195068

Номер патента: 909579

Опубликовано: 28.02.1982

Автор: Сажаев

МПК: G01F 23/14

Метки: закрытом, кристаллизаторе, металла, уровня

...сжатого воздуха.Устройство работает следующимобразом.Перед началом работы открываютклапан 14. Сжатый газ при этом вКристаллизатор не поступает, таккак дроссель 6 закрыт заслонкой 7которая закрывает его под.действиемвеса поплавка 9. После этого поднимают стопор 16 и жидкий металл наФчинает поступать в кристаллизатор 1.Давление газа внутри кристаллизатора равно при этом атмосферному, таккак полость его сообщается с атмосферой через постоянно. открытыйпневмодроссель 5. фметалла в кристаллизатор прекращается и в нем устанавливается постоянный уровень. Этот момент определяется по показаниям расходомера 13 газа, который в этот момент показывает постоянный расход, который соответствует установившемуся значению пневмосопротивления 6. После этого...

Номер патента: 1440651

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Афанасьев, Уполовников, Шапиро

МПК: B23K 31/04, B23K 37/02

Метки: дисковых, заготовок, методом, нагревом, пайки, паяемых, пил, пластинами, режущими, сопротивления, элементов

...изолирующую прокладку на каретке 9. Тяга 20 шарнирно соединена с кареткой 9 через серьгу 24, а перемещение каретки 9 ограничено упором 25. Возврат каретки 9 в исходное положение осуществляется пружиной 27, размещенной на стержне 28 и воздействующей на планку 29. Поджатие диска 4 к режущей пластине 8 осуществляется упором 30,1440651 10 15 формула изобретения 3который закреплен в рычаге 13. Рычаг 13 при настройке может перемещаться пазом 31 по корпусу 32, который шарнирно установлен на оси ЗЗ. Отход упора 30 от диска осуществляется за счет груза 34 при ходе штока 16 вверх. Ход планки 21 регулируется винтом 35, ввернутым в упор 14. Поворот диска 4 на один зуб осуществляется винтом 36, ввернутым в планку 21. Толка- тель 19 соединен со...

Номер патента: 641890

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: "пьер, Даниель, Жак, Клод

МПК: H01J 1/312, H01J 9/02

Метки: металл-диэлектрик-металл, типа, эмиттера

...эмиттеров, содержащих диэлектрический слой,расположенный между двумя металлическими слоями 11). Диэлектрический слойобычно изготавливается из окисных пленок, например А 8 еО ипи Ве О, Такиеэмиттеры получают путем электропитичеокого осаждения на металлическую подложку слоя диэлектрика 21,Указанный способ трудно реализоватьпри формировании слоев диэлектрика набольшой площади подложки,Цель изобретения - упрощение технологии получения слоя диэлектрика,Поставленная цель достигается тем,что готовят раствор из органическогорастворителя (гексаметилфосфоротриамидаи тетрагидрофурана) и электролита-перхлората щелочного металле, погружаютв этот раствор металлическую подложку,подают нв нее отрицательное напряжи проводят осаждение...

Номер патента: 543682

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Глинков, Лаврентик, Маковский, Медведев, Шевченко

МПК: C21D 11/00

Метки: колодцах, металла, нагревательных, нагревом

...между температурой рабочегопространства и расчетной температурой 5 нагрева металлаНа чертеже показана структурная схемасистемы, реализуюшей способ автоматического управления нагревом металла в нагревательных колодцах.О Она содержит диафрагму 1 для измерения расходов топлива и воздуха; регулирующие органы 2, изменяюшие поступлениев.колодец 3 топлива и воздуха; прибор 4для измерения температуры рабочего пр 5 ранства колодца; интегрирующее устройст5; задатчик 6 для установки начальногозначения средней температуры нагреваемого металла; прибор 7 для отсчета среднейтемпературы металла, выдаюший задания О коэффициента избытка воздуха регуляторусоотношения топливо-воздух 8 и температуры рабочего пространстм регуляторутемпературы колодца 9.В...

Номер патента: 1344505

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Стельмах

МПК: B22D 11/04, B22D 11/07, B22D 11/10

Метки: кристаллизатор, литья, металла, непрерывного, установки

...следующимобразом.Под действием плунжера 4 и упругих прокладок 5 кольцевым элементам 2 сообщают циклические синхронные п е ремещения относительно друг друга вдоль рабочей полости кристаллизато- Р а и по каналу 3 в зазоры между кольевыми элементами 2 подают жидкую40 смазку. Затем по каналу газовой системы 10 в рабочую полость кристаллизатора подают газ и после этого через литниковый канал 8 подают жидкий менфалл формирующий слиток 12, которыи45 вытягивают посредством затравки 11. Когда зеркало жидкого металла в кристаллизаторе перекроет зазоры между стыкующимися поверхностями выступов 13 и углублений в верхней части крис 50таллизатора повышается давление газа элементов, стравливание газа по зазорам между кольцевыми элементами...