Спектрометр

Номер патента: 1164640

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Вильхельм, Рейнхард, Эрнст

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, механизм, поворота, приводной, решеток, смены

...Диапазонами блеска. Линейный относительно волнового числа привод решеток с косекансным механизмом для дифракционных решеток с последовательными диапазонами блеска используется без дополнительного механизма смены решеток. Один рычаг для каждой решетки неподвижно соединен с деркателем, 1(аждая решетка применяется в двух порядках спектра, для этой решетки на держателе установлены два. рычага, т,е. каждому рабочему подциапазону этой решетки соответствует один рычаг.Форма держателя и установленные на держателе юстируемые рычаги представляют собой линейный относительно волнового числа излучения косекансный привод решеток. Параллельная по отношению к линии решетки ось поворота неподвижно соединена с держателем,При этом рычаг,...

Номер патента: 1485872

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Брайнин, Булыгин, Савушкин, Соколова

МПК: G02B 5/32, G03H 1/26

Метки: голограммных, дифракционных, записи, решеток

Устройство для записи голограммных дифракционных решеток, содержащее источник когерентного излучения, светоделитель, держатель заготовки со светочувствительным слоем и два оптических канала, каждый из которых образован последовательно установленными поворотным зеркалом, микрообъективом и точечной диафрагмой, а оси каналов сходятся на заготовке под углами и , отличающееся тем, что, с целью повышения качества и расширения класса получаемых решеток при упрощении устройства, один из углов падения излучения на заготовку

Номер патента: 1675814

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Колчин, Корнейчик

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, решеток, фазовых

...вторую резку элементов 5 - 7 на две части по плоскостям, параллельным плоскостям их охвата, Благодаря реализации способа обеспечивается воэможность изготовления решеток с периодом 0,01 - 0,5 мм, 12 ил. ствляют обработку, например полировку плоскостей 8 и 9, сформированных в результате первой резки заготовки (фиг. 6), При этом указанные плоскости образованы рабочими гранями штрихов изготавливаемых решеток. Далее осуществляют расфиксацию частей 5-7 заготовки, например, путем удаления компаунда 4, В результате под действием внутренних сил слои 10 элементов 5-7 несколько раскручиваются, но не сдвигаются один относительно другого благодаря скреплению скобами 3 (фиг. 7), Формирование ступенчатого профиля штрихов 11 проводят путем деформации...

Номер патента: 269528

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Герасимов, Кошелев, Яковлев

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, переменным, решеток, шагом

...изготовляемой решетки и отсчитывается радиотехническим устройством, Сигналы от последнего управляют работой электромаг нитной муфты, прерывающей после прохождения определенного количества полос движение каретки с заготовкой.Если одной из отсчетных решеток сообщитьв процессе нарезанпя решетки дополнитель ное перемещение в направлении подачи заготовки, то разность хода интерферпрующих пучков и соответственно число полос, прошедших в поле зрения отсчетной системы, будут связаны с перед 1 ещециедт заготовки более Зо слсокпой функцией, включающей в себя заПодписнотий при Совете Министров СССРаб д. 45 Ти,а к 480 по делагп изобретений и открь Москва, К, Раушская иЗаказ 2083 3ЦИИИПИ Комит ппография, пр. Сапунова кон движения указанного...

Номер патента: 899714

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Зарипов, Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: C23C 15/00

Метки: дифракционных, решеток

...из следующих соображений.Известно, что коэффициент распыления подложки сначала монотонно увеличивгется с ростом угла падения ионов О на мишень (здесь используется общепринятая система отсчета, когда угол отсчитывается.от нормали к поверхности), достигается максимума при некотором угле 9 = бщО 1, а затем довольно резко уменьшается до нуля при скользящем падении ионов на мишеньФиг, и 2), При углах 6 7 9С процесс распыления шероховатой поверхности становится существенно неоднородным: гладкие 1 плоские)участки поверхности покрытия распыляются медленно, тогда как скорость распыления выступов близка .к максимальной по трем причинам ( фиг.1) за счет локального повышения плотности ионного пучка на склонах выступов 5; за счет бомбардировки...