Индикатор пульта управления

Номер патента: 1284

Опубликовано: 15.09.1924

Автор: Рейфель

МПК: G01J 1/02, G01M 11/00

Метки: источников, помощи, света, силы, сферической, фотометра, шарового

...несколькими контактами для подведения тока и для вольтметра. Неподвикная часть шарового фотометра укреплена к двум вертикальным колонкам ко и т. Эта неподвижная часть шаровой 1 поверхности гг снабжена окном гу,напр., из молочного стекла, освещенность которого измеряется помощью какого-либо известного, не показанного на чертеже, приспособления. К неподвижной части уг, помощью болтов ту, подвешен экран 14. Последний помещается между источником света и окном .гу, для устранения непосредственного действия лучеиспускания на это окно. К верхним концам вертикальной оси 8 и колонок го и ы, помощью гаек, укреплен стол гб с неподвижными электрическими контактами приспособления. В показанном устройстве на столе 9 имеется для каждой лампы ряд...

Номер патента: 654985

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Бродский, Гитерман, Лажинцев

МПК: H01J 61/54

Метки: импульсный, источник, света

...пределах изменять длинушунтирующих проводников, не изменяя линеиных размеров источника света.Шунтирующие проводники могут быть,размещены и вне разрядного промежутка,например, в виде спирали, охватывающейразрядный промежуток, При этом один илинесколько поджигающих проводников расположены внутри указанной спирали симметрично ее оси. 4011 ри размещении шунтирующего проводника по оси разрядного промежутка поджигающие проводники располагают вокругшунтирующего проводника симметричнооси. 451.1 а фиг. 1 схематически изображен импульсный источник света с подсоединенным к нему импульсным источником энергии с расположенным вне разрядного промежутка шунтирующим проводником; на 0фиг. 2 - то же с шунтирующим проводником по оси разрядного...

Номер патента: 124343

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Грендаль, Лазарев, Никитин, Сенилов, Трегуб, Черепивский

МПК: B64D 47/06, G08C 21/00, G08G 5/04

Метки: импульсный, источник, света

...на + и-блока конденсаторов 4.При подаче поджигающего импульса на ксеноновую лампу 6 конденсаторы разряжаются на лампу и происходит мощная световая вспышка. Обмотка 7 управления увеличивает сопротивление дросселя насыщения в начале зарядки и уменьшает в конце зарядки конденсаторов. Этим обеспечивается примерное постоянство зарядного тока и отсечка длительного горения лампы б.При работе на минимальной ступени яркости включается контактор 8 и работает блок конденсаторов 9, который заряжается по обычной схеме удвоения. Переключение блоков конденсаторов осуществляется контактором 10,Поджигающий импульс на лампу б подается с реле 11 интервалов. Реле интервалов имеет магнитный усилитель 12, работающий в автоколебательном режиме.На...

Номер патента: 165829

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Вернер, Иностранцы

МПК: H01J 61/067, H01J 61/80

Метки: импульсный, источник, света

...или высоковакуумного насоса. Ртуть,применяемая в качестве материала катода,помещается сначала вместе с высушивающимсредством в запасной резервуар наполняющей 25аппаратуры, затем удаляется пз него и многократно перегоняется, чтобы по возможностиполностью удалить загрязнения, мешающиенормальной работе лампы, Загрязнения, попавшие в разрядный баллон при изготовлении 30 лампы, разлагаются при нагреве лампы до температуры, которая ниже точки размягчения материала баллона. В качестве материала ано. да можно использовать любой материал, не подверженный воздействию ртути, из которой состоит катод, например вольфрам, молибден или низкоуглеродистое железо. Можно использовать и ртуть, если лампа имеет подходящую форму.Разряд происходит...

Номер патента: 438364

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Павличенко

МПК: H01L 33/00

Метки: диодный, источник, карбтде, кремния, света

...раза выше по сравнению с новыми приборами.Значительный эффект наблюдается у карбидокремниевых светодиодов на эпитаксиальных пленках по величине прямого падения напряжения. При комнатной температуре и при токе в 10 ма оно составляет минимально возможную для карбида кремния величину 2,25 - 2,5 в (весьма близкую к контактной разности потенциалов), причем у основной части приборов (85%) оно равно 2,25 - 2,35 в, Таким образом, у преобладающего большинства приборов разброс значений прямого падения напряжения не превышает 5 О/о (в отношении к его минимальному значению), что по крайней мере в 10 - 15 раз ниже по сравнению с приборами на кристаллах ПМХЗ и ОХМЗ. Значения прямого падения напряжения при этом очень незначительно уменьшаются (до 2,2 -...