Способ лечения отечных форм эндотелиально-эпителиальной дистрофии роговицы

Номер патента: 1383195

Опубликовано: 23.03.1988

Автор: Лауринавичюс

МПК: G01N 27/90

Метки: многослойных, слоев, толщины

...слое изделия 2, и возбуждающим преобразователем 3 полем Ь , записывается как тензорное соотношениеЬ=4 Ь, (3)лгде 4, - тензор относительной магнитной проницаемости полупроводникового слоя;Ь - возбуждающее магнитное поле,усредненное по толщине Йслоя;Ь - поле в слое, усредненное потолщине Й. Это соотношение связывает возбуждающее и возбужденные поля через параметры полупроводникового материалаи параметры электромагнитной волны.Если приложено постоянное магнитноеполе, индукция В 1 К 1 Е, где К -,Й = ФМ РО (4)о оУстановлено, что компонентапропорциональна активному сопротивлению, вносимому в преобразователь 3полем стоячих геликонных волн в слое. 10Компонента р представляет собойряд резонансных максимумов, соответствующих...

Номер патента: 173958

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Глаговский, Горбань, Лозновский, Ройтштейн, Хаит, Яшин

МПК: G01B 15/02

Метки: iка, многослойных, покрытийеиблус, слоев, толщины

...и 14 производится запоминание суммарных Подписная группа1 Известны устройства для автоматического коггроля толин,ы многослой 1 ых покрытцй в пооцесее цх напесе 1 п 1 я, например слоя лака и зерна ца основе шлцфовальгой шкурки. Оци содержат радцоактивць е толщццомеры, построенные по автоматической компенсационной схеме с физической ил 1 Электрическо 11 компенсацией, осуществляемой электродвигателями, ц имеющие электрический выход ца регистрирующие электронные потечциометры, Чтобы исключи и запаздывание при сравнении результатов измерений толщины основы ц основы с покрытием, эти устройства имеют блок вращающихся конденсаторов, который запоминает значение сигнала суммарной толщины и подает его на схему сравнения.Цель изобретения -...

Номер патента: 429399

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Кацнельсон, Фурман

МПК: G02B 5/28

Метки: изготовлении, оптического, покрытия, слоев, толщины

...коэффициентом пропускания Т (Хо) при величине Хо, близкой 100%. В процессе осаждения слоев фиксируют максималь- НОЕ Рмаис И МИНИМаЛЬНОЕ Р,иЗНаЧЕНИЯ ВЕЛИ чины, получаемой на отсчетном приборе фотометрического устройства.Если полученное в результате измерений отношение Рмакс/бармин)уо (уО - расчетная величина, зависящая от показателей преломления 25 веществ, образующих покрытие), то слои напыляют до экстремального значения пропускания. Согласующий слой, т. е. первый слой системы, наносимой при Хо, напыляют либо до р=д, в том случае, когда он состоит из ма териала с низким показателем преломления,429399 Составитель В. ВанторинТехред Л. Акимова Корректор А. Васильева Редактор Т, Фадеева Заказ 207/14 Изд.860 Тираж 537...

Номер патента: 807043

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Брандорф, Кизилов, Урумов

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, толщины

...при одной и той же толщинеслоя.Кроме того, в известном способесуществует влияния токоподводов нарезультат измерений.Цель изобретения - повышение точности измерения путем исключения влияния конфигурации изделий. 10Указанная цель достигается за счеттого, что в качестве межслойных элементов используют неферромагнитныецилиндрические трубки, поочередно перемещают по каждой Иэ трубок шарикиз электропроводящего неферромагнитного материала и фиксируют экстремумсигнала преобразования.На чертеже изображено устройстводля реализации способа измерения20слоев многослойных изделий.Устройство содержит компрессор 1,соединяемый через пневматическийкоммутатор 2 с неферромагнитными цилиндрическими трубками 3-6, заложенными, между слоями 7-11 изделия 12....

Номер патента: 819572

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Брандорф, Кизилов, Котляров, Урумов

МПК: G01B 7/06

Метки: мно-гослойных, слоев, толщины

...нреобразователя, последовательно смещен" ного из точки М в точку К . Воспользовавшись зависимостью найряженности магнитного поля от длины К проводника и измеряемой толщины Ь, можно написать уравнениеВ %3 ЕЕ% р; Цйцр - ,);У и и:йПроВеденные расчеты показыВаЮт, что при отношении расстояния е к истинной толщине ир = - = 0 1 приВо двух измерениях значение ошибки измерения Ю может быть получено при существенно меньших значениях длины проводника, чем в случае использования одного преобразования по известному способу. По предлагаемому способу при двух преобразованиях может быть получена погрешность, в 3 раза меньшая по сравнению с известным способом при вдвое меньшей длине проводника.Пусть имеется четыре точки наблюдения М,-М ,...