Запоминающий элемеит
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 267 И 9 Сова СоветскинСоциалистическими Республин Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 12,1.1969 ( 1311523/18-24) Кл, 421 т, 3842 гп 4, 9/ присоедине ем заявкиМПК 6 11 с 11/06 Сз Обд 9/00 УДК 681,327.2(088.8)оритетбликовано Комитет по дела обретении и открытиири Совете МииистровСССР 01,1 Ч,1970, Бю ания описания етень1 Дата опубли ХП,197 Юеесоеэнаа Тантно-технич Ювблмтекя М Авторыизобрете Б, П, Горанский и А. К, Звез Заявите МИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ На чертеже представлены петли ги са предлагаемого запоминающего э для двух случаев:а) при температуре Т меньшей температуры начала переориентации легкой оси намагничивания (порого 1 вой температуры Т,);б) при температуре Т, большей порогавой температуры.Предлагаемый запоминающий элемент представляет собой монокристаллическую пленку из магнитного материала, изменяющего направление легкой оси намагничивания в зависимости от температуры, например, из ортоферрита редкоземельных элементов.Пленка выращена таким образом, что при температуре, меньшей температуры начала переориентации легкой оси Т легкая ось направлена перпендикулярно к подложке.При работе элементов температура подложки поддерживается постоянной и меньшей Т,. Состоянию О элемента соответствует одно из направлений магнитного момента, перпендикулярное к подложке (например, внутрь подложки), Запоминающие элементы помещают в магнитное поле Н которое направлено от подложки и перпендикулярно ей, а величина его меньше коэрцитивной силы, пленкиН, при Т(ТоЗапись состояниизводится лучом стерези- лемента Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в тонкопленочных магнитооптических запоминающих устройствах,Известно выполнение запоминающего элемента (ЗЭ) магнитооптического запоминающего устройства (ЗУ) в виде прозрачной подложки и нанесенной на нее прозрачной пленки, изготовленной из ферромагнитного материала, обладающего температурой компенсации (Т,).Для работы магнитооптического ЗУ на указанных элементах необходимо, чтобы их Т были близки друг другу (допускаемый разброс от элемента к элементу меньше 0,5).Это предъявляет жесткие требования к технологии изготовления магнитной пленки запоминающих элементов, так как небольшие изменения состава материала и наличие дефектов и неоднородностей .приводят к изменению Т При работе такого ЗУ необходимо поддерживать температуру подложки при Т, с точностью менее 0,5, что с трудом реализуется.Для уменьшения требований к точности термостатирования и идентичности, пороговой температуры Т у всех элементов ЗУ предлагается пленку ЗЭ выполнять из ферромагнетика, изменяющего направление легкой оси намагничивания в зависимости от температуры. я 1 в выбранном ЗЭ просвета, интенсивность котора267119 ь Ю. РозенталВ. Куклина Составит ехред Л. Лазарева Гаврилова ррек кт аказ 1889,3 Тираж 4801 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп СоветеМосква, )К, Раугпская наб., д. 4,5 Подписноеипстров СССР Типография, пр. Сапунов го выбирается так, чтобы поглощенная в элементе энергия была достаточна для того, чтобы нагреть ЗЭ до температуры, при которой коэрцитивная сила будет меньше, но при этой температуре ЗЭ перемагнитится и при остывании до температуры Т, (Т, перейдет в состояние 1, Магнитный момент запоминающего элемента направлен по магнитному полю от подложки. Перемагничивание осуществляется локально, именно одного ЗЭ, на который воздействует световой импульс, а магнитное поле является единым для всех элементов, Считывание производится как и в известном магнитооптическом запоминающем элементе, т, е. при помощи эффектов Фарадеяили Керра. Предмет изобретенияЗапоминающий элемент магнитооптического запоминающего устройства, состоящий из прозрачной подложки и нанесенной на нее прозрачной магнитной пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения требований к 10 точности термостатирования и идентичностипороговой температуры у всех элементов запоминающего устройства, пленка изготовлена из ферромагнетика, изменяющего направление легкой оси намагничивания в зависимости 15 от температуры.
СмотретьЗаявка
1311523
Б. П. Горанский, А. К. Звездин, твитно техничесмМ ибдивтека
МПК / Метки
МПК: G11C 11/42
Метки: запоминающий, элемеит
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-267119-zapominayushhijj-ehlemeit.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемеит</a>
Способ измерения скоса легкой оси анизотропии магнитной пленки на цилиндрической подложке
Номер патента: 636564
Опубликовано: 05.12.1978
Авторы: Ильин, Коперсако, Костылев, Сергеев
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, подложке, скоса, цилиндрической
...ось цилиндрической поверх- переходными процессами при разрушающем ности магнитной пленки расположена водействии, при количестве тактов горизонтально и значение записанной 10 -10 начинается переход в насыщеэинфоРмации таково, что на ближнейние, Верхняя граница 10 определяетГ 0 вк наблюдателю поверхности магнитной ся допустимой длительностью цикла,пленки, небольшой участок которой Наиболее оптимальная величина коли- обозначен цифрой 1 (фиг. 1), верти- чества тактов лежит в диапазоне 10кальная составляющая 5 намагниченности направлена вверх. Обозначим угол,Зависимость степени разрушения который составляет легкая ось 3 с от величины импульса внешнего магнит- окружностью 2 нормального сечения ного поля имеет монотонный характер,...
Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации
Номер патента: 375678
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающий, информации, неразрушающим, считыванием, элемент
...1, - амплитуда тока в числовом соленоиде. Предложенный элемент содержит металлический стержень 1 с ферромагнитным покрытием 2, обхваченный числовой обмоткой 3, составленной из двух соленоидов 4 и 5, вклю 5 ченных встречно,Работает запоминающий элемент следующим образом,При наличии угла скоса оси легкого намагничивания р поле тока числового возбужде 10 ния Н, имеет составляющую Н, по оси лего,кого намагничивания (фиг. 2, а и б). Поскольку соленоиды 4 и 5 включены встречно, научастке пленки, обхваченном одним из соленоидов, составляющая Н, содействуетразрушению и перезаписи информации(фиг. 2, а), а на другом участке - препятствует этому процессу (фиг. 2, б).На фиг. 2,в кривая А соответствует характеристике считывания на участке...
Матрица запоминающего устройства
Номер патента: 292191
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Пилипос
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...4. Перпендикулярно проводам отделенные тонким слоем 5 проходят шины 6 поперечного поля, обхватывая проволоки сверху и снизу. Две из этих шин являются шинами единиц и две нулей (т. е. в запоминающих элементах, находящих.ся под этими шинами, во всех словах записаны соответственно единицы и нули).Первоначальная запись информации в эти элементы производится следующим образом. Возбуждается шина единиц, затем на зигзагообразную шину подается импульс напряжения определенной полярности. Это напряжение трансформируется в контур слова за счет взаимоиндукции его плоской части с зигзагообразной шиной, Ток, протекающий по контуру, в результате этого запишет под шиной единиц во всех словах единицы. Аналогично записываются нули.Передача информации в...
Устройство для измерения угла скоса легкой оси анизотропии цилиндрической магнитной пленки
Номер патента: 1061078
Опубликовано: 15.12.1983
МПК: G01R 33/05
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической
...обмоткой, охватывающей подложкуи компенсирующий проводник, а второйвыход соединен с входом второго формирователя импульсов электрическоготока, два параллельных канала, состоящих из последовательно соединенныхдискриминатора и преобразователя импульсных сигналов в постоянное напряжение каждый, включенных между выходом импульсного усилителя и первыми вторым входами вычитающего блокасоответственно, первую и вторую линии задержки, выходы которых подключены к вторым входам соответствующих первого и второго дискриминаторов, а вход первой линии задержки - к второму выходу генератора,и измерительный резистор, дополнительно снабжено третьим формирователем импульсов, вход которого подключен к третьему выходу генератора ик входу второй линии...
Устройство для измерения угла скоса легкой оси анизотропии цилиндрической магнитной пленки
Номер патента: 1173363
Опубликовано: 15.08.1985
Автор: Водеников
МПК: G01R 33/05, G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической
...регулируемый резис-з 55тор 20, последовательно соединенные аналоговый перемножитель 21и масштабирующий блок 22, причем один из входов аналогового перемножителя 21 подключен к выходувторого преобразователя. 17 импульсных сигналов в постоянное напряжение, второй вход аналогового пере- множителя 21 подключен к регулируемому входу балансировочного резистора 3, выход масштабирующего блока 22, соединен с вторым входом блока 15 вычитания, а входы обеих линий .задержки 18 и 19 соедииены с первым выходом генератора10.Устройство работает следующимобразом,Генератор 10 вырабатывает импульсы запуска формирователей 9 и 11 импульсов тока, согласованные во времени, с выхода формирователя 9 импульстока 1 (Фиг,3) постуИпает на подложку 1, намагничивая...
Предыдущий патент: 267118
Следующий патент: Термодатчик
Случайный патент: Способ непрерывной и полунепрерывной разливки металлов