Невзаимное устройство сверхвысокочастотного диапазона

Номер патента: 151507

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Берг, Старос

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающего, магнитного, пластина, устройства, ферритовая

...ячейки должны быть направлены в одну сторону. В применяемых пластинах расстояние между отверстиями ячейки равно расстоянию между ячейками, что вызывает частичное или полное разрушение информации, хранящейся в одной ячейке, при многократном обращении в соседнюю ячейку, а, следовательно, препятствует применению форсированных режимов считывания, что необходимо для повышения быстродействия магнитных запоминающих устройств, Для уменьшения разрушающего действия соседних ячеек приходится увеличивать расстояние между отверстиями.Для повышения надежности хранения информации в предлагаемой ферритовой пластине каждая ячейка содержит два отверстия, расстояния между которыми меньше расстояния между ячейками. Печатная обмотка пронизывает оба...

Номер патента: 962802

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гусева, Ильин, Лудзская, Максимов, Титов, Харитонов

МПК: G01N 29/00

Метки: механических, пластин, ферритовых, характеристик

...устрой олв.механических хар товых пластин.тройство для контрол х характеристик ферр ин содержит направля экран 2 с отверстиемно связанные с рейками 1 каретки 3 и 4 с электромагнитами 5 и 6 идополнительные каретки 7 и 8 с постоянными магнитамщ 9 и 10, установленнур .на экране 2 втулку 11 с упо,рами 12 и 13 иэ фторонласта.Кроме того, устройствосодержит винты 14 и 15 с пружинами 16 и 17, расположенные во втулке 11, рычаг 18, связанное с ним через пружину 19 коромысло 20, механйчески связанный с )О ним подпружиненный шток 21 с опорной .площадкой 22, тяга 23, механически связанная с рычагом 18, и фиксатор 24.Позицией 25 обозначен исследуемый образец. 15Усройство для контроля механических характеристик ферритовых пластин работает следующим...

Номер патента: 1125882

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Шадрин

МПК: B24B 1/00

Метки: параметров, пластин, ферритовых

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН путем уменьшения размеров пластин после спекания, основанный на зависимости размеров, массы и фазового сдвига, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и сокращения объема операционного контроля, определяют порядковые статистики массы каждой пластины, измеряют фазовый сдвиг на выборке пластин, порядковые статистики которых несут максимальную информацию о распределении фазового сдвига в данной партии, обрабатывают их до минимально допустимой высоты, снова измеряют их массу и фазовый сдвиг, после чего разделяют партию на подпартии по массе пластин, границы каждой из которых отличаются на величину допустимого разброса, определяемого по результатам указанного выборочного анализа и...

Номер патента: 237200

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Майоров

МПК: G11C 11/06

Метки: многоотверстная, памяти, пластина, ферритовая

...между отдельными ячейками памяти было полностью устранено, либо резко уменьшено. Эта цель достигается созданием ,конструкции ферритовой пластины, в которой ячейки памяти разделены, такими областями феррита, где коэрцитивная сила в несколько 20 раз выше, чем в перемагничиваемых областяхячеек.Вследствие этого создается энергетический барьер между ячейками, существенно уменьтцающий,их взаимодействие. 25На фиг, 1 показана часть ферритовой пластины; на фиг. 2 - распределение перемагничивающего поля и коэрцити/вной силы в мно тоотверстной пластине в зависимости от рас стояни я. В ферритовой пластине проходят сквозные отверстия 1, участки 2 пластины имеют высокое значение коэрццтивной силы.На фиг. 2 приведены следующие обозначения: Н -...

Номер патента: 1086997

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский

МПК: H01L 21/306

Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления

1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...