Способ измерения внутренних тепловых параметров транзисторов

ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 03 Л 1,1963 (ЛЬ 839918/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 17.111.1966. Бюллетень7Дата опубликования описания 11.И.1965 21 ал 71 21, 110 Государственный комитет ло делас изобретений и открытий СССР(088.8) Авторизобретен К. Кузне М 31 сА. вител 1 ОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРЕННИХ ТЕПЛОВ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ2 На чертеже из схема устройства тепловых параметИспытуемый т схеме с общей ба пей эмиттера и к тор 2. Диод 3 пр ным напряжениех одписная гругпа Л 3 8 Известные способы измерения внутренних тепловых параметров транзисторов, основанные на осциллографическом определении электрических параметров термочувствительного элемента транзистора, например его коллекторного перехода, при отключенном эмиттере весьма трудоемки, так как требуют предварительного снятия температурной зависимости термочувствительного параметра.Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве контролируемого параметра термочувствительного элемента использовано прямое падение напряжения на коллекторном р в )г-переходе, которое в процессе испытания различных образцов транзисторов поддерживают постоянным, регулируя величину прямого тока через коллекторный переход. Тепловые параметры транзисторов определяют по усредненной температурной характеристике. Это позволяет упростить способ. ображена принципиальная для измерения внутренних ров транзистора,ранзистор 1 включают по зой, Для коммутации цеоллектора служит коммутаи этом закрыт отрицательисточника, подключенного мам 4, а дпсд о открыт и шунтируе сциллографа, подключенного к зажик зажи т вход омам б.Остаточное падение напряжения на дио де 5 компенсируется напряжением, подаваемым на,него от источника, подключенного к зажимам 7. Переключение транзистора 1 в режим измерения производится коммутатором 2, контакты 8 которого размыкаются, 10 разрывая цепь эмиттера, Г 1 рл этом диод 3открывается, а диод 5 закрывается и уже не шунтирует вход осциллографа. Прямое падение напряжения на коллекторном переходе измеряется по отклонению луча осциллогра фа, на экран которого наложена прозрачнаясетка с нанесенной на нее усредненной температурной характеристикой, справедливой для значительного числа транзисторов различных типов. Шкала сетки проградуирована непо средственно в градусах. До начала измерений, регулируя величину прямого тока через коллекторный переход, сопротивлением 9 устанавливают луч осциллографа на риску шкалы, соответствующую окружающей тем пературе. Затем транзистор включают в цепьисточника питания и, регулируя сопротивлением 10, получают заданную величину мощности рассеяния на коллекторе. Переключив транзистор коммугатором 2 в режидл измере ния наблюдают на экране осциллографа169579 ставитель Ю. Козлов Техред Ю. В. Бара орректор Л. В. Тюииев едактор П. Шла аказ 1127/3 Тираж 1225 Формат бум. 60 К 90/а Объем 0,1ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретенийМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 зд. л. Цена 5 ко открытий СССР пографии, пр. Сапунова, д. 2 изображение переходного теплового процесса, по которому производят отсчет. По шкале сетки определяют разность температур коллекторного р - и-перехода и корпуса транзистора и расчетным путем находят тепловое сопротивление транзистора.Прп описанном способе не требуется снимать температурную характеристику термочувствительного параметра, индивидуального для каждого испытуемого транзистора, т. е. существенно упрощается процесс измерения. Предмет изобретения Способ измерения внутренних тепловыхпараметров транзисторов, основанный на осциллографическом определении электрических параметров термочувствительного элемента транзистора, например коллекторного перехода, при отключенной цепи эмиттера, 5 от,гичающийся тем, что, с целью упрощенияспособа, в качестве контролируемого параметра термочувствительного элемента использовано прямое падение напряжения на коллекторном р - п-переходе, которое в процессе ис пытания различных образцов транзисторовподдерживают постоянным регулировкой величины прямого тока через коллекторный переход, а тепловые параметры транзисторов определяют по их усредненной температур ной характеристике.