Устройство для горячего литья керамическихдеталей

Номер патента: 706015

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Вернер, Герд

МПК: B29H 17/12

Метки: диафрагма, пневматических, покрышек, сборки, устройству, шин, эластичная

...в виде спиралей.На фиг.1 изображена эластичная диафрагма; на фиг. 2 - эластичная оболочка с армирующимн элементами,Предлагаемая эластичная диафрагма выполнена в виде замкнутой кольцевой эластичной оболочки 1 с Т-образным ребром 2 для ее закрепления на устройстве 3 для сборки покрышек пневматических шин. Эластичная оболочка 1 снабжена армирующимн элементами 4, расположенными в плоскости, перпендикулярной оси оболочки 1, ,на расстоянии один от другого равном, по меньшей мере, толщине армирующего элемента 4. Армирующие элементы выполнены в виде колец или в виде спиралей.Работа эластичной диафрагмй заключается в следующем. В эластичную оболочку подают рабочий агент, например, сжатый воздух. Под действием сжатого воздуха...

Номер патента: 749919

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Апциаури, Сигуа, Сукиашвили

МПК: C22B 1/14

Метки: агломерационную, возврата, горячего, дозирования, шихту

...свойств возврата, Кроме того, не учитывается температура возврата, как фактор, характеризующий процесс спекания, и нарушается непрерывность дозирования возврата в агломерационную шихту.Цель изобретения - увеличение выхода годного агломерата за счет повышения эффективности дозирования возврата в шихту, путем стабилизации температуры смеси после первичного смешивания.Это достигается путем балансирования расхода горячего возврата в шихту с уче-том количества шихты и температуры шихты и возврата,Действительно, при увеличении выхода возврата температура смеси возврата.1749919 3с шихтой при прочих равных факторах по-,вышается и наоборот. Необходимо такжеучитывать изменения расхода шихты и:при изменениях температуры возврата ишихты....

Номер патента: 252905

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Самойлов, Черноиванова

МПК: C04B 33/02

Метки: горячего, керамических, литья, шликера

...ГО ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ШЛИКЕРА ДЛЯ ГО ЛИТЬЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИ ах 4 - 6 мг КОН/г. По окончании окисленияарафин подают на смешение с минеральныморошком по обычной технологии,Способ получен литья керамическ 0 минерального пор рафином, отличаю вышения литейной варительно частич характеризующего 5 4 - 6 мг КОН/г.горячего смешения енным пацелью пофин пред- состояния,числом икера для елий путем с расплавл тем, что, с бности, пар исляют до кислотным ия ш их из ошка и 1 ийс снос но о Известен способ получения шликера для горячего литья керамических изделий, заключающийся в смешении минерального порошка с расплавленным парафином.Предлагаемый способ позволяет повысить литейную способность шликера. Это достигается тем, что парафин предварительно...

Номер патента: 485995

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Пузырев, Шапиро

МПК: C04B 33/28

Метки: горячего, керамических, литья, шликера

...окислы переменной валентности, предварительно обрабатывают притемпературе 300 - 1300 С в восстановительной атмосфере.Изобретение осуществляется следующимобразом.Шликер готовят из минерального порошка,например, состава, вес. о/о. А 1 аОз 91; МпА 1 з 045,2; МпСг 04 0,8; БОг 3. Порошок в своемсоставе содержит окислы переменной валентности - МпО, Сг,О,. До введения в порошокорганической связки его подвергают тепловойобработке до 1050 С (с выдержкой при конечной температуре в течение часа) в восстановительной атмосфере (сухой форми газ при соотношении Нз: Хе=2: 2). В предварительно обработапнь 1 й минеральный порошок добавляют 12 о/о расплавленной органической связки (11 вес. /о парафина +0,5 вес, о/о 5 воска 0,5 вес." олецновой кислоты)...

Номер патента: 368614

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Конюхов

МПК: G06G 7/163, G06G 9/00

Метки: перемножения, сигналов, электрических

...У, и У, (или ток1 1,) поступают на измерительные механизмы, осущестьляя отклонение их подвижных20 частей иа некоторый утоп, а вместе с ними изеркал, Это вызовет перемещение узких световых лучей, сформированных осветителем ирегулируемыми диафрагмами, по фоторезисторному слою фоторезисторов.25 При перемещении световых лучей по фоторезисторам их сопротивление изменяется пофункциональной зависимости, определяемойпрофилем регулируемой диафрагмы.Ток 1, протекающий через фоторезистор 3,30 зависит от суммарной проводимости д фото368614 а, =1(У,),1= С(У,),ио оставитель Т. Озерова Техред федото Редакт орректор Б. Луковцева ачев Заказ 1011/1 Изд.275 Тираж 547 ПодпнсноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС...