Низкочастотный мультивибратор

ОП ИСАН И Еизоьеятенияк Автоескомь свидетельствь Свез Соеетокиа Социалиотичеокик Реопублик,1966 ( 1079384(26-9 1 ат, 36/ аявлено с присоединением ваяв Зк П иоритет Комитет по делам изооретеиий и открыти при Совете й 1 иииетроз СССРОпубликов Дата опуб но 22,Х 11.1967. Бюллетеньикования описания 25.1 Х ДК 621,373.431.969 Авторизобретен А. В. Ярыгин Заявитель ИЗКОЧАСТОТНЫЙ МУЛЬТИ ВИБРАТО Последовательно с сопротивлениями 11 и 12нагрузки эмиттерных повторителей включенытуннельные диоды 18 и 14, соединяющиеся через ограничительные сопротивления 15 и 1 б5 с базами противолежащих транзисторов 1 и2. К эмиттерам повторителей 7 и 8 через сопротивления 8 и 4, емкости 5 и б и коммутирующие диоды 17 и 18 подключен выход 19внешнего генератора импульсов,10 Работа,мультивибратора происходит следующим образом. Допустим, что транзистор 1открыт, транзистор 7 закрыт, диод 9 находится в проводящем состоянии, Соответственно транзисторы 8 и 2 и диод 10 находятся в15 противоположных состояниях. Через диоды17 и 13 проходит импульсный ток, но величина его недостаточна чтобы переключить рабочую точку на диффузионную ветвь вольтамперной характеристики, Кроме того, ввиду20 низкого динамического сопротивления диодана туннельной ветви прохождение импульсаот внешнего источника на базу транзистора 2со стороны диода 18 практически исключено,Рабочая точка диода 14 находится .на диффу 25 зионной ветви, напряжение на нем максимально и обеспечивает режим насыщения транзистора 1,Формирование, плоской части импульсовпроисходит так же, как и в обычном мульти 30 вибраторе. Процесс опрокидывания отличаетВ известных транзисторных мультивибраторах, содержащих эмиттерные повторители, для получения импульсов большой длительности применяют электролитические конденсаторы, температурная и временная нестабильность параметров которых очень велика,Предлагаемый низкочастотный мультивибратор позволяет исключить указанный недостаток и отличается от известных тем, что последовательно с сопротивлениями нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды, которые через ограничительные сопротивления перекрестно подключены к базам транзисторов мультивибратора, Выход внешнего генератора импульсов, через дифференцирующую цепь и коммутирующие диоды подключен к эмиттерным электродам эмиттерных повторителей, Указанное отличие позволяет увеличить верхний предел зремязадающего сопротивления и обеспечивает получение импульсов большой длительности.Принципиальная схема мультивибратора представлена на чертеже.Мультивибратор собран на транзисторах 1 и 2. Времязадающими элементами являются сопротивления 8 и 4 и емкости 5 и б. Эти емкости подключены:к коллекторам транзисторов 1 и 2 через эмиттерные повторители 7 и 8. Диоды 9 и 10 уменьшают влияние температурного дрейфа обратного тока коллектора. Взамен ранее изданного207252207252 Предмет изобретения Составитель Л. Рубинчик Текред Л. К, МаловаРедактор Е, Хаскелис Заказ 253/2 Тираж 530 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типографии, пр. Сапунова, 2 ся тем, что в нем участвуют вторая цепь обратной связи: туннельный диод 13, ограничительное сопротивление 15 и туннельныи диод 14, сопротивление 1 б. Толчком для начала лавинообразного процесса служит импульс от внешнего источника напряжения, появляющийся на базе закрытого транзистора 2, когда емкость б разрядиться настолько, что диод 10 начнет проводить ток, Верхний предел время- задающих сопротивлений 3 и 4 ограничивается обратным током диодов 9 и 10. Так для диодов типа Ддрейф обратного тока в диапазоне температур от 0 до +40 С и напряжений в несколько вольт не превышает 1 О ва. Если считать, что этот ток не должен составлять более 1 - 2 а/о от разрядного, то векЪичина сопротивлений 3 и 4 может быть выбрана в области единиц мегом, т. е. на два порядка больше, чем в обычной схеме мультивибратора,Низкочастотный мультивибратор на транзисторах, в котором времязадающие емкости Б подключены к коллекторам транзисторов через эмиттерные повторители, а последовательно с базами транзисторов включены полупроводниковые диоды, отличающийся тем, что, с целью увеличения верхнего предела времяза дающего сопротивления, последовательно ссопротивлениями нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды, которые через ограничительные сопротивления перекрестно подключены к базам транзисторов 15 мультивибратора, а к эмиттерным электродамэмиттерных повторителей через дифференцирующую цепь и коммутирующие диоды подключен выход внешнего генератора импульсов.20