Ллтс

Номер патента: 174434

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Жап, Лаптев, Ллтс, Моин, Нежданов, Смольников

МПК: H03K 17/73

Метки: переключатель, полупроводниковый

...напряжение обратной полярности.Предлагаемый полупроводниковый переключатель отличается от известных тем, что между гг-областями включен диод, анод которого подключен к п-эмиттеру, а катод к п-базе, а между р-областями включен второй диод, анод которого подключен к р-базе, а катод - к р-эмиттеру,Такое выполнение переключателя обеспечивает уменьшение времени переключения из состояния включено в состояние выключено.На чертеже дана схема предложенного переключателя.В схеме между г-эмиттером и п-базой четырехслойного переключателя подключен диод Дь катод которого подсоединен к п-базе, а анод - к и-эмиттеру, а между р-базой и р-эмиттером подключен диод Д., анод которого подсоединен к р-базе, а катод - к р-эмитте руПри таком подключенпи...