Генератор прямоугольных импульсов

Сеюэ Ссеетскнт Ссииалистическиэ Республик2824 И ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 15.ЧШ,1968 (,% 1262868/26-9)с присоединением заявки-Приоритет -Опубликовано 28.1 Х.1970. Бюллетень30Дата опубликования описания 7,%.1971 Кл. 21. а, 36/02 Кемитет пе яеката эебретеиЯ и открытЯ ери Сеаете Мииистрее СССРАвторттзобретения В, Е. Макаров Заявитель ГЕНЕРАТОР ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ Изобретение относится к импульсной технике.Известные генераторы, вырабатывающие импульсы малой длительности и большой скважности, не позволяют обеспечить получение импульсов со скважностью в несколько тысяч.Цель изобретения - создание генераторабольшой скважности, вырабатывающего прямоугольные импульсы с изменяемой в широкихпределах длительностью импульса и частотойповторения,Предлагаемый генератор выполнен на транзисторах разного типа проводимости, при этомколлектор транзистора типа и-р-и соединен сбазой транзистора типа р-и-р через параллельно соединенные конденсатор и резистор и с положительным полюсом источника питания через последовательно соединенные резистор идиод.Предлагаемый генератор позволяет полуцать короткие импульсы длительностью 0,5 -10 мк/сексо акважноотью от 100 до 100000.На чертеже приведена схема предлагаемогоустройства.Схема содержит транзисторы 1 и 2, диод 8,резистор 4, емкость 5 и резистор б.Генер атор р а ботает следующим о бр азом.После подачи питающего напряжения засчет малого сопротивления участка коллектор - эмиттер транзистора 1 транзистор 2 резко открывается, и почти все напряжение, приложенное к транзистору 2, выделяется на на-.грузке, состоящей из диода 3 и резистора 4.Фронт напряжения дифференцируется емкостью 5, и на базу транзистора 1 передается отрицательный импульс, резко открывающий транзистор 1. Максимум напряжения на нагрузке (диод 3 и резистор 4) возникает через.интервал времени, равный времени заряда ем кости 5. Ввиду того, что транзистор 1 открытсопротивление участка эмиттер - коллектор транзистора 1 мало и на коллекторе транзистора 1 формируется плоская вершина импульс,По окончании заряда емкости дифференци рованный импульс на базе транзистора 1уменьшается, сопротивление участка коллектор - эмиттер транзистора 1 увеличивается, что приводит к уменьшению напряжения на нагрузке (диод З,и резистор 4).20 Однако соотношение сопротивлений участковколлектор - эмиттер транзистора 1 и база - эмиттер транзистора 2 остается достаточным для формирования плоской вершины импульса.Уменьшение напряжения на нагрузке (диод 25 3 и резистор 4) сопровождается разрядом емкости 5 до напряжения, при котором транзистор 1 закрывается. Соотношение сопротивле,ний участков база - эмиттер транзистора 2 и коллектор - эмиттвр транзистора 1 реззо,ко меняется, транзистор 2 закрывается, па282411 Составитель Т. Пигасоваехред Т, П. Курнлко Коррект Редактор Т. Иванов Ковалева раж 48 аказ 7565 одппсиос омитета по делам изобретений и открывий при Со Москва, Ж.35, Раугпская наб., д, 4/5 Мииистуов СССР Областная типография Костромокого управления ого печати гпряжение на нагрузке (диод д и резистор 4) уменьшается, и положительный продифференцированный.импульс повышает напряжение на .базе транзистора 1 до нескольких вольт, надежно закрывая его. В дальнейшем идет мед.ленный разряд емкости 5 через транзисторы 1 и 2 и резистор б.Ввиду того, что при закрытом транзисторе 2 на диоде 3 и резисторе 4 имеется напряжение порядка долей вольта, то емкость 5 должна перезарядиться до этого напряжения, но транзистор 1 открывается при напряжении, равном нулю, и перезаряд прекращается,В момент открытия транзистора 1 формируется передний фронт импульса, и процесс ,формирования импульсов повторяется..Длительность .вырабатываемых импульсов регулируется резистором 4, а период их повторения - емкостью 5 (в больших пре 1 делах) и резистором б. 5 Предмет изобретения Генератор прямоугольных импульсов натранзисторах,с даполнительной симметрией,от,гичающийся тем, что, с целью увеличения10 скважности колебаний, расширения диапазонаизменения длительности и частоты следованияимпульсов, коллектор транзистора типа п-р-дсоединен с базой транзистора типа р-и-р через,питания через последовательно соединенныерезистор и диод,