Магнитоупругий датчик давления

Номер патента: 972280

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Косичкин, Кузнецов, Лепорский, Парфенов, Худышев, Цывин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительный, элемент

...проводимости, а переход меж972280 Формула изобретения ВНИИПИ филиал П аказ 7669/29 Тира Патент, г. Ужгор Подписно Проектна ду ними зашунтирован введенными в устройство омическими контактами.На фиг. 1 изображен чувствительный элемент мембранного датчика давления; на фиг. 2 - увеличенное изображение контактных площадок.Чувствительный элемент мембранного датчика давления содержит центральные тензорезисторы 1, прилегающие к ним части контактных площадок 2, например из р-типа проводимости и крайние тензорезисторы 3 и прилегающие к ним части контактных площадок 2 и-типа проводимости, изготовленные из одного кристалла полупроводника, например, кремния, в форме вытянутой рамки, лежащей, например в плоскости изотропии, и омические контакты 4,...

Номер патента: 1398573

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Зеленцов, Мокров, Наумов, Песков

МПК: G01L 1/22

Метки: давления, датчиков, металлопленочных, чувствительного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ, включающий операции нанесения на металлическую упругую подложку слоя изолирующего материала, нанесения слоя проводящего материала, вакуумного напыления пленки резистивного материала, формирования рисунка тензорезисторов, создания контактных площадок и рисунка коммутации, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности значений выходного напряжения чувствительного элемента, перед операцией нанесения слоя проводящего материала осуществляют операцию вакуумного напыления резистивного материала и выдержку в вакууме при температуре напыления в течение 4,5 5 ч, а после создания контактных площадок и рисунка коммутации выполняют операцию формирования рисунка...

Номер патента: 1675700

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Белозубов, Бещеков, Марин, Шпилев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительного, элемента

...контакте наружных (нерабочих) его частей с поверхностью деталей датчика в зоне шва профиль рабочей поверхности бойка 1 обеспечивает регламентированную по высоте осадку металла шва на определенной длине . Величину каждого импульса ударной нагрузки Р также выбирают из определенного соотношения. После первого произвольного по месту шва приложения ударного импульса последующий импульс прилагают под углом а к направлению ииложения предыдущего импульса, производя отсчет величины угла а в направлении по часовой стрелке. Процесс приложения импульсов к сварному шву продолжают до тех пар, пака выходной сигнал датчика не достигнет заданных значений (с.балансиройанного начального выходного сигнала), 5 ил. взводят ударный механизм. Частота ударов...

Номер патента: 290163

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бронштейн, Государственный, Кузьмин, Нашельский, Проектный, Синицин, Сокуренко

МПК: G01B 7/16

Метки: давления, датчика, чувствительный, элемент

...из монокристаллического кремния, германия, карбида кремния и других элементов.Общим недостатком всех этих чувствительных элементов, за исключением карбида кремния, является незначительный верхний температурный рабочий предел.Целью изобретения являетсячувствительности и стабильностистик чувствительного элемента. Это достигается выполнением чувствительного элемента в виде параллелепипеда из монокристалла фосфида галлия. На чертеже дап график нагрузочной характеристики тензочувствительного элемента на основе фосфида галлия.Результаты испытаний, проведенных в ин ституте Гиредмет, показывают, что тензочувствительные элементы из фосфида галлия изменяют свое сопротивление под воздействием растяжения, Изменения сопротивления при этом...

Номер патента: 323643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Конструкторский, Научно, Приборов, Средств

МПК: G01B 7/16

Метки: meaibpahhofo, давления, датчика, чувствительный, элемент

...элемент отличается от известных тем, что тензорезисторы выполнены в виде двух параллельчых полос полупроводника, соединенных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика, а также тем, что все тензорезисторы выполнены из ориентированного в направлении макси мальнсй тензочувствптельности полупроводника.Такое выполнение чувствительного элементапозволяет повысить точность измерения давлеполупроводника, ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности.Полосы 1, 2 соединены между собой перемычками 3, 4 и снабжены контактами 5, располо- Б женными на линии нулевой деформации мембраны б датчика. Полосы 1, 2 и перемычки 3, 4 полупроводника образуют мостовую...