Амплитудный модулятор на полупроводниковыхдиодах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоеетскитоциалистичесииРеспублин ЕТЕЛЬСТВУ ВТОР СКОМ льствамое от авт. свиде 3394/26-9) 966 ( 1 заявлен присоединением заявки Приорит Комитет ло деламаоОретеииЯ и открытиЯори Сосете МииистроеСССР 88.8) летень3 Опубликовано 29.ХН.19 сания 12.Ш,19 Да ликования оп Авторы изобретения П. Жукауска сюл и И. Заявитель МПЛ И ТУД Н ЫЙ МОДУЛЯТ Известны мостовые схемы на полупроводниковых диодах. Известны также схемы параметрических амплитудных модуляторов, выполненных в виде управляемых модулирующим сигналом делителей напряжения.Предлагаемый амплитудный модулятор на полупроводниковых диодах содержит два диодных моста, соединенных последовательно для модулируемого колебания и параллельно для модулирующего. Через мосты пропускается ток от постоянного источника напряжения, посредством которого выбирается начальная рабочая точка устройства, Благодаря применению двух диодных мостов постоянная составляющая на выход устройства не поступает.Вследствие внутренней компенсации постоянной составляющей начальная рабочая точка практически независима от уровня подводимых модулирующего и модулируемого напряжений, Введение начального смещения диодов позволяет осуществить модуляцию при малых значениях напряжений (порядка десятков и сотен милливольт) и получить малые искажения модулированного колебания.Принципиальная схема амплитудного модулятора представлена на чертеже,Основными элементами модулятора являются диодные мостики 1 и 2. Через сопротивления 3 и 4 на диодные мостики поНА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХДАХ дается положительное напряжение. Этим напряжением подбирается рабочая точка диодов, В точку 5 через конденсатор б поступает модулируемое напряжение, которое распределяется поровну на каждый из мостиков.Амплитуда модулируемого напряжения вточке 7 наполовину меньше, чем в точке 5, Индуктивности 8, 9, 10 и 11 имеют большое сопротивление для модулируемого сигнала и небольшое - для модулирующего сигнала,Модулирующее напряжение поступает наточки 12, И в противофазе. В тот момент, когда в точке 14 амплитуда модулирующего на.пряжения положительной полярности, в точке 5 15 она будет равна амплитуде модулирующегонапряжения в точке 14, но с отрицательной полярностью по отношению к напряжению между точками 5 и 1 б диодного мостика и земли. Постоянная составляющая напряжения 20 в точке 1 б из-за противофазных напряженийв точках 14 и 15 диодного мостика не изменится по сравнению с исходным состоянием.Сопротивление мостика по диагонали 5 и 1 б изменится, так как изменится ток, проходя щий чсрез диоды, а вольтамперные характеристики диодов нелинейные. При соответствующей рабочей точке для небольших амплитуд модулирующего сигнала сопротивления диодов будут меняться по закону модулирую щего сигнала. Второй мостик работает аналоТираж 530 Подписное та по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Заказ 196/ ЦНИИПИ ография,гично, но на вход модулирующего сигнала модулирующее напряжение поступает в противофазе по сравнению с напряжением, поступающим на вход модулирующего сигнала первого диодного мостика. Модулированный сигнал снимается с точки 7 через конденсатор 17,Предмет изобретенияАмплитудный модулятор на полупроводниковых диодах, состоящий из двух диодных мостов и развязывающих цепочек на элементах Я и С, отличающийся тем, что, с целью получения глубокой амплитудной модуляции при малых амплитудах модулирующего напряжения и уменьшения нелинейных искажений 5 в цепь источника несущей частоты, оба моставключены последовательно своими диагоналями с разноименными полюсами диодов, причем выходной сигнал снимается с общей точки обоих мостов, а модулирующее напряжение 10 подведено к диагоналям с одноименными полюсами диодов каждого из мостов со сдвигом по фазе на 180.
СмотретьЗаявка
1073394
К. П. Жукаускас, И. И. Масюлис
МПК / Метки
МПК: H03C 1/14
Метки: амплитудный, модулятор, полупроводниковыхдиодах
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-208004-amplitudnyjj-modulyator-na-poluprovodnikovykhdiodakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Амплитудный модулятор на полупроводниковыхдиодах</a>
Предыдущий патент: Способ преобразования сопротивления датчика в функцию частоты
Следующий патент: Радиоприемник с магнитной антенной
Случайный патент: Ограничитель грузового момента погрузчика-манипулятора