Роторно-дисковый асимметричный колонныйэкстрактор

Номер патента: 389809

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гуськов, Степанищев

МПК: B01D 11/04

Метки: экстрактор

...части аппарата имеются отстойные зоны 7, 8 и штуцера для ввода и вывода легкой п тяжелой фаз, соответственно 9, 10, 11, 1 г.Экстрактор работает следующим образом.Легкая фаза через штуцер 9 поступает в спиральный канал 13 двухзаходного винта 6 и далее по всасывающему патрубку 14 в диспергирующее устройство 8, где происходит ее диспергирование и смешение с тяжелой фазой, поступающей из вышележащего двухзаходного винта б по спиральному каналу 15 и всасывающему патрубку 16. После интенсивного смешения и диспергирования, легкая и тяжелая фазы через сужающееся кольцевое сечение 17 смесительно-рециркуляциопной камеры 4 отбрасываются на коагулирующес устройство 5. Г 1 ри этом в расширительной кольцевой части 18 смесптельно-рециркуляционной...

Номер патента: 928756

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Борисов, Ефимова

МПК: C03B 15/00

Метки: вентиляции, вертикального, вытягивания, зон, обслуживания, стекла

...вентиляции работает слеНаружный воздух черезпроейМ поступает в цех, откуда сквозь люки б проходит в шахту машины ВВС 1, охлаждает при этом ленту 5 стекла. Изобретение относится к промышленности строительства и стройматериалов, в частности к производству листового стекла и может быть использовано на стекольных заводах.Известно устройство, предназначенное для регулирования движения воздуха по шахте машины ВВС. С целью улучшения условий эксплуатации, а также повышения качества отжига ленты стекла и производительности устройство снабжено регулируемым аспирационным механизмом, установленным в верхней части шахты по обеим сторонам ленты. Аспирационный механизм состоит из двух пар перфо рированных труб 1 1.Однако для его внедрения...

Номер патента: 610535

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Алиматов, Соколов

МПК: B01D 11/04

Метки: барботажный, многоступенчатый, экстрактор

...имеют прорези 12 в нижней части отвер. стия 13 ца верхних крьипках (фиг.2) для выхода легкой фазы.Работа экстрактора осуществляется следующим образом.Легкая жидкость иэ верхней части отстойной 25 эоны нижележащей секции по газораспределитель. ному насадку поступает внутрь патрубка 3. Тяже. лая жидкость поступает туда же из вышележащей секции по трубке 9 через ее отверстия 10. Количество и размер последних выбирается из расчета обе- ЗО спечекия необходимой производительности нри ус. ловии полного заполнения тяжелой жидкостьо трубки 9 до ее верхнего среза. Верхшй срез трубок 9 поднят над перегородкой 2 что обеспечивает наличие слои тяжелой лоцжости перегородками 2 и га- зэ рантирует полное заполнение ею трубки 9. Во избежание попадания...

Номер патента: 919695

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Резанцев

МПК: B01D 11/02

Метки: роторный, экстрактор

...труб,б с установленными внутри них винтовыми элемен. В 1тами 7, штуцеров 8 и 9 соответственно для3 919695 подвода и вывода тяжелой фазы, штуцеров 10и 1 - для подвода и вывода легкой фазы,Экстрактор работает следующим образом.Твердая фаза непрерывно поступает сверху через штуцер 8, жидкая фаза - снизу через штуцер 10, При вращении ротора в каждой секции образуется турбулизированный двухфаз.ный поток, который захватывается трубами 6 перемешивающего устройства, Под действием давления столба двухфазного потока, усилен ного направленным вращением ротора, захваченный поток перемешается в каналах, образуемых внутренними поверхностями труб 6 и винтовыми элементами 7 от периферии к цент ру, где в объемах обечаек 5 разделяется на 1 з...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...