Бесконтактное реле защитб1

Номер патента: 256555

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Абрамцев, Бухгольц, Снаговский

МПК: G01D 5/22

Метки: датчик, дискретногодействия, положения, трансформаторный

...из двух половин, расположенных в противоположных квадрантах, причем считывающая катушка 28 расположена в первом и третьем, а считывающая катушка 29 - во втором и четвертом квадрантах,Рабочие участки катушек 28 н 29 расположены в разных квадрантах и отличаются друг от друга по величшге на половину шага дискретности. При этом передние края (лобовыс части) каждой считывающей катушки находятся в противофазе (сдвинуты на 180 относительно друг друга). Задние их края, хотя и расположены в противоположных квадрантах, но не находятся в противофазе, т. е. величина сдвига пх отличается от 180 на угол, равный г/2, (где 1 - шаг дискретности, т. е. расстояние между задающиаги катушками).Так, например, (см. фиг. 1) для считывающей катушки 29 (при...

Номер патента: 556541

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Агеев, Колесников, Кузнецов, Ларионов, Лодочников, Поляков, Хижняк

МПК: H02K 29/02

Метки: датчик, положения, трансформаторный, углового

...датчика положения 1 состоит изтрех дроссслей 2 насыщения, выполненных на ферритовых сердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса и высокой магнитной проницаемостью.Ротор 3 датчика положения выполнен изпостоянного магнита с полюсными наконечниками, которые концентрируют поле постоянного магнита таким образом, что области с высокой и низкой индукцией чередуются.Обмотка 4 дросселя 2 насыщения соединена последовательно с первичной обмоткой 5 переходного трансформатора 6, расположенного в коммутаторе 7, и подключена к обмотке 8 питающего трансформатора 9, первичная обмотка которого подсоединена к источнику переменного напряжения высокой частоты.Управление транзисторами 10, 11 усилителя- ограничителя осуществлено от вторичной...

Номер патента: 580469

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Дрожжин, Иоффе, Колбасин

МПК: G01L 9/10

Метки: давления, датчик, трансформаторный

...усиления выходного сигнала датчика предназначен согласующий усилитель 11. Кроме того, датчик имеет резисторы 12 и 13, которые вместе с терморезисторами образуют измерительный мост, а также регулировочные резистооы 14 и 15, необходимые для настройки схемы.Датчик работает следующим образом.изменении давления упругий чувствиный элемент деформируется и перемещаодвижную катушку 5, в результате чегоИзд. М 884 Тираж 1109 Подписное Заказ 2459/8 Типография, пр. Сапунова, 2 3изменится потокосцепление катушки 5 с магнитным потоком в воздушном зазоре магнитопровода 3 и на выходе датчика появится напряжение Ьд, пропорциональное измеряемому давлению Р,При скачкообразном изменении температуры вне корпуса датчика температура внутри корпуса начинает...

Номер патента: 101235

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Живалов

МПК: G08C 19/06, H01H 36/00

Метки: датчик, трансформаторный

...э. д. с. Когда пуит е)О 1 дст в датчик, через ц(го злмкпстся почти 13(сь магцитцый поток, создаваемый обмоткой 2, и пппь пипожиля члстю, его пройдет через сердечник Обмо 1(и 5. 111113(д(131151 в ОГ)мОТК( 5). . будет ееезцлчитсл цл.Таким образом, путевое рс.с буд( г срлГ)(ютывдт, когд(1 пуит идход(юют(1 Вп(3 ДЛТПКл, И ОТПЛДЛТЕ ПРИ 1)ХО)К(- и и и и у и та 13 да ти и(, т. с. с О х р л ц 11 т( ( 1 улсцоц приццип работы рслс.ГГ) (Отки, (ютчи к 1 ил (Ет 11311(О) с(ю1 1 ПКГИЫЮ КД)1(ЛС И;Ю И:3(С(5111101111(Ю )11 т( 1 ю 11 юл. 11 л бокови ( ч( (кц 1(яе 11 Л(и 3(тея 10)ку 133)31111 Т 3( ,13 СГОВ 0( МРТЯЛ,Я, 3,1 НО СЖНМЯРМ;30 1 нп,М 13 6,:35)ВРРН) ГЫМИ и Г;1 к /, ИРРР.) нз, Японыс 310- к.ядки 8. 1 ре,Ри( датчика 1 д м(- ( Г( уетянк 1 ирои:3...

Номер патента: 218020

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Жердев, Карпуничкин, Мамаев, Шорёзев

МПК: G01B 7/02

Метки: датчик, дифференциальньй, трансформаторный

...25точкой делителя напряжения источника питания = Сl датчика на резисторах Я, ий., другим концом - с базой вспомогательного транзистора Т, Первичные обмотки 1 Г,и К" включены в коллекторную цепь транзистора Т.При включении источника постоянного тока в цепь делителя на резисторе Я 1 создается падение напряжения, в результате чего напря. жение на базе транзистора Т по отношению к эмиттеру станет отрицательным, и транзи. стор откроется, Через обмотку потечет ток, что приведет к изменению магнитного потока в сердечнике и на обмотках Гк и Чз появится э.д.с. Обмотка 1 Га включена таким образом, что в этот период работы к переходу эмиттер-база приложено отппрающее напряжение, при этом коллекторный ток увеличивается, и транзистор работает...