Способ измерения деформаций

Номер патента: 136476

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Варданян, Дробышев, Зеликман, Лукашева, Соловьева, Тодорова, Шкуропат

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, кремниевых, перехода

...упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 - 800".Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35 - 0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 - 800. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 - 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 - 7 лк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 - 800, выдерживается при этой...

Номер патента: 127485

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Додик

МПК: G05B 5/01, G05D 23/24

Метки: датчика, качестве, кремниевым, полупроводниковый, стабилитроном, температуры, терморегулятор

...триода из двух или нескольких триодов 3. В коллекторную цепь выходного каскада включено сопротивление подогревателя 4. Питание датчика температуры стабилизируется специальной схемой, собранной на сопротивлениях 5 и б, кремниевом стабилитроне 7 и германиевых или кремниевых плоскостных диодах 8, включенных в прямом направлении. Сопротивление 5 выполнено переменным и служит для установки заданной температуры,В камере термостата находится только стабилитрон 1 и подогреватель 4, величина тока в котором устанавливается сопротивлением 5. По мере нагрева камеры термостата напряжение на входе усилителя будет уменьшаться, что вызовет соответствующее уменьшение тока, проходящего через подогреватель. В результате этого процесса в камере термоде...

Номер патента: 1728685

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Шумилов

МПК: G01L 1/22

Метки: датчика, изгибающим, моментам, поперечным, регулировки, силам, силы, тензорезисторного, чувствительности

...полчрности сигнала д ср дает возможность выявить полумост с большей чувствительностью, в которой последовательно включается дополнительный резистор для выравнивания чувствительности полумостов,Как известно, изменение выходного сигнала полумоста ВСО при приложении нагрузки к датчику силы составит (сиг,фиг,1)О +,4где О - напряжение питания полумоста;.ер - относительное изменение сопротивления тензорезисторов воспринимающих деформацию растяжения;ес - относительное изменение сопротивления тензорезисторов, воспринимающих деформацию сжатия,Введем следующие обозначения: Л = А - Ьд - изменение разности вы- ходных сигналов полумостов ВСО и ВАО после приложения силы к датчику;д = А + Ьд - изменение суммы эт 40их сигналТо 45 5.д Уг,дА - или =...

Номер патента: 210408

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Казаковский, Ленинградский, Рудиев, Трудового, Шеховцов

МПК: G01F 17/00

Метки: емкостей, объемов

...вых скважин, цистерн, трубопроводов и в других областях измерительной техники.Способ определения объемов емкостей путем измерения разности давлений вводимого в них воздуха (газа) известен. Поскольку давление в исследуемой емкости может отличать. ся от давления в эталонной емкости, для определения объема необходимо измерять пер. воиачальиое давление в исследуемой емкости. Это усложняет процесс измерений.Особенность предлагаемого способа опре деления объемов емкостей заключается в том, что в исследуемой и эталонной едкостях уравнивают,произвольное начальное давление га. за, перекачивают часть газа из исследуемой емкости в эталонную, измеряют изменение давления в обеих емкостях, и затем выЧисля. ют искомый объем. Такое осуществление спо....

Номер патента: 976290

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Абдуллаев, Атакулов, Афузов, Билялов

МПК: G01B 7/16

Метки: датчик, тензометрический, усталости

...дат чиков от числа циклов и величины деФормации.Тензометрический датчик усталостисодержит диэлектрическую подложкуна которую термическим испарениемв вакууме наносят металлические элек.троды 2, и полупроводниковую пленку3 из тройного сплава В 1 ТеВб, и токоподводы 4, прикрепленные к электродам 2.Для выявления усталостных повреждений и измерения усталостной дол-говечности элементов конструкций тен-зометрический датчик усталости при,крепляют к этому элементу, При де Формации элемента с пленкой в ней происходит смещение энергетических уровней, изменение эффективных масс,времени жизни, подвижности носителейзаряда, а также образование рекомбинационных центров, что, в свою очередь,приводит к изменению высоты потенциальных барьеров, Все...