Статический преобразователь

СПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 16.Х 11.1963 ( 870886/24-7)с присоединением заявкиПриоритет 1 д-, 12 и ПК Н 02 п Государственныиомитет по деламизобретенийи открытий ССС ДК 621.314.57(088.8) 7.11.1965. Бюллетень7 ания описания 11.И,1965 публиковано ата опублик второбретен С. М СТАТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 10 л К30 Подписная группа9 В системах электропитания транспортных средств и других установках применяются двухтактные транзисторные статические преобразователи постоянного тока в переменный, работающие на повышенной частоте.При переключении транзисторов вследствие запаздывания закрытия транзистора, обусловленного явлением рассасывания избыточных носителей в его базе, в схеме развивается режим короткого замыкания, приводящий к повышенным динамическим потерям мощности в транзисторах, Для исключения этого режима применяются схемы с несимметричным управлением транзисторами, в которых длительность открывающего импульса меньше длительности закрывающего импульса,Известные схемы статических преобразователей с несимметричным управлением используют эффект рассасывания носителей дополнительного диода, Такие схемы достаточно сложны, неэкономичны и степень несимметрии их относительно мала и практически не- регулируема.Предлагаемая схема преобразователя не имеет указанных недостатков. Согласно изобретению несимметрия импульсов управления осуществляется с помощью насыщающегося трансформатора с сердечником из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, Трансформатор включен вторичной, шунтированной диодом обмоткои последовательно в цепь базы транзистора, а первичной - на источник управляющих импульсов через ограничивающее сопротивление, При поступлении открывающего импульса управления на время перемагничивания сердечника трансформатора транзистор оказывается активно закрытым, т. е, его открытие задерживается.Величина этого времени задержки опредеяет несимметрию импульсов, приложенных о входу транзистора, и может регулироваться выбором параметров трансформатора.На фиг. 1 изображена предлагаемая схема управления одним из транзисторов преобразователя; на фиг, 2 - диаграмма напряжения на входе тр а из и стор а.Насыщающийся трансформатор Тр имеет две обмотки Р и Г 2, причем число витков обмотки К 2 больше чем У. Когда полярность сигнала управления / является для транзистора открывающей, во вторичной обмотке Й 2 наводится э,д.с, У, - величина большая чем / . Разность напряжений У 2 - У активно запирает транзистор. Через некоторое время задержки д (см. фиг, 2) сердечник трансформатора Тр насыщается, напряжение У падает почти до нуля и транзистор открывается под действием напряжения 1/ . Через полпериода полярность напряжения 1/ изме няется на обратную, транзистор запираетсятакрытп дДдп крьотгг 7 Составитель Г, ЛункаяРедактор Г. М. Печоров Техред Т. П. Курилко Корректор Л. В. Тюняева Заказ 1133/10 Тираж 1675 Формат бум. 60 К 90/, Объем 0,16 изд. л. Цена 5 коп. ЦНИИ 1 И Гос,дарсгвсппого комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 41 ппография, пр. Сапунова, 2 под действием запирающего сигнала У г, приложенного ко входу транзистора через диод, шунтирующий обмотку Ка. При этом сердечник трансформатора перемагничивается в другую сторону. Сопротивление Р является ограничительным.Время задержки 1,д определяется параметрами трансформатора и схемы и может быть выбрано любым на основании формулы; где В, и Н, - индукция насыщения и коэрцитивная сила материала сердечника; 5 и 1 -поперечное сечение и длина магнитной цеписердечника. Трансформатор обычно имеет небольшиеразмеры, так как время задержки меньше рабочего периода преобразователя,5Предмет изобретенияСтатический преобразователь постоянноготока в переменный, выполненный на транзисторах, управляемых несимметричными импульсами, отличагогчийся тем, что, с целью10 снпкения динамических потерь, в транзисторах применен насыщающийся трансформаторна сердечнике из материала с прямоугольнойпетлей гистерезиса, вторичная обмотка которого, шунтированная диодом, включена после 15 довательно в цепь базы транзистора, а первичная обмотка включена на источник управляющих импульсов через ограничивающее сопротивление,