Реверсивное реле

Номер патента: 748812

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Гордун, Фролов

МПК: H03K 3/2893

Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной

...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 1001298

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Верлань, Гудименко, Колодеев, Коновалюк, Кривоносов, Передерий, Скачко

МПК: H02H 7/12

Метки: постоянного, самоконтролирующаяся, электропитания

...защиты на узел 10 управления реле готовности поступает сигнал об исправности трак та защиты, в результате чего срабо тает тиристор его оптрона 11 и на первую обмотку 8.1 дистанционного переключателя 8 через размыкающие контакты контактной группы 8.4 и первый резистор 15 пойдет ток, обуславливающий срабатывание дистанционного переключателя, принимающего при этом правое положение. Перебрасывающиеся контакты 83 на время переключения кратковременно разорвут цепь 25 тока тиристоров оптронов 12 и б (ток последнего проходит через размыкающие контакты контактной группы 8.6, базовый резистор 22 и контакты контактной группы 8.3, которые срабатывали в процессе самоконтроля, когда в датчике защиты искусственно создавались условия для его...

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Номер патента: 653735

Опубликовано: 25.03.1979

Автор: Спиричев

МПК: H03K 3/28

Метки: двух, мультивибратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...разного типа провэдимости по авт. св; М 400006, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения скважности и периода формируемых импульсов, в него введены транзистор, конденсатор, резистор и диод, причем коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, соединен с источником тока через базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительные резистор и диод соединен с базой транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и через дополнительный конденсатор со своим эмиттером и с кэнденсатором время- задающей цепи. 07/42 Тираж 1059 Подпис ЦНИИПИ За лиал П 1 П фПатент г, Ужгород, ул, Проектная, 4 На чертеже приведена принципиальная схема мультивибратора,Мультивибратор содержит...