Способ измерения импульсного давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1809671
Авторы: Павловский, Платонов, Таценко
Текст
1873, Москва, Бережковская наб., 24 стр. 2 3 1Изобретение относится к технической физике, а именно к способам измерения давления и может быть использовано для регистрации давления в экспериментальных установках и при обработке материалов импульсным давлением.Целью изобретения является упрощение измерения импульсного давления,На фиг, 1 показана схема измерения давления; на фиг. 2 - спектр излучения при импульсном сжатии рубина,Предложенный способ измерения импульсного давления иллюстриру.ется с помощью устройства, изображенного на фиг. 1 Стержень рубина 10=3 мм, 1 = 40 мм, помещался в цилиндрическую ячейку сжатия 2, установленную на оси магнитокумулятивного генератора (МК)3, к торцу рубина присоединялся световод 4, по которому излучение Способ измерения импульсного давления в технологических установках, заключающийся в том, что кристалл диэлектрика помещают в установку, воздействуют на него измеряемым давлением, регистрируют излучение 2-линии и измеряют изменение спектрального положения К-линии, по величине которого судят о величине давления,выводилось на спектрограф 5, и спектр регистрировался ФЭРом б,Импульсное магнитное поле, генерируемое в МКвзрывным сжатием начального магнитного поля цилиндрическим проводящим лайнером, сжимает ячейку сжатия вместе с рубином до давления приблизительно 200 ГПа за г=18 мкс. При р ГПа в рубине возникает излучение, которое по световоду выводится на спектрограф ИСПи на выходе регистрируется ФЭРом (трубка УМИ, два усилителя света). Спектр излучения показан на фиг. 2, К - линия в процессе сжатия сдвигается в хчинноволвовую область спектра. Максимальная величина давления, определенная по шкале Мао и Белла, в экспериментах была равна приблизительно 70 ГПа и в пределах ошибки эксперимента совпадала с данными, полученными по сжатию А 1,отличающийся тем, что, с целью упрощения определения за счет исключения подсветки кристалла диэлектрика в случаях измерений давлений, превосходящих прели упругости кристалла, регистрируют самопроизвольное излучение К-линии, возникающее непосредственно в процессе деформации кристалла диэлектрика.
СмотретьЗаявка
4852203/25, 17.07.1990
Научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Павловский А. И, Платонов В. В, Таценко О. М
МПК / Метки
МПК: G01N 21/70
Метки: давления, импульсного
Опубликовано: 27.08.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1809671-sposob-izmereniya-impulsnogo-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения импульсного давления</a>
Предыдущий патент: Способ получения структур на основе кремния
Следующий патент: Способ получения лигатуры алюминий-титан
Случайный патент: Способ торможения растущих усталостных трещин в металлах и сплавах