Запоминающая электроннолучевая трубка

Номер патента: 481083

Опубликовано: 15.08.1975

Автор: Шипер

МПК: H01J 29/41

Метки: запоминающей, мишень, трубки, электроннолучевой

...тИСИИ ЯВЛЯСТСЯ уМСЬ- шснис коэффициента вторичной эмиссии прц облучении электронны пучком в процессе эксплуатации прибора, что приводит к уменьшешпо выходного сигнала, а следовательно, и к умецынецию динамического диапазонаприбора.Причиной этого является диффузия к поверхности подвижных катионов щелочных металлов в электрических полях, образованных локальными зарядами, возникающими па поверхности стекла в процессе облучецця мишеш электронным пучком.Целью изобретения является стабилизация динамического диапазона мишени В процессе эксплуатации прибора. Это достигается тем, что в предлагаемоймишени на поверхность стеклянного диэлектрика нанесена со стороны сканирования пленка фторцда, например фторцстого калил, тол 1 цццой 1 - 2 хю.При...

Номер патента: 451146

Опубликовано: 25.11.1974

Автор: Шипер

МПК: H01J 29/10

Метки: запоминающей, мишень, трубки, электроннолучевой

...у трубок указанноготипа приводит к разрыхлению поверхностив процессе изцотовления прибора, а следовательно, к понижению сопротивления диэлектрического покрытия и увеличения тоЕков утечек, что уменьшает время считывания, особенно при повышенных температурах.Цель изобретения - увеличить времясчитывания информации при повышенныхтемпературах,Для этого межддиэлектрическим пополнительный слой ессе записи диэлектрик мишени очего слоя диэлектрика, привод то потенциал рабочей поверхношени становится равным потенцики 1, т. е. к стиранию запи45 146 Составитель Ц Е,кремова РелактоР О,СтенинаЗа к.з ЙЗ Текрел Н.Ханаева КоРРектоР 1,Ррев ова Иал.ЯД ЦНИИР 1 И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва,...

Номер патента: 587528

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Богаченко, Денбновецкий, Третьяк, Чайковский

МПК: H01J 31/08

Метки: запоминающей, мишень, трубки, электроннолучевой

...стенкидин, и диэлектрик-люминоФор 3.10 Уменьшение площади контакта коллектора 2 с диэлектриком-люминофором 3 (дно.не покрыто люминофором)обеспечивает уменьшение емкости мишени, что.увеличивает скорость записи. Я .Например, при кубической форме впадинплошадь контакта диэлектрика-люминофора 3 а коллектором 2 в мишениуменьшается на 20% по сравнению стем же параметром известной мишени, 30 что обеспечивает увеличение скоростизаписи примерно на 20, так. какудельная емкость мишени прямо пропорциональна площади контакта диэлектрик-люминофора 3 с коллектором 2, а Г скорость записи обратно пропорциональна емкости мишени.Отсутствие пленки коллектора 2 воснованиях впадин, а также выполнение его в виде непрозрачной пленки Ж повышает яркость и...

Номер патента: 568983

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Дегтярев, Самсонов, Толмачев, Турченков, Хорошаев, Чекалин

МПК: H01J 31/58

Метки: запоминающих, положением, размерами, растра, считывания, трубках, электроннолучевых

...рассовмещения положения и изменения размеров растра считывания, соответственно, относительно положения и размеров растра записи на мишени ЗЭЛТ, кроме основного сигнала, подвергающегося преобразованию, записывается контрольно-измерительный сигнал, который формируется электронньвм способом. Зона записи контрольно-измерительного сигнала на мишени ЗЭЛТ располагается вне участков, предназначенных для записи основного (преобразуемого) сигнала. В частности, для указанных зон может быть использована та часть поля растра на мишени, которая соответствует началу и концу строк растра и начальным и конечным строкам растра записи.При считывании сигнал, соответствующий контрольно-измерительному потенциальному рельефу, селектируется и...

Номер патента: 1061191

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Павлюченков, Сапежко

МПК: H01J 31/00

Метки: запоминающей, коррекции, режима, считывания, трубке, электроннолучевой

...получается высоким.Особенностями высокоскоростныхЗЭЛТ с толстой мишенью и удален ным коллектором в режимах неравновесной записи и перезарядного считывания, являются: высокая скоростьсмещения потенциаламишени при еебомбардировке электронным пучком 35 в условиях полного отбора вторичного тока и воэможность, вследствие этого, образования глубокихпотенциальных рельефов даже в наносекундном диапазоне раэверток 20 записи; ослабленная локализацияэлектрического поля зарядного рельефа в пространстве мишень-коллектор; наличие эффекта перераспределения вторичных электронов, вы биваемых из мишени лучом считываниявблизи глубокого потенциальногорельефа, искажение эа счет этогоформы считанных сигналов, и какследствие, возможность появленияошибок...