Устройство с двумя устойчивыми состояниями

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 511657

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Христианов, Чернышев

МПК: H02M 3/10

Метки: одноконтактный, стабилизированный

...сигнал поступает на усилитель постоянного тока с транзистором 21который включен переходом коллекторэмиттер между базой регулирующего транзистора 2 и отрицательным полюсом вход"ного выпрямителя.В варианте с широтно-импульсным регулированием транзистор 21 переходом 6 О эмиттер - коллектор подключается междубазой регулируюшего транзистора 2 и точкой соединения туннельного диода 8 с задающим резисторбм 7,Устройство работает следуюшим образом,В первый момент после подачи на входпитающего напряжения через резистор 11и переход база - эмиттер транзистора 2начинает протекать ток, в рвзульвте чегсрегулируюший транзистор 2 насыщается.Одновременно ток протекает через резистордатчик тока 5, По цепочке из диода 6 иэадаюшего резистора 7 начинает...

Номер патента: 211880

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Антоненко, Иванцов, Кудинов, Шаповалов

МПК: H03K 19/10

Метки: логическая, универсальная, ячейка

...инфо в ячейку туннельный диод 1 перейдет ковольтное состояние, транзисторы 3 и дут в насыщение и к приходу тактово пульса будут представлять собой зал ключи, через которые ямпульс тока оуд ходить на выход ячейки 17 и 18, Сброс мации осуществляется путем подачи си ЗО сброса на заиимы 12 или 13.записи, а на са инфор,маключа ются к сигналы ениУниверсальные логические ячейки, содержащие элемент памяти на двух последовательно включенных туннельных диодах и транзисторы считывания, известны, требуют строгих допусков на параметры туннельных диомидов и источников питания.Предлеж енин ая ячейка содержит дополнительные транзисторы сброса, включенные пс схеме с общим эмиттерсм, коллекторы которых соединены вместе и подключены к точке соединения...

Номер патента: 467430

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Жук, Петренко

МПК: H02H 3/20

Метки: защиты, источника, нагрузки, питания, повышения

...цепи транзистора с помощью резистора, подключенного к коллектору, не позволяет создать режим глубокого насыщения,С целью уменьшения падения напряжения на защитном транзисторе в предлагаемом устройстве защитный транзистор включен во вторую шину источника питания коллектором к нагрузке и эмиттером к источнику питания,АГРУЗКИ ОТ ПОВЫШЕНЧНИКА ПИТАНИЯ троиство защ мо зом.При нормальном напряжении источника питания 1 защитный транзистор 3 находится в 5 режиме насыщения с помощью базового тока,протекающего через диод 4 и балластный резистор 6 от источника питания. Ток, протекающий по резистору 9, меньше пикового тока туннельного диода 8, и напряжение на диоде 0 не достаточно для открывания транзистора 5.При увеличении напряжения источника...

Номер патента: 690627

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Никитин, Савкин

МПК: H03K 17/28

Метки: времени, реле

...длиельности выдержки времени и повышения точности при повторном включении, обеспечив при этом упрощение реле, т, е. повышение его надежности,Формула изобретения 40Репе времени, содержащее подключенные квыходу параметрического стабилизатора напря.женин первую и вторую последовательные ВСцепи, выходы которых соединены с эмиттерами первого и второго однопереходных транзисторов соответственно, выходной каскад на ти.ристоре с обмоткой электромагнитного реле в качестве нагрузки, управляющий электрод ти.ристора соединен с первой базой первого одно.переходного транзистора, диод, включенный 50между катодом стабилитрона параметрического стабилизатора напряжения и анодом тиристора ;выходного каскада, резистор, включенный меж.ду...