Датчик свч мощности
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1665316
Авторы: Светличный, Стариков
Текст
( 9) 0182166 ОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ измеренияния - увелиулучшениеповышениености содесталл 1, сконтактамибольшую плгается тем,шей площструктуройметалл-полность каждры, обраплощади, иил.янам волна ЩНОСТ 7) Изобретение оой технике и может сится к измериыть использован ль- ддя ос,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СМ 520547, кл. 6 01 В 21/04, 197Валитов Р.А. и др. Измеренметровых и субмиллиметровыхРадио и связь, 1984, с.54-57.(54) ДАТЧ И К С ВЧ-М малои мощности, Цель изобретечение чувствительности датчика, согласования с СВЧ-трактом и надежности. Датчик СВЧ-мощржит полупроводниковый кринабженный двумя омическими2, 3, один из которых имеет ощадь, чем другой. Цель достичто омический контакт 2 меньади выполнен с матричной поверхности границы раздела упроводник, причем поверхого злемейта матричной структущенная к контакту большей меет полусферическую форму. 21665316 Фигг Составитель Р. КузнецоваТехред М.Моргентал Корректор М. Кучерявая Редактор В, Данко Заказ 2390 Тираж 410 Подписное ВНИИ ПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться для измерения малой мощности.Цель изобретения - увеличение чувствительности датчика, улучшение согласования с СВЧ-трактом и повышение надежности.На фиг.1 приведена конструкция датчика СВЧ-мощности; на фиг.2 - конструкция омического контакта;Датчик СВЧ-мощности содержит полу-проводниковый кристалл 1, снабженныйдвумя омическими контактами, один из ко, торых - омический контакт 2 выполненменьшей площади, чем омический контакт3, датчик размещен на металлическом осно вании 4, причем омический контакт 2 выпол, нен с матричной структурой поверхностиграницы раздела металл-полупроводник. , Омический контакт 2 представляет собойметаллический электрод правильной фор-мы, например, шестиугольника, диска, с поверхностью границы раздела,металл-полупроводник в виде системы соприкасающихся полусфер радиусом гк.Датчик СВЧ-мощности работает следующим образом.При помещении датчика СВЧ-мощности в волноводный тракт СВЧ-мощность концентрируется вблизи элемента матричного контакта - омического контакта 2 и носители заряда у этих элементов разогреваются,. в то время как у второго контакта 3 они остаются в тепловом равновесии с кристаллической решеткой полупроводниковрго кристалла 1. Возникающая термо-ЭДС горячих носителей заряда служит меройСВЧ-мощности, падающей на датчик.Чувствительность датчика с матричнымконтактом отличается в к /и раз от иэвестз5 ного датчика при одинаковых сопротивлениях и отличающихся радиусах, где К =гкГэфгэгэффективный радиус, и - количество элементов в матрице. Сопротивление такого10 датчика зависит от и, гк, т.е., изменяя и,легко получить необходимое сопротивлениедля согласования с СВЧ-трактом при оптимальном радиусе полусферического элемента для получения максимальной15 чувствительности, что снимает ограничениена чувствительность датчика. Выход изстроя одного элемента почти не отражаетсяна его параметрах, следовательно, он надежнее,20 Формула изобретния Датчик СВЧ-мощности, содержащийполупроводниковый кристалл, снабженный двумя омическими контактами, один из ко торых имеет большую площадь, чем другой,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения чувствительности датчика, улучшения согласования с СВЧ-трактом и повышения надежности, омический контакт 30 меньшей площади выполнен с матричнойструктурой поверхности границы раздела металл-полупроводник, причем поверхность каждого элемента матричной структуры, обращенная к контакту большей 35 площади, имеет полусферическую форму.
СмотретьЗаявка
4719880, 19.07.1989
ХАРЬКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО
СТАРИКОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, СВЕТЛИЧНЫЙ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 21/06
Опубликовано: 23.07.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1665316-datchik-svch-moshhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик свч мощности</a>
Датчик свч-мощности
Номер патента: 1720027
Опубликовано: 15.03.1992
Авторы: Светличный, Стариков
МПК: G01R 21/04
Метки: датчик, свч-мощности
...состоит из полупроводникового кристалла 1 с двумя омическими контактами 2 и 3, центральногоконтакта в виде шарового слоя со сферической поверхностью радиусом г 1 и высотой Ь 1 15и второго контакта в видекольца со сферической внутренней поверхностью, радиусом г 2 и высотой Ь 2 = - п 1, образующегоГ 2гконтакт большей площади. 20При помещении датчика в волноводный тракт СВЧ-мощность концентрируетсяв осковном между контактами 2, 3 и носители заряда разогреваются, причем разогревносителей у сферической поверхности цектрального контакта 2 существенно больше,чем у сферической поверхности коктакта 3большей площади, в то время как в остальномобьеме полупроводникового кристалла 1они остаются в тепловом равенстве с кристаллической решеткой....
Измеритель свч-мощности
Номер патента: 263006
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Груздев, Дубовой, Карпов, Кротенко, Максимов, Осокин
МПК: G01R 17/06, G01R 21/04
Метки: измеритель, свч-мощности
...когда 5 соолюдается условие баланса амплитуд, мостпочти сбалансирован, сопротивление термистора немного превышает величину сопротивлений остальных плеч моста, и амплитуда колебаний постоянна. При подведении к тер мистору дополнительной мощности (СВЧмощности или мощности постоянного тока) сопротивление термистора уменьшается, мост стремится к полному балансу, коэффициент обратной связи уменьшается, нарушая баланс 5 амплитуд.Баланс амплитуд восстанавливается, когдамощностьпоступающая на диагональ аб моста с выхода устройства, уменьшается на величину дополнительной мощности, поданной 0 на термистор 9, Гаким образом, нрп подаче263006 Пр едмет из о брет ения Составитель Э. Фридолина Редактор Т, 3, Орловская Техред Л. В. Куклина...
Датчик свч мощности
Номер патента: 1062617
Опубликовано: 23.12.1983
Авторы: Белогорцев, Комов, Трещев
МПК: G01R 21/12
...этого датчика СВЧмощности является низкая чувствительность за счет большой толщины,Кроме того, помещение чувствительного элемента в волновод искажает 10распределение поля и увеличиваетпогрешность измерений.Наиболее близким к изобретениюявляется датчик СВЧ мощности, содержащий Огрезок прямоугольноговолновода, внутри которого размещен полупроводниковый элемент сомическими контактами 2 .Однако известный датчик СВЧ мощности имеет низкую чувствительностьИ ТОЧНОСТЬ,Цель изобретения -. повышениечувствительности и Точности,Поставленная цель достигаетсятем что В Датчике СВЧ мощнОсти 25содержащем отрезок прямоугольногоВОЛ 11 овода, внутри которого размещенполупроводниковый элементс Омическими контактамиПОлупрОВОдниковый элемент...
Датчик свч-мощности
Номер патента: 1231472
Опубликовано: 15.05.1986
Автор: Курчук
МПК: G01R 21/04
Метки: датчик, свч-мощности
...9 с экраном 2. Горячийспай 6 термочувствительного элемента5 помещен в поперечный зазор междупервым и вторым проводниками 3 и 4или вблизи него. Концы термочувствительного элемента 5 электрически соединены с контактными площадками 7,которые порознь электрически соединены по СВЧ с экраном 2 через соединительные элементы 11, напримерконденсаторы.оВ случае, если к выходу датчикаподключается усилитель, не имеющийдифференциального, входа, соединение контактной площадки 7 с экраном 2 целесообразно выполнить по постоянномутоку без применения конденсатора,Датчик СВЧ-мощности работает сле"5 дующим образом,При подаче на вход 10 датчикаСВЧ-мощности часть этой мощности поглощается термочувствительным элементом 5, вызывая его разогрев,...
Датчик свч-мощности
Номер патента: 1310740
Опубликовано: 15.05.1987
Автор: Курчук
МПК: G01R 21/04
Метки: датчик, свч-мощности
...тока рассеивается в первом резисторе 9, вызывая разогрев последнего, а через диэлектрическую теплопроводящую пластину 11 и разогрев горячего спая 4 термоэлемента 3, На выходах датчика СВЧ-мощности появляется термоЭДС, пропорциональная поступающей мощности.Условие согласования датчика обеспечивается подбором геометрических размеров термоэлемента 3 и толщины диэлектрической теплопроводящей пластины 11. При этом индуктивность первого резистора 9 компенсируется в рабочем диапазоне частот емкостью термоэлемента 3, связанного емкостной связью как с первым резистором 9, так и с экраном 2. Первый резистор 9 может иметь форму как прямоугольную, так и трапецеидальную или другую. Кроме того, в месте пересечения с термоэлементом первый...
Предыдущий патент: Измеритель активной мощности
Следующий патент: Высокоомный магазин сопротивления
Случайный патент: Способ импульсной электронно-лучевой, плазменной и газовой сварки