Способ измерения температур поверхности с переменным коэффициентом излучения

247562 0 Л ИСАЙ ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Соеетских Социалистических Республик.1968 ( 1229585/18-10) влено 01.1 трисоединением заявки1 ПК 6 01 с Приоритет Опубликова Комитет по делам аобретений и открыти при Совете Министров СССРУДК 536.521,2 (088,8 04,Ч 1.19 Бюллетень22 ния 28,Х 1.1969 ата опубликования опиДР П,1 Т."0- гцчт - ., Лвторизобретения А. Н. Барба Заявител СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМ С ПЕРЕМЕННЫМ КОЭффИ АТУР ПОВЕРХНОСТИ ЕНТОМ ИЗЛУЧЕНИЯ источниежим. Нано покрырованный и инфра тролируеверхность емым учаора, откаодключают в рабочийпредварител анее откали интенсивно водят на ко точнее, на п с контролир шкале при Изобретение относится к облйсти йзмерення температуры тел в тех случаях, когда по каким-либо причинам нельзя или нежелательно прибегать к непосредственному контакту чувствительного элемента измерительного прибо. ра с поверхностью контролируемого тела, например при контроле тепловых режимов гладких поверхностей с неодинаковой излучательной способностью.Известен способ контроля нагрева тел, прн котором о температуре контролируемого тела судят по мощности инфракрасного излучения. Такой способ применяется, в частности, при контроле тепловых режимов пленочных радиоэлектронных схем.Недостатком известного способа является то, что измерительный прибор не может быть отградуирован в единицах температуры, так как при одной и той же температуре тела мощность инфракрасного излучения различна в зависимости от излучательной способности разных участков его поверхности. Поэтому приходится прибегать к вычислению температуры по измеренной мощности излучения и известной излучательной способности конкретного участка схемы. Вычисление усложняется нелинейной зависимостью мощности излучения от температуры. Так как при измерениях поверхность пленочной схемы должна быть открытой, а в рабочих условиях она защищена слоем диэлектрика, то тепловой режим при измерении температуры по сравнению с условиями нормальной эксплуатации существенно изменяется,5 Предлагаемыи способ не имеет указанныхнедостатков и отличается от известных тем, что на исследуемую поверхность наносят диэлектрическую пленку, непрозрачную для ин фракрасных лучей, измеряют инфракрасноеизлучение пленки, нагревающейся благодаря контакту с исследуемой поверхностью и по измеренной величине излучения судят о температуре исследуемой поверхности. Это позво ляет получить результаты измерения непосредственно в единицах температуры и приблизить режим измерений к эксплуатационному.По предлагаемому способу измерение температуры заданного участка пленочной схемы 20 производится следующим образом. Исследуемую схему икам питания,и вводятсхему наносят пленку,5 тую слоем смазки. Зарприбор для измерениякрасного излучения намый участок схемы, апленки в зоне контакта0 стком схемы. Затем по247562 Предмет изобретения Составитель В, С. АгаповаТехред А. А. Камышникова Корректор С. М, Сигал Редактор Т. Иванова Заказ 3050/18 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва Ж, Раушская паб., д, 45Типография, пр. Сапунова, 2 3либрованной в единицах температуры, отсчитывают температуру контролируемого участка схемы. Предлагаемый способ дает возможность отображать температурное поле исследуемой схемы на телевизионном экране, фотографии или другом полутоновом изображении со строгим соответствием между температурой како. го-либо участка схемы и ее яркостью на изображении; получать на телевизионном экране (или на другом изображении) линии одинаковой температуры (изотерм) вместо линий одинаковой интенсивности инфракрасного излучения, представляющих незначительный интерес,Способ измерения температур поверхностис переменным коэффициентом излучения с по мощью контроля интенсивности инфракрасного излучения, отличающийся тем, что, с целью получения результатов непосредственно в единицах температуры и приближения режима измерения к эксплуатационному, на исследуе мую поверхность наносят диэлектрическуюпленкунепрозрачную для инфракрасных лучей, измеряют инфракрасное излучение пленки, нагревающейся благодаря контакту с исследуемой поверхностью, и по измеренной ве личине судят о температуре исследуемой поверхности.