276187

276187 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕУЕЛЬСУВУ Союз СоеетскикСоциалистическимиРеспублик Зависимое от авт. свидстсльства,хс( 1307752/26-9) Заявлено 06.11.196с прпсосдпнешгсмПриоритет Кл. 1 а, 7 аявкп М с 1/14 МПК Комитет по делам изобретений и открыт при Сосете Мииистро СССРОпуолцковано 14 Л 11.1970. Бголлетснг,Й 23 я оп сания 23,11.1971 та опубликован Авторы зобретсция Д. И, Биленко, Э. А, Жаркова и Е. И. Хасинаратовский государственный университет им, Н. Г, Чернышевского явитель МОДУЛЯТОР 2 Изобретение относится к области СВЧ-устройств, использующих модуляцию электромагпитцго излучением, и могут быть применены в антсццо-волноводцой технике, в частности в радиоастроцомпческпх системах и в измерительной аппаратуре.Известны модуляторы электромагнитного излучения на основе р вв-структур.Однако известные устройства обладают рядом недостатков: узкоплотность, ограниченность раоочего диапазона, так как опп являются прибором со сосредоточенными параметрами, в основе принципа действия которы.; лежат резонансные эффекты. Такие структуры располагаются внутри волноводного тракта, заполняя незначительную часть объема,С целью расширения диапазона частот модулируемого электромапгитпого излучеьпя, увеличения широкополосности и осуществления чисто фазового управления излучением в предлагаемом устроистве плоскость р - ц-перехода диода расположена перпендикулярно направлению распространения энергии, перекр- вая полностью сечение передающего тракта, причем высокоомная область диода обращена к подающему излучению.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Устройство содержит отрезок волнозода 1 и закрепленный на цсм полупроводниковый плоскостнои диод, плоскость которого полпостгяо перекрывает сечение волноводноготракта, и диод служит отражателем. Диодобращен высокоомной (р или л) областью кпадаюгцему излучению, а р - гг-переход перпендикулярен направлению распространения.Высокоомная область имеет омический электрод 2, не препятствующий прохождению излучения (напризгер, кольцевой или плоский, про 10 зрачный в рабочем диапазоне длин волн).Электродом к высоколегированной области(гг - ;ли р- типа) служит сплошной омическцйконтакт 3. Толщина этой области должна бытьбольше, чем толщина скин-слоя данного диа 15 назона длпц волн..Чодулпруемое электромагнитное излучение,распространяющееся с малыми потерямп ввысокоомной области диода, отражается награнице с цпзкоосной областью р - ц-перехода,20 коэффициент отражения которой близок кединице для данного диапазона длин волн. Соответствующая этому концентрация носителязаряда низкоомпой области определяется изусловия плазменного резонанса в рабочемдиапазоне длин волн.Так, для управления излучением миллиметрового диапазона концентрация нпзкоомнойобласти полупроводниковой структуры должна быть порядка 10 к слг, а для излучения30 ИК-дпапазона 10 зс с.г,276187 П рсдмст изобретения Составитель В. ПоветкинРедактор Т. И. Морозова Текред Л. Л. Евдонов Корректор Т. А. Дгкаманкулова Заказ 112/1 Изд, М 466 Тирак 480 ПодиисиоеЦНИИПИ Комитета ио делам изобретений и открытий ири Совете Министр в СССР Москва, )К, Рауьискав иаб., д. 45 Тииогра(рии, ир. Сапунова, 2 При подаче смещения на диод в пропускном направлении за счет ини(екцпи исосиовиык носителей заряда изменяются электрофизические свойства высокоомой области, и отракаОиая поверность сдвигается в высокоомиую область диода, за счет чего проискодит модуляция фазы и амплитуды электромагнитной волны. Перемещение отражающей иовсркпости и диоде можно сравнить с качающимся зеркалом.Глубина модуляции, рабочий диапазон частот устройства определяются толщиной высокоомной области и уровнем ипкекции,С помощью указанного устройства можно осуществить как амплитудно-фазовую, так и фазовую модуляцшо отраженного излучения с малым изменением амплитуды. При достаточно большой плотности тока амплитуднофазовая модуляция исрс.;одвт в фазовую..Чодус 511 ор эгск 1 ром 1 гпитпого из,учси 151миллиметрового, субмиллиметрового и инфракрасного диапазонов волн. состоящий из отрезка псрсда 1 ощего тракта и полупроводникового плоскостного диода, Огличагощигся тем, что, с целью расширения диапазона частот 10модулирусмого отраженного электромагиитис.го излучения, увеличения широкополосности и осушсствления чисто фазового управления излучением, плоскость р - гг-исрс:ода диода расположена перпендикулярно направлению распространения энергии, перекрывая полностью ссчси 11 с переданщего тракта, причем высоко- омная область диода обращена к подающему 20 излучению.