Способ получения селена высокой чистоты
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 220507
Автор: Научно
Текст
220507 О П И С А Н И ЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваКл. 40 а, 61/001115343/22-1) Заявлено 25.Х 1.1 с присоединением заявкиКомитет по де 2 Ь иоритет обретений и открытри Совете МинистреСССР УДК 669,776,412.1970. Бюллетень18 убликовано 26 та опубликования описания 27 Х 111.1970 асимов, Е, Г. БезоЮ, С. Чернозубо материаловедени Авторыизобретения Г ИЛТЕт 17 в, ТЕ 11 Г-, ВИВЛМ 1;. Устюгов, Ю, В. Румянцев, А. Д. ГеВ. А. Агальцов, Е. Н, ВигдоровичНаучно-исследовательский институ аявите ПОСОБ ЛОЛУЧЕНИ именованпримеси одержание примеси, вес.,10 1105.10 5 10 5.1 1.10 Известен способ получения селена высокой чистоты путем его вакуумного рафинирования в тарельчатой колонне непрерывного действия с фракционной конденсацией пара на экранах,Отличие предлагаемого способа состоит в том, что ректификацию проводят при атмосферном давлении в токе инертного газа.Это позволяет повысить эффективность очистки, упростить конструкцию аппаратуры и технологию.Кроме того, для получения чистого продукта в виде гранул затвердевание капель конденсата осуществляют путем стекания их из головки колонны в охлаждаемую негорючую жидкость.Предложенный способ заключается в ректификации технического селена при атмосферном давлении в токе инертного газа. Ректификацию можно проводить как в тарельчаЕЛА ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ тых, так и в насадочных колоннах. Техниче.ский селен загружают в куб колонны в виде порошка или заливают в виде расплава без предварительной обработки. Процесс протекает при следующем температурном режиме.температура куба колонны 700 - 750 С; температура колонны 680 С; температура головки колонны 250 в 3 С.Для получения селена в виде слитков кон денсат из головки колонны стекает в изложницы необходимой формы. Для получения гранул конденсат стекает из головки колонны в водоохлаждаемый цилиндрический приемник, заполненный негорючей и инертной по от ношению к селену жидкостью (химически чистый четыреххлористый углерод, деионированная вода и т. д.).Результаты ректификации технического селена (99,5 О/о) приведены в таблице:0220507 о о Предмет изобретения Составитель И, Алукер Тек рсд Л. В. Куклина Корректор И. С. Хлыстова Редактор Н. Корпснко Заказ 23174 Тиране 480 Подписное11 НИИ 1111 Когиитста по деиатп изобретении и открытий при Совстс Министров ССС 1 а Москва, гК, Рауиская пао., д. 4,5 Типографии, пр. Сапунова, 2 Содержание селена за вычетом суммы примесей соответствует 99,9 о 95%. 1, Способ получеш 1 я селеиа высокой чистоты путем его ректифпкации, оглияаюи 1 иися тем, что, с целью повьпнепия эффективности очистки, упрощения конструкции аппаратуры и технологии, ректнфикацп 1 о проводят при атмосферном давлении в токе инертного газа.2, Способ по п. 1, огличаюи 1 ийся тем, что, 5 с целью получения чистого продукта в видегранул, осуществляют затвердевание капель конденсата путем стекания ик из головки колонны в охлакдаемую пегорючую жидкость.
СмотретьЗаявка
1115343
Научно исследовательский институт материаловедени КМБЛйОТЕ
МПК / Метки
МПК: C22B 61/00
Метки: высокой, селена, чистоты
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-220507-sposob-polucheniya-selena-vysokojj-chistoty.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения селена высокой чистоты</a>
Шихта для получения периклаза высокой чистоты
Номер патента: 562510
Опубликовано: 25.06.1977
Авторы: Ганюченко, Миловидова, Неженцев, Петров, Полонский, Шкулько
МПК: C01F 5/02, C04B 35/04, C04B 35/653
Метки: высокой, периклаза, чистоты, шихта
...- выкипание ванны - соответствует полному прекращению нагрева и плавки.Температуру расплава можно поддержатьниже температуры кипения, если в расплав 15постоянно вводить шихту. Трудность состоитв том, что аморфная окись магния - высокодисперсный материал, поэтому она легкоепекается с образованием прочного своданад расплавом. Образованию свопа способствует также конденсация паров расплаваокиси. Свод препятствует сходу шихты врасплав и служит экраном тепловому излучению, что ускоряет испарение остатковжидкости, 25Цель изобретения - предотвращениевыкипания расплава окисла и обеспечениенепрерывного процесса получения периклаза высокой чистоты,Это доститается тем, что шихта на основе аморфной окиси магния содержит добавку, по крайней мере,...
Способ получения воды высокой чистоты
Номер патента: 406804
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Буравлев
...троды подают напряжетричсской емкости 0,2щийся пар кондепсирулученной воды (кондеостаток 2 мг/л,Известен способ получения воды высокой чистоты путем ее нагрева и испарения искровыми разрядами, возникающими между электродами. Однако по указанному способу нагреву и испарению подвергают весь объем опреснясмой воды, при этом пузырьками образующегося пара уносятся капли соленой воды, го снижает качество опресняемой воды. Для понижения солесодержания необходимо проводить ее многократную перегонку, что усложняет технологическую схему и повышает стоимость опресняемой воды. Предмет из извест- дверга- виис- кользязволяет оду выием не тличается от испарению по причем нагре разрядом, с сти. Это по ке получить в солесодержанСпособ полу20 путем ее...
Способ получения индия высокой чистоты
Номер патента: 1490998
Опубликовано: 20.02.2000
Авторы: Волков, Дмитриев, Маковей, Смирнов
МПК: C22B 58/00
Метки: высокой, индия, чистоты
Способ получения индия высокой чистоты, включающий синтез низшего галогенида, его ректификацию, последующее диспропорционирование низшего галогенида индия с получением индиевой губки и расплавление индиевой губки под слоем растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты и выхода металла, в качестве растворителя при расплавлении используют эвтектические смеси моногалогенидов индия.
Способ получения диэтилцинка высокой чистоты
Номер патента: 1775403
Опубликовано: 15.11.1992
Авторы: Гордеев, Данов, Еремеев, Сахипов
МПК: C07F 3/06
Метки: высокой, диэтилцинка, чистоты
...других алкилцинкгалогенидов и диалкилпроизводных цинка, Наряду с этилцинкгалогенидами и диэтилцинком в качестве одного из компонентов стимулирующей системы могут использоваться также другие представители классов алкилцинкгалогенидов, диалкильных производных цинка и некоторых других элементорганических соединений, например, лития, магния, алюминия,кадмия. Вместо или совместно с иодидоммедимогут применяться и другие галогениды медиили , Процесс ведут безрастворителя, но растворители (инертные5 по отношению к цинкорганическим соединениям) также могут использоваться. П редлагаемый способ получения диэтилцинкаимеет следующие технико-экономическиепреимущества:10 Позволяет исключить неконтролируемый по продолжительности...
Баллон для хранения жидкостей или сжиженных газов под давлением
Номер патента: 27066
Опубликовано: 31.07.1932
Автор: Кудин
МПК: F17C 1/00
Метки: баллон, газов, давлением, жидкостей, сжиженных, хранения
...к баллонам для хранения жидкостей или сжиженных газов под давлением; с применением коленчатых газоотводиых трубок.В предлагаемом баллоне, коленчатая газоотводная трубка выполнена в виде О-образной трубки, короткое колено которой вставлено поворотно в центральную трубку и снабжено шаровым под: пятником для установки в пяту в центре дна,баллона, а длинное колено, распояоженное около стенки баллона, поддерживается серьгой.и имеет по.концам отверстия, которые перекрываются, в зависимости от положения баллона, подвижными, связанными между собою муфтами.На чертеже фиг. 1, изображает про-. .дольный разрез баллона для хранения жидкостей или . сжижейных газов под давлением; фиг.,2 - поперечный разрез баллона", фиг. 3 - вид муфты с торца; ,фиг. 4...
Предыдущий патент: Способ непрерывного выщелачивани оловянных концентратов jvjr 0: lt;: “; 5тпв•. u. i. 4 ••-. -) “м
Следующий патент: 220511
Случайный патент: Способ регулирования режимов бурения