Устройство для изучения седиментации

Номер патента: 31151

Опубликовано: 31.07.1933

Автор: Гололобов

МПК: G03B 23/14

Метки: время, выключения, диапозитивов, источника, проекционных, света, смены, фонарях

...поворачивает храповое колесо 5 на один зубец. Для затормаживания диска 1 предназначена собачка 8, западающая в зубцы того, же храпового колеса 5. Шайба 7 снабжена вырезом 10 и служит для размы 254 кания контактных пружин 9 в цепи источника света 11. Шайба 7 устанавливается таким образом, чтобы размыкание пружин 9, а следовательно и выключение источника света 71, происходило во время смены диапозитивов в щели 2 проекционного фонаря.Для перемещения рамок с диапозитивами и подъема их служит неподвижный эксцентрический диск 12 с выступом 13, верхняя рабочая поверхность которого имеет постепенный подъем в виде наклонной плоскости, Под действием выступа 13, на шарнирную рычажную систему с диапозитивами последние одна за другой под....

Номер патента: 353694

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Петрунек, Приставке

МПК: A01M 1/04

Метки: изучения, насекомых, реакции, свет

...Объема камер,1, что затрудняет их учет.Цель изобретения - повышение точности исследований. Это достигается тем, что каждый отсек камеры имеет автономный, регулируемый по яркости источник света, расположенный за светофильтром и отделенный вместе с ним от основного объема камеры заслонкой.На чертеже изображено предлагаемое устройство.Оно представляет собой камеру, содержащую несколько источников света 1 со светофильтрами 2, которые отделены от основного объема камеры 3 заслонками 4, В центре верхнеи крыцки камеры раси 1 ложсно От стие 5 для введения насекомых.В процессе работы перед источшками света помещают необходимые светофильтры, в отверстие опускают фотоумножитель и, ноочередно открывая заслонки, устацавлцвд от яркости...

Номер патента: 644427

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Бердышев, Говорун, Коротков, Луценко, Шморгун

МПК: A01K 61/00

Метки: влияния, водные, изучения, организмы, света

...световых ячеек 10. Выходы магнитных усилителей 14 подключены к электрическим источникам света 11, входящим в состав световых ячеек 10.Датчик спектральной характеристики моделируемого светового излучения 1 б (см. фиг. 3) содержит корпус 17, снабженный камерами 18 по количеству световых ячеек 10 и окошками, которыми являются светофильтры 19, идентичные светофильтрам 12 световых ячеек 10. Внутри каждой камеры 18 расположен фотоприемник 20. Выход каждого фотоприемника 20 подключен ко входу усилителя постоянного тока 21, Выходы всех усилителей постоянного тока 21 подаются на вход многоканального регистрирующего прибора 22.Предложенная установка работает следующим образом.Снимают полый свод 3 вместе с прозрачным перекрытием 7. Затем в...

Номер патента: 1096544

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Барская, Чернин

МПК: G01N 21/03

Метки: кювета, многоходовая, многоходовое, прохождений, регулируемым, фокусирующее, числом

...автоколлимационного зеркала вокруг оси, лежащей вего плоскости, а расстояние междуавтоколлимационным и вогнутым зеркалами равно фокусному расстояниювогнутого зеркала, при этом плоскиеволевые зеркала установлены взаимногерпеидикулярно а корпус кюветывыполнен из двух герметичнО соединенных частей, одна из которых, несущая полевые зеркала автоколлимациснное зеркало и механизм его поворота, выполнена стационарной, адругая, несущая вогнутое зеркало;сменной,Многоходовое фокусирующее устройство, содержащее установленные наоптической оси вогнутое зеркало идва плоских полевых зеркала, расположенные напротив вогнутого зеркалапод острыми углами к оптической осии,обращенные к вогнутому зеркалусвоими рабочими поверхностями, снабжено плоским...

Номер патента: 684810

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Георгобиани, Котляревский, Лавров, Михаленко, Урусов

МПК: C30B 31/00

Метки: группы, кристаллов, металлоиды, полупроводниковых, содержащих, соединений, составом, стехиометрическим, цинка

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы.Известен способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С.Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет получать кристаллы полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды 71 группы, с проводимостью. дырочного типа...