Селектор импульсов по частоте следования

О П И С А Н И Е 271569ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик,л. 21 ат, 3 ЧГ 1 К Н 03 т. 520У,ЦС 621.374.33(068.8) Комитет по изобретений и при Совете М СССР. М, Страковский и Н, В. Шарапова аявител СЕЛЕКТОР ИМПУЛЬСОВ ПО ЧА Е С АНИЯ Е,и 7.рцод Известны селекторы, выделяющие импульсные последовательности с определенной частотой следования и содержащие значительное число комплектующих элементов, требующие подачи напряжения питания, Это,сужает возможность,их применения.В предлагаемом селекторе для пропускания импульсных последовательностей в ограниченном интервале частот следования ключевого устройства выполнены на транзисторах разного типа проводимости, а точка соединения диода и накопительного конденсатора диодноконденсаторной цепочки, включенной параллельно ключевым устройствам, подсоединенным параллельно входным и выходным клеммам селектора, подсоединена к базе одного транзистора непосредственно, а к базе другого транзистора, нормально запертого в интервале частот до верхней границы селектирования, - через резистор.На чертеже представлена схема предлагаемого селектора.Входные импульсы положительной полярности через разделительный конденсатор 1 и диод 2 заряжают накопительный конденсатор 3.В,исходном состоянии транзистор 4 (с проводимостью р-и-р-типа) открыт, а транзистор 5 (с проводимостью п-р-а-типа) заперт, отрицательным напряжением смещения - поданным на их базы через резисторы 6При малой частоте повторения, когда пе следования превышает постоянную времени разряда накопительного конденсатора 3, импульсы на выходе отсутствуют вследствие шун 1 ирования выходных клемм селектора откры тым транзистором 4.С увеличением частоты следования, кактолько постоянчая времени разряда начинает превышать период входных импульсов, происходит накопленце заряда на конденсагоре 3.0 С ростом частоты повторения входных импульсов напряжечце на конденсаторе превышает по абсолютной величине напряжение источника смещения и запирает транзистор 4.Этот момент соогветствует нижней границе селектирования. На выходе появляются импульсы с той же частотой повторения, что и на входе, так как оба транзистора 4 и Б заперты, При дальнейшем росте частоты повторения импульсов напряжение на накопительном кон денсаторе возрастает еще больше, и часть его,приложенная через резисторы 7 ц 0 к базе транзистора 5, откроет его. Этот момент соо 1- ветствует верхней границе селектированця.Выходные импульсы отсутствуют из-за шунтц рующего действия открытого транзистора э.Селектцрованце импульсов в заданном интервале частот следования определяется выбором соответствующих величин конденсатора 3 и резисторов б и 7. Стабильность режима ра боты селектора от нормированных импульсовопределяется характеристиками транзпс горов, элементов разрядной цепи и стабильностьо271569 Составитель Сапежко Редактор Т. Иванова Текред А, Л. Камышникова Корректор Т, А. ДжаманкуповаЗаказ 39422 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4 5 Типография, пр. Сапунова, 2 источника напряжения смещения. При необходимости регулирования пределов селектпрования при эксплуатации все или отдельные элементы разрядной цепи выполняются переменными.При работе с отрицательными импульсами схема селектора сохраняет тот же вид, изменяется лишь полярность включения диода 2, а также типы проводимостей транзисторов 4 и 5 на противоположные. Изменяется на противоположную и полярность напряжения смещения,Предмет изобретенияСелектор импульсов по частоте следования, содержащий разделительный н накопительный конденсаторы, дза ключевых устройства, резисторы, источник напряжения смещения, отличаощийся тем, что, с целью обеспечения пропусхания импульсных последова 1 ельностей в ограниченном интерзале частот следования, ключевые устройства выполнены на транзисторах разного типа проводимости, а точка соединения диода и накопительного конденсатора диодно-конденсаторной цепочки, включенной параллельно ключевым устройствам, подсоединенным параллельно входным и выходным клеммам селектора, подсоединена к базе одного транзистора непосредственно, а к базе другого транзистора, нормально запертого в интервале частот до верхней границы селектпрования, - через резистор.