Датчик температурь
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 197223
Авторы: Кривоносое, Локощенко, Русланов
Текст
ОП И САН ИИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихоциалистическихРеспублик АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ависимое от авт, св тельства1062093/26-10 Кл, 421, 8/О Заявлено 18 111.1966присоединением заяв МПК б 011 с риоритетпубликовано 31,71.1967. БюллетеньКавтитвт по делов изобретений и открытий при Совете Мииистрав СССРДК 536.53208 исания 25.И 1.19 Дата опубликовани Авторыизобретения А. ланов, А, И, Русланов и А, М, Локощенк ривоиосов, В. 3 аязител АТЧИК ТЕМ ТУ 2 ржащии полупро. ьный элемент, от. с целью расширеания, увеличения ия инерционно- выполнен в виде например, на осДат водник ливию ния во чувств сти, чу тонкоп нове о чик температуры, соде овый термочувствител и 1 ийся тем, что в нем, зможностей использов тельности и уменьше вствительпый элемент леночного негистора, киси ниобия,Существуют различные датчики температуры, в том числе с использованием в качествечувствительных элементов р в г-переходов полупроводниковых диодов и триодов на основе германия. 5Применяемым термодатчикам, в той илииной мере решающим технические задачи термометрии, присущи отдельные недостатки, кчислу которых относятся значительная инерционность, сравнительно большие размеры, а 10также необходимость схемных усложнений вустройствах преобразования температуры впараметры электрического сигнала,Предложенный датчик температуры отличается ог извсстных тем, что в нем в качестве 15чувствительного элемента используется топкопленочный негистор, например, на основе окиси ниобия, обладающий симметричной устойчивой по току вольтамперной характеристикойс выраженными участками с отрицательным 20дифференциальным сопротивлением.Повышение температуры окружающей среды приводит к уменьшению участка вольтамперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением и полному 25пропаданию его при температуре 100 - 130 С,при этом уменьшение напряжения на негисторе в открытом состоянии достигает (Осс от напряжения переключения.Малые габариты улучшают динамические свойства датчика, а симметричная вольтамперная характеристика с участками с отрицательным дифференциальным сопротивлением расширяет возможности применения его в чувствительных и преобразовательных схемах.Пленочная технология и малый уровень рабочих напряжений и токов облегчают возможности согласования негисторов с другими схем- ными элементами аналогичного исполнения,На чертеже представлена схема включения предложенного датчика, где обозначено: 1 - негистор, 2 - нагрузка, 3 - источник постоянного напряжения,Предмет изобретени197223 Составитель И. И. ДубсоиТехред Л, Я. Бриккер Корректоры: Н, В, Черетаевйи Л. В. Наделяева Редактор Н, С, Коган Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 2183/10 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова д. 4
СмотретьЗаявка
1062093
А. И. Кривоносое, В. И. Русланов, А. И. Русланов, А. М. Локощенко
МПК / Метки
МПК: G01K 7/16
Метки: датчик, температур
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-197223-datchik-temperatur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик температурь</a>
Устройство для автоматического регулирования температуры электропечи сопротивления
Номер патента: 327454
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Захаров
МПК: F27D 19/00, G05D 23/00
Метки: сопротивления, температуры, электропечи
...минймум б и максимум 7 и реостатным задатчиком 8, дополнотельного двухсту 5 пенчатого за)датчиска 9, состоящего из реостатных задатчиков 10 н 11, и двух дополнительных реле 12 н 13. Реостапный задатчик 8 подключен к сети лостоянного тока через контакты 14 и 15 реле 12 и 13 соотвепственно, обмот 10 юи которых подсоединены к сети через контакты б и 7 позиционсного регулястора. Обмоткауправления 3 подключена к задатчику 8, а обмопка управления 4 через тсонтакты 1 б и 11реле 12 и 13 соопветственно и задатчикам 1015 и 11,Успройспво работает следующим образом.Принизкой темпесратуре контакт б замюнут,задаспчик 8 и обмотка 3 обесточены, а обмотка 4 подключена к загдатчику 11, положением20 двсижка которого задаепся 1 нужная мощносстьразогрева....
Устройство для получения отрицательных сопротивлений
Номер патента: 1184073
Опубликовано: 07.10.1985
Автор: Обод
МПК: H03H 11/52
Метки: отрицательных, сопротивлений
...сопротивлений содержит биполярный 1 и полевой 2 транзисторыпервый 3, второй 4 и третий 5 резисторы.Устройство для получения отрицательных сопротивлений работает сле"дующим образом.В исходном состоянии напряжениена входе таково, что биполярный 1и полевой 2 транзисторы заперты.При увеличении напряжения на входев определенный момент времени (когданапряжение на входе начинает превышать напряжение на резисторе 4,т.е. на затворе полевого транзистора 2 с учетом напряжения отсечки)биполярный 1 и полевой 2 транзисторыначинают открываться и работаютв активном режиме.Появление участка .с отрицательным сопротивлением обусловлено тЕм,что при возрастании входного токарастет ток коллектора биполярноготранзистора 1 умеш шается напряжение на...
Устройство с отрицательным сопротивлением
Номер патента: 1830184
Опубликовано: 23.07.1993
Автор: Прокопенко
МПК: H03H 11/52
Метки: отрицательным, сопротивлением
...10,5 а токи коллектора транзисторов 2 и 4 равны половине тока 102 первого источника тока 9,Пусть между выходами "а" и "б" предложенного устройства протекает некоторый"О тОК 1 эб (СМ. фИГ.2), Этот тОК ДЕЛИТСЯ В ТОЧКЕ"а" наток 11, втекающий в эмиттер транзистора 3 и поступающий далее в точку "б", иток 2, протекающий в цепи транзистора 4,8 соответствии с первым законом Кирхгофа:151 аб =11+ 12,Согласно второму закону Кирхгофасуммы база-эмиттерных напряжений в 20 замкнутых контурах, образованных базаэмиттерными переходами транзисторов 2, 4, 3, 5, а также транзисторов 2, 4, 6, 7, равны нулю;Обэ 2 Обэ 4 Обэз + Обэб = О;(2)Об 2 - Обэ 4+ Об 6 - Об 7 = О.Выражая база-эмиттерные напряжения ЗО транзисторов через их эмиттерные токи спомощью...
Устройство с регулируемым отрицательным сопротивлением
Номер патента: 1658373
Опубликовано: 23.06.1991
Авторы: Зайцев, Молотков, Садовский
МПК: H03F 3/16
Метки: отрицательным, регулируемым, сопротивлением
...половине тока, протекающего через резистор 8. Увеличение напряжения на выводах 2, 3 приводит к тому, что второй биполярный транзистор 7 закрывается, а первый биполярный транзистор 6 открывается коллекторный ток его растет, как растет по модулю ток через устройство с регулируемым отрицательным сопротивлением. Рост тока происходит до тех пор, пока ток через первый биполярный транзистор 6 не станет равным току через резистор 8, т.е. второй биполярный транзистор 7 полностью закрыт,При дальнейшем увеличении напряжения на выводах 2, 3 ток через устройство с регулируемым отрицательным сопротивлением не меняется, но пробоя коллекторного перехода не происходит вплоть до напряжения 01, определяемого напряжением пробоя первого диода 4. При...
Устройство с отрицательным сопротивлением
Номер патента: 1822509
Опубликовано: 15.06.1993
Автор: Прокопенко
МПК: H03H 11/52
Метки: отрицательным, сопротивлением
...- Обэб=Обэ 52 - Обэ 42. (8) Выразим в выражениях (5) - (8) баэаэмиттерные напряжения через эмиттерные токи транзисторов. Иэ (5) получим: 11 о - + 11 о -1 Э Ь + 1 ь 1 д9) 1 о 1 о 1 о - 1 1 о + 12 14 Ь 12 1 э ЬВ 1 о 2 1 о 2 1 о - 1 1 о 2 э 2 р 1 о --- 11 о - =р 1 о ЬЭ Ь - т - . (10)р 1 о 1 о оь14 + 141 Р 1 о1 Ьт Ь - . (11) 11 о 1 ь 1 о - 1 о 1 оро ф 42+ь 1 о - 1 о 1 Ь 2 - Ь 1 + 1 Ь 1 эь 152 1 э 42 В выражениях (9)-(12) у 22 - температурный потенциал, 151, 152. 153 15 б 157, агав обратные токи база-эмиттерных переходов транзисторов 1, 2, 3, 6, 7, 8; 1541, 1542,551, 1552 - обратные токи база-эмиттерных переходов соответственно первого и второго эмиттеров транзисторов 4 и 5. Вследствие идентичности транзисторов 1, 6. 3 и 2, а также 4 и 8,...
Предыдущий патент: Устройство для исследования распределения температуры воды в море
Следующий патент: Инфракрасный радиационный термометр
Случайный патент: Ведущий мост транспортного средства