Способ контроля режима спекания металлокерамических плат

С 0103 СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1)5 6 01 й 33/3 И Т носится ти ксп алов, ис мическ промы ия - по ля и ко ени спе к прои особам пол ьзуе их иэде шленнос вышени троля с кания и Изобретение от ерамики, в частнос и исходных матери зготовлении кера зводств обрабо ых пр ий дл ронной обретен и контро нии врем среды. осу щест радиоэлектЦель и вительност при измене сти газовойСпособ эом. чувстекания лажноледующим о ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗО К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Марийский политехнический институт им. А.М,Горького(56) Будников П,П. Химическая технология керамики и огнеупоров. М,: Стройиздат, 1972, с.312, 321, 325.Авторское свидетельство СССР йг 332065, кл, С 04 В 33/30, 1974.(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ РЕЖИМА СПЕКАНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИХ ПЛАТ Платы из сырой керамики ВК 91 - 2 толщиной 0,6 мм и площадью 0,01 м помещают2в туннельную печь спекания, Устанавливают режим спекания в интервале 1460 - 1600 С, обеспечивающий прочность, определяемую по усилию четырехточечного изгиба, на неизменном уровне, Каждую последующую плату вводят в печь при измененном на одно деление регулируемом параметре (температуре, времени спекания, влажности газовой среды), Определяют технические характеристики спеченных плат и(57) Изобретение относится к производству керамики, а именно к способам обработки исходных материалов, используемых при изготовлении керамических иэделий для радиоэлектронной промышленности, Цель изобретения - повышение чувствительности контроля и контроля спекания при изменении времени спекания и влажности газовой среды, Контроль режима спекания металлокерамических плат в условиях изменяющегося параметра режима спекания осуществляют путем измерения и сравнения полей кристаллизации плавкого связующего спекаемого и тестового образцов. сравнивают их с критериями качества: находят оптимальный режим Измеря Рот на тестовых платах площадь полей кристаллизации плавкого связующего, находят величину изменений площади кристаллизации плавкого связующего при изменении контролируемого параметра температуры, времени спекания, влажности газовой среды печи спекания на единицу изменения.В дальнейшем рабочие платы прогоняют через печь спекэния и измеояют площадь поля кристаллизации плавкого связующего.Контроль осуществляют с помощью диФрактометра или спектрометра по изменению окраски связующего при кристаллизации. видимому из белых типов керамики при просвечивании образцов малой толщины в соответствующей области спектра, Измеренное значение площади сравнивают со значением площади кристаллизации тестовой платы, спеченной в1 б 73967 4Составитель М. СлинькоТехред М. Моргентал Корректор Э, Лончакова Редактор А, Огар Заказ 2915 Тираж ЗВ 7 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г, Ужгород, ул.Гагари,а 101 оптимальном режйме, Если площади не равны, определяют разницу сравниваемых площадей. После этого определяют степень отклонения режима спекания по каждому иэ регулируемых параметров путем деле ния разницы сравниваемых площадей на величину изменения площади кристаллизации плавкого связующего при изменении контролируемого параметра на единицу изменения. Например, если пло щадь кристаллизации возросла, температуру спекания снижают из расчета 0,2 С на 1 ф( превышения площади закристаллизованной области контролируемого образца над закристаллизованной площадью тесто вого образца. Формула изобретенияСпособ контроля режима спекания металлокерамических плат в условиях изме няющейся температуры, включающий сравнение характеристик контролируемого и тестового образцов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения чувствительности контроля и контроля спекания 25 при изменении времени питания и влажности газовой среды, измеряют площадь поля кристаллизации плавкого связующего тестового образца, спеченного в оптимальном режиме, и контролируемого образца, находят изменение площади поля кристаллизации плавкого связующего при изменении температуры, времени спекания и влажности газовой среды на единицу изменения, а степень отклонения режима спекания металлокерамических плат от оптимального режима находят по формуле то - окоЛЯгде К - степень отклонения режима спекания;Ь, - площадь поля кристаллизации плавкого связующего тестового образца;Яко - площадь поля кристаллизации плавкого связующего контролируемого образца;ЛЯ - изменение площади поля кристаллизации плавкого связующего при изменении контролируемого параметра на единицу изменения.