Полупроводниковый переключатель

Номер патента: 174434

Авторы: Жап, Лаптев, Ллтс, Моин, Нежданов, Смольников

ZIP архив

Текст

Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваКл, 42 а, 14 ц Заявлено 29.1 Ч.1962 ( 776578/26-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 27.Ч 111,1965. Бюллетень17 Государственный комитет по делаю изобретений и открытий СССРМГ 1 К б 061УДК 681.142.07(088.8) фДата опубликования описания 27,Х.1965 Авторыизобретения В. С. Моин, И. В. Нежданов, Л. Е. Смольников и Н. Н. Лаптев Заявитель К:.айаг НИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ 15 Предмет изобретения Подписная группа174 Известны полупроводниковые переключатели, выполненные на базе р - п - р - гг-структуры. Однако построение электронных схем таких переключателей связано с проблемой их гашения, в связи с тем, что переключатели после включения остаются неуправляемыми со стороны управляющего электрода. Для того чтобы перевести переключатель из состояния включено в состояние выключено требуется снять анодное питание либо на переключатель подать напряжение обратной полярности.Предлагаемый полупроводниковый переключатель отличается от известных тем, что между гг-областями включен диод, анод которого подключен к п-эмиттеру, а катод к п-базе, а между р-областями включен второй диод, анод которого подключен к р-базе, а катод - к р-эмиттеру,Такое выполнение переключателя обеспечивает уменьшение времени переключения из состояния включено в состояние выключено.На чертеже дана схема предложенного переключателя.В схеме между г-эмиттером и п-базой четырехслойного переключателя подключен диод Дь катод которого подсоединен к п-базе, а анод - к и-эмиттеру, а между р-базой и р-эмиттером подключен диод Д., анод которого подсоединен к р-базе, а катод - к р-эмитте руПри таком подключенпи при подаче обратного напряжения на зажимы А и К для гашения переключателя все три перехода и и 2 и и активно запираются (переход гг, по цепи 10 Д, - г,; г 2 по цепи Д, - г - Д и пз по цепиг - Д) и время перехода переключателя в состояние выключено (1 ) резко уменьшается. Полупроводниковый переключатель, выполненный на базе р - гг - р - .п-структуры, от личаогцийся тем, что, с целью уменьшениявремени переключения пз состояния включено в состояние выключено, между п-областямп подключен диод, анод которого подсоединен к п-эмиттеру, а катод к гг-базе, а между 25 р-областями подключен второй диод, анод которого подсоединен к р-базе, а катод - к р-эмиттеру.174434 Составизел инскииП. Курили ррекгор О. Б. Тюрина Рсдакто Утехина хред пография апунова,аказ 2599,16 Тираж 975 Формат бум. 60)(90/ Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретении и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Смотреть

Заявка

776578

В. С. Моин, И. В. Нежданов, Л. Е. Смольников, Н. Н. Лаптев, ллтс нтна, ЖАп

МПК / Метки

МПК: H03K 17/73

Метки: переключатель, полупроводниковый

Опубликовано: 01.01.1965

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-174434-poluprovodnikovyjj-pereklyuchatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый переключатель</a>

Похожие патенты