновременно обладал бы свойствами широтно-импульсцого модулятора и служил бы дляуправления закрытыми транзисторами.Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем последовательно с рабочими обмотками магнитного усилителявключены два встречно-последовательно соединенных туцнельных диода, общая точкакоторых подключена к эмиттерам транзисторов, а аноды туннельных диодов связаны с базами транзисторов,Это позволяет увеличить чувствите,магнитного усилителя и уменьшить рего сердечника.На чертеже приведена схема мапштногоширотно-импульсного модулятора. На схемегг - переменное напряжение питания прямоугольной формы, гг - управляющее напряжение постоянного тока; Др - дроссель магнитного усилителя (МУ); Дг, Д - туннельные диоды; г,г - напряжение питания транзисторов; ПППП - германиевые транзисторы. Рабочие обмотки Кр дросселя Др соединены параллельно для создания реькпхи работь со свободными четными гармониками. Так как туцнельные диоды обладают цельшейцостью характеристики только для токов одной лярцости, то для работы на переменном токе цсобходпхьо встречное включение двух диодов. Транзисторы подключаются параллельно диодам. Нагрузкой МУ служат параллельно соединенные туццельный диод ц вход транзистораа.Если сердечники МУ це насыщены, его нагрузка определяется малым сопротивлением туннельного диода. Когда же сердечники МУ насыщаются, сопротивление туннельного диода резко увеличивается. Сопротивление нагрузки МУ определяется параллельным соединением входного сопротивления транзистора и возросшим сопротивлением туннельного диода.Заказ 3948 11 Тираж 480 ПодписноеЦНИИГ 1 И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 45 Типография, пр. Сапунова, 2 последовательно с рабочими обмотками магнитного усилителя включены два встречно-последовательно соединенных туннельных диода, общая точка которых подключена к эмиттерам транзисторов, а аноды туннельных диодов связаны с базами транзисторов.

Смотреть

Заявка

1234732

Ю. И. Кравцов, А. И. Степанов

МПК / Метки

МПК: H03K 7/08

Метки: магнитный, модулятор, транзисторными, усилителями, широтно-импульсный

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-288036-magnitnyjj-shirotno-impulsnyjj-modulyator-dlya-upravleniya-tranzistornymi-usilitelyami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный широтно-импульсный модулятор для управления транзисторными усилителями</a>

Похожие патенты