Способ автоматического управления процессом синтеза гидросульфита цинка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 283180
Авторы: Баркан, Никитина, Самойлович, Смирнов
Текст
А- Н 283 8 юз Советск оциалистичесни РеспублииБРЕТЕНИ детвдьпВУ ависимое от идетельства-55323/23-26 И 11.1969 ( 13 нием заявки-аявлено 0 присоеди л, 12 р, 1/О В 01 3/006 05 с 1 11/08 Комитет по лелем твойретеиий и отирыти при Совете йтииистрае СССРиоритет публиковано 06,Х.1970, Бюллетень31 ата опубликования описания 31,Х 1.1970 УДК 661.847.532-52(088.8) Авторызобретения икитина, М. А. Самойлович и А. Б. Баркан. Смирнов,Заявите ОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПРО СИНТЕЗА ГИДРОСУЛЬФИТА ЦИНКА М Предмет изобр етеб автоматического упринтеза гидросульфита циимодействием цинковойгазом, путем регулироваго газа в зависимости отпродукта при стабих воды и цинковой пыли,ованной температуре прся тем, что, с целью повьращения цинка в гидрос Спосоцессом смого взанистымсернистоготовогорасходабилизирчаюиийни прсв вления нка, по пульпы ния р величи изиров а таки оцесса,шения льфитчучаес серасхода ны рН анных е ста- отли- степе- пинка Изобретение относится к способу автоматического управления процессом синтеза гидросульфита цинка, получаемого при взаимодействии пульпы из цинковой пыли и воды с сернистым газом. Предлагаемый способ можетнайти применение в химической промышленности.Известен способ автоматического управления процессом синтеза гидросульфита цинка,получаемого при взаимодействии пульпы изцинковой пыли и воды с сернистым газом, путем регулирования расхода сернистого газа взависимости от величины рН готового продукта при стабилизованных расходах воды и цинковой пыли, а также стаоилизированной температуре процесса. Однако при осуществленииэтого способа степень превращения цинка вгидросульфит цинка недостаточно высокая, заданная концентрация продукта может бытьдостигнута в результате перерасхода цинковой пыли, что приводит к потерям дорогостоящего сырья,С целью устранения указанных недостатковпо предложенному способу при регулированиирасхода сернистого газа вводят коррекцию поконцентрации гидросульфита цинка, определяемой по величине рН и плотности реакционной массы, причем в зависимости от последней корректируют расход цинковой пыли.На чертеже изображена схема, поясняющая предлагаемый способ.Стабилизуют расход воды, поступающей всборник 1 приготовления пульпы, и температуру реакционной массы. С помощью датчи ков 2 и 3, установленных в аппарате газирования 4, замеряют соответственно плотность и рН реакционной массы. Сигналы с датчиков поступают на вычислительное устройство б.Выходной сигнал последнего, пропорциональ. О ный величине концентрации гидросульфитацинка, подают на вход экстремального регулятора 6, который корректирует задание регулятору 7 рН, воздействующему на исполнительный орган 8 на линии подачи сернистого 5 газа в аппарат газирования 4. Сигнал от датчика 2 плотности поступает и на весовой автоматический дозатор 9 для коррекции расхода цинковой пыли..НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушскаи наб., д, 4/5 ЦТ МО и стабилизации его концентрации в условиях переменной активности цинка, при регулировании расхода сернистого газа вводят коррекцию по концентрации гидросульфита цинка,определяемой по величине рН и плотности реакционной массы, причем в зависимости от последней корректируют расход цинковой пыли.
СмотретьЗаявка
1355323
Б. Смирнов, О. Д. Никитина, М. А. Самойлович, А. Б. Баркан
МПК / Метки
МПК: C01G 9/00, G05D 11/08
Метки: гидросульфита, процессом, синтеза, цинка
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-283180-sposob-avtomaticheskogo-upravleniya-processom-sinteza-gidrosulfita-cinka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ автоматического управления процессом синтеза гидросульфита цинка</a>
Предыдущий патент: Устройство для встряхивания электродов в электрофильтре
Следующий патент: Устройство для проведения многофакельного разряда в неоднородном электрическом поле
Случайный патент: Способ обработки поверхностен металлических деталей теплофизических приборов