Патенты с меткой «276187»

Номер патента: 276187

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Биленко, Жаркова, Хасина

МПК: H03C 1/14

Метки: 276187

...направлению распространения.Высокоомная область имеет омический электрод 2, не препятствующий прохождению излучения (напризгер, кольцевой или плоский, про 10 зрачный в рабочем диапазоне длин волн).Электродом к высоколегированной области(гг - ;ли р- типа) служит сплошной омическцйконтакт 3. Толщина этой области должна бытьбольше, чем толщина скин-слоя данного диа 15 назона длпц волн..Чодулпруемое электромагнитное излучение,распространяющееся с малыми потерямп ввысокоомной области диода, отражается награнице с цпзкоосной областью р - ц-перехода,20 коэффициент отражения которой близок кединице для данного диапазона длин волн. Соответствующая этому концентрация носителязаряда низкоомпой области определяется изусловия плазменного резонанса...