Полупроводниковый ключ переменного тока

ЕНТ СССР)ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ МУ СВИДЕТЕЛЬС АВТО ВЫИ КЛ т динис ы контур ройство никовые ил.(54) по МЕНН (57) Ус диоды (5, 6), приме более ЛУПРОВОДНИКОого токдтройство содержи(3, 4), конденсатордиоды (7, 8). Устнять полупроводвысокой частоте. ЮЧ ПЕРЕ ры (1, 2), в накачки озволяет лючи на ФГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(71) Научно-исследовательский институт попередаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения(56) Карагальцев А.М., Харлампиев В.В. Нагрузочная способность современных тиристоров на высокой частоте // Известия ЛЭТИ, Л.; 1981. Вып. 299 с, 92-95.Силовые полупроводниковые приборы О,Г,Чебовский и др.// Справочник, М,: Энергоиздат, 1985, с, 279.Высокочастотные реверсивно включаемые динисторы /И,В.Грехов и др,ОЭлект- .ротехника. 1988, М 5, с, 10-12,Ы 2, 18109 бб А 11810966 Изобретение относится к высоковольтной высокочастотной полупроводниковойпреобразовательной технике и может бытьиспользовано при согласовании преобразователей и нагрузки, имеющей комплексное 5сопротивление.Целью изобретения является применение полупроводниковых ключей переменного тока (ПКПТ) на более высокой частотеи увеличение КПД таких ключей,На чертеже приведена схема предлагаемого ПКПТ.ПКПТ собран на РВД 1, 2 с последовательно соединенными с ними отсекающимидиодами 3, 4. Конденсаторы контуров накачки 5, 6 заряжаются через диоды 7, 8 от частинапряжения, питающего нагрузку с комплексной проводимостью, состоящую.из нескольких частей 9-13; Конденсаторынакачки 5, 6 через управляющие тиристоры14, 15 подключены к анодам РВД 1, 2.Предлагаемый ПКПТ работает следующим образом,При подаче на управляющие тиристорысистемы накачки .14, 15 импульса управления, синхронизованного с напряжением нанагрузке таким образом, что при появлениина РВД положительного напряжения проходит импульс обратного тока накачки. Так какскорость нарастания тока накачки больше,чем скорость нарастания прямого тока, то вРВД создается плазменный управляющийслой, который равномерно переключаетРВД в проводящее состояние. Таким образом часть реактивной нагрузки 11 шунтируется ПКПТ, общая комплексная нагрузка9-13 изменяет свою величину, происходитнеобходимое согласование внутреннего сопротивления преобразователя с комплексной нагрузкой.Полупроводниковый ключ переменноготока, подключенный к части комплекснойнагрузки содержит две встречно-параллельные цепи, каждая из которых состоит иэ последовательно соединенных реверсивно включаемого динистора и диода, кроме этого в каждую из встречно-параллельных цепей введены управляющий тиристор, конденсатор накачки и зарядный диод, анодом подключенный к катоду управляющего тиристора и к одной клемме конденсаторанакачки, вторая клемма которого подключе 10 на к катоду РВД, катод зарядного диодаподсоединен к части комплексной нагрузки,анод управляющего тиристора подключен кобщей точке соединения анода РВД и катода диода.15Ф о р м у л а и,з о б р. е т е н и яПолупроводниковый ключ переменноготока, подключенный к части комплекснойнагрузки, состоящий из встречно парал 20 лельных цепей, каждая из которых содержит последовательно соединенные силовойполупроводниковый прибор и диод, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью примененияна более высокой частоте и увеличения КПД,25 в качестве силовых полупроводниковыхприборов. использованы реверсивно включаемые динисторы, а также в каждую извстречно параллельных цепей введены управляющий тиристор, конденсатор накачки30 и зарядный диод, анодом подключенный ккатоду управляющего тиристора и к однойклемме конденсатора накачки, вторая клемма которого предназначена. для подключения к .катоду реверсивно включаемого35 динистора, причем катод зарядного диодапредназначен для подсоединения к частикомплексной нагрузки, анод управляющеготиристора предназначен для подключения ккатоду диода, параметры цепи накачки вы.40 браны из условия обеспечения скорости нарастания обратного тока накачки вышескорости нарастания прямого тока через реверсивно включаемый динистор,Составитель В,СинявскийРедактор Г,Мельникова Техред М,Моргентал Корректор П.Гереши Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 1450 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва,Ж-З 5, Раушская наб., 4(5