Полупроводниковый термодатчик

Номер патента: 912065

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Зигфрид, Хорст

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

...маскирующем покрытии.1 я П р и м е р, На кремниевой подложке 1(фиг, 1) с эпитаксиальной пленкой 2 наносятпервое диэлектричесКое покрытие 3, напримериз двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм,Затем проводят вскрытие всех окон 4 яц (фиг, 2) методом фотолитографии дпя созда.ния областей базы, областей управления базойи областей подключения базовых областей, т.е.инжекторы, вторичные инжекторы. Далее про.водят легирование примесью р-типа, например 2 Ь бором 5 .(фиг. 3) методом диффузии или1 Н 1 И 111 :Мкад 1 379/54 Гираж 758 одпигное 1 фичнаи 11 ПЦ "1 Ьфсни", г. Ужгород, ул. Проектная,з 9120ионного легирования, создавая области Р 1, Р 2и РЗ, оследующим окислением выращиваютокиссл 6 в окнах толщиной порядка 0,1 мкм,вновь наносят изолирующее...

Номер патента: 1774274

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Геокчаев, Зарукин

МПК: G01R 15/02, G01R 27/00

Метки: высоковольтного, делителя, плеча, резистор

...резистора 12 через пятую контактную площадку соединен с контактом 1 для подключения к источнику напряжения, другой вывод второго вспомогательного резистора через шестую контактную площадку соединен с контактом 11, Резистор выполнен в виде спиралевидной дорожки так, что шири 15 20 25 30 35 40 45 50 на дорожки вспомогательного резистора выбрана больше ширины дорожки резистора, а середины дорожек вспомогательного резистора и резистора расположены друг над другом.Нумерация и конструктивные связи устройства по фиг. 3 аналогичны нумерации и конструктивным связям устройства по фиг.1, отличием является наличие полных сопротивлений 16, обусловленное наличием объемного распределенного сопротивления первого изолирующего слоя 7...

Номер патента: 687399

Опубликовано: 25.09.1979

Авторы: Вишняков, Поливанов

МПК: G01R 17/10

Метки: балансировки, диодных, мостовых, схем

...6 и амплитуды Е и Е . Периодповторения импульсов равен Т. Выходное1 О напряжение О ,мостовой схемы"вых215 юа +.б ьгде Ца - прямое падение найряжения на диодах 3 и 4;К,Чь - сопротивление резисторов205 и 6,Из соотношения следует, что балансНа фиг. 1 представлена диодная мос- схемы (Оы=О ) может быть устатовая резистивная схема, пример реа- новлен как раздельной регулировкой амплизации предложенного способа; на фиг.2 литуд импульсов Е и Етак играфически показана возможная форма 25 регулировкой их длительности 1 исигнала генератора; на фиг, 3 - диодная Представленная на фиг. 3 резистивмостовая резистивно-емкостная схема, Но-емкостная диодная схема может исДиодная мостовая резистивная схема пользоваться для включения емкостных(см. фиг. 1)...

Номер патента: 1173497

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Гречко, Озерянский, Павленко

МПК: H02M 1/08

Метки: импульсов, инвертора, мостового, плечом, транзисторным, управляющих, фазного, формирования

...вырабатывают второй исходный периодический сигнал, сдвинутый относительно первого на время(фиг. и), по которому формируютвторые основную и вспомогательныепары противофазных управляющих импульсов, Вторая основная пара противофазных управляющих импульсов приве"дена на фиг.1 м 1 н, а вторая вспомогательная пара повторяет по формеданные кривые.1Суммируют первую и вторую основные пары противофазных управляющихимпульсов, а именно суммируют кривые,показанные на фиг. к и м, а такжепоказанные на фиг.1 л и н. Результирующие напряжения приведены нафиг.1 о, п, и предназначены для переходов база в . эмиттер анодного икатодного транзисторов. При этом,при"нимаем, что положительные полуволнырезультирующих напряжений формируютотпирающий сигнал и...

Номер патента: 448485

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Васильев, Корженевский, Миронов

МПК: H01C 17/00

Метки: коэффициенту, разбраковки, резисторов, сопротивления, температурному

...второго замера устройством 6 подключаются контакты 3.На плече 7 устанавливается номинальное значение сопротивления испытываемых резисторов. При первом замере сопротивление плеча 8 равно некоторому значению Яо,Число и разрядов плеча 9 зависит от необходимой точности измерения ТКС резисторов и от заданного максимального диапазона отклонений сопротивлений испытываемых резисторов от Я номинального.Информация, записанная в блок памяти 15, продвигается синхронно с движением транспортера импульсами продвижения от синхронизатора 19. Число циклов продвижения т определяется числом позиций транспортировки испытываемого резистора от позиции первого замера до позиции второго замера.Испытываемый резистор 1 подается транспортирующим механизмом на...