Высокочастотный спектрометр

Номер патента: 166533

Автор: Шабад

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 06,7.1962 ( 781276/23-4)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 19.Х.1964. Бюллетень2 Кл. 421 4 г ПК 60 Государственныйомитет по деламизобретенийи открытий СССР УДК Дата опублико ия описания 25.1.196 Авторизобретени. Шабад явитель 1 СО КО ЧАСТОТНЫ й Сп ЕКТРОМЕ го поля препятствует катод 3, понизирует молекулы газа. Под воздействием постоянного магнитного поля и вращающегося электрического поля, образованного двумя парами пластин 1, ионы описывают вокруг пучка электронов спиральные траектории в плоскостях, перпендикулярных магнитному полю.Г 1 ри этом знак резонансных ионов, собираемых на коллекторе 4, определяется направле нием вращения электрического поля. 15 Высокочастотный спектрометр, содержащийкамеру, помещенную в постоянное магнитноеполе, источник электронов, две пластины, накоторые подается переменное высокочастотноеэлектростатическое поле, и коллектор ионов,20 отличающийся тем, что, с целью раздельнойселекции положительно и отрицательно заряженных частиц, камера спектрометра снабже.на дополнительной парой пластин, на которыеподается переменное напряжение, сдвинутое25по фазе на втак, что внутри камеры пер 2пендикулярно магнитному полю создаетсявращающееся электрическое поле, направление вращения которого определяет знак резо 30 нансных ионов,вую вижению агнитнодписная группа50 Известен высокочастотный масс-спектрометр, так называемый омеготрон, состоящийиз камеры, помещенной в постоянное магнитное поле, источника электронов, двух пластин,к которым приложено переменное высокочастотное электростатическое поле, и коллектора ионов. Применение омеготрона ограничивает возможность раздельного измерения концентраций положительно и отрицательно заряженных ионов, образующихся в исследуемом образце газа.В предлагаемом высокочастотном спектрометре камера снабжена дополнительной паройпластин, на которые подается переменное напряжение, сдвинутое по фазе на - по срав нению с напряжением, подаваемым на перпару пластин,Основные элементы прибора изображены начертеже,В замкнутом пространстве в вакууме ортогонально расположены постоянное магнитноеполе и переменное электростатическое полеЕз 1 п ы 1, приложенное к пластинам 1. Ортогонально первой паре пластин 1 расположенавторая пара пластин 2 с переменным электрог,статическим полем Е з 1 п 1 Ы+ - ).2Очень тонкий пучок электронов, дкоторых параллельно направлению м Предмет и зоб р етени я166533 Редактор й. Г. Герасимова Техред А. Кудрявицкая Корректор О. И. Попова ипография, пр. Сапунова,аказ 3691/14:Тираж 850 Формат бум, 60)(901/, Объем О,ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретенииМосква, Центр, пр. Серова, д, 4 д. л. Цена 5 коп открытий СССР

Смотреть

Заявка

781276

Б. И. Шабад

МПК / Метки

МПК: G01N 27/70, H01J 49/00

Метки: высокочастотный, спектрометр

Опубликовано: 01.01.1964

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-166533-vysokochastotnyjj-spektrometr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Высокочастотный спектрометр</a>

Похожие патенты