Датчик свч-мощности
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1720027
Авторы: Светличный, Стариков
Текст
СОЮЗ СОВЕТСОЦИАЛИСТИРЕСПУБЛИК СКИХЕСКИХ 027 А 17 и 6 01 й 21 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 0 арств ый универ ичныйСССР79.ия на миллих волнах, М,ветл льство /12, 19 Измере етровы О О ч АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(57) Изобретение относится к технике СВЧ- измерений и может использоваться в измерителях малой мощности СВЧ. Цель изобретения - повышение чувствительности и улучшение согласования с СВЧ-трактом. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1 с двумя . омическими контактами 2, 3; конструкциявыполнена планерно-коаксиальной с концентрически расположенными внутренними сферическими поверхностями: центрального,контактав виде шарового слоя с радиусом г 1, высотой. Ь и контакта в виде кольца с внутренней поверхностью в виде сферического пояса с радиусом г 2 и высотой п 2 = - п 1, образующейг 2контакт большей площади, при минимальном расстоянии между контактами Ь г = о - гь . большем длины остывания носителя заряда в полупроводниковом кристалле 1. 2 ил,Заказ 770 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к измерительной технике СВЧ и может быть использовано в качестве датчика СВЧ мощности визмерителях малой мощйости СВЧ,Цель изобретения - повышение чувствительности и улучшение согласования сСВЧ-трактом.На фиг. 1 приведена конструкция датчика СВЧ-мощности: на фиг. 2 - разрез А-А нафиг. 1. 10Датчик СВЧ мощности состоит из полупроводникового кристалла 1 с двумя омическими контактами 2 и 3, центральногоконтакта в виде шарового слоя со сферической поверхностью радиусом г 1 и высотой Ь 1 15и второго контакта в видекольца со сферической внутренней поверхностью, радиусом г 2 и высотой Ь 2 = - п 1, образующегоГ 2гконтакт большей площади. 20При помещении датчика в волноводный тракт СВЧ-мощность концентрируетсяв осковном между контактами 2, 3 и носители заряда разогреваются, причем разогревносителей у сферической поверхности цектрального контакта 2 существенно больше,чем у сферической поверхности коктакта 3большей площади, в то время как в остальномобьеме полупроводникового кристалла 1они остаются в тепловом равенстве с кристаллической решеткой. Возникающая термоЭДС горячих носителей заряда служит.мерой СВЧ-мощности, поглощаемой датчиком.Чувствительность увеличивается при 35уменьшении высоты контакта п 1 и уменьшении расстояния между контактами/ г 2г 2- г 1 - -1 . Первый фактор увеличиваетг 1 э сопротивление датчика, а второй уменьшает, поэтому желательно расстояние между контактами оставлять минимальным, а снижение сопротивления компенсировать увеличением удельного сопротивления, что также приведет к увеличению чувствительности.Согласование удобно осуществлять изменением высоты Ь 1, так как при этом чувствительность изменяется медленнее, чем при изменении.г 1 или расстоякия г 2- г 1 изменяется г 1/г 2).Коаксиальная конструкция датчика хорошо согласуется с коаксиальными врлноводными трактами и элементами.Формула изобретения Датчик СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый кристалл, снабженный двумя омическими контактами, один иэ которых имеет площадь поверхности большую,чемдругдй, отл ича ю щи йс ятем, что, с целью повышения чувствительности и улучшения согласования с СВЧ трактом, омический контакт меньшей площади вы полнен в виде шарового слоя радиусом г 1 и высотой п 1, а омический контакт большей площади - в виде кольца со сферической внутренней поверхкостью, радиусом г 2 иггвысотой п 2- й 1, установленногогконцентрически с первым омическим контактом, при этом оба омических контакта размещены заподлицо в углублении, выполненном в полупроводниковом кристалле, а расстояния Ь г между омическими контактами выбрано большим длины застывания носителей заряда в полупроводниковомкристалле.
СмотретьЗаявка
4761027, 01.12.1989
ХАРЬКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО
СТАРИКОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, СВЕТЛИЧНЫЙ ВЯЧЕСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 21/04
Метки: датчик, свч-мощности
Опубликовано: 15.03.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1720027-datchik-svch-moshhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик свч-мощности</a>
Устройство для ориентации контактов в виде вилки с поперечной прорезью на хвостовике
Номер патента: 429566
Опубликовано: 25.05.1974
МПК: H05K 13/00
Метки: виде, вилки, контактов, ориентации, поперечной, прорезью, хвостовике
...на нижнем участке лотка 2 и изогнута на участке б (см. фиг. 1) в сторону центра вибробункера. Размеры и взаимное расположективно вы етров под размеров положения ми, чтобь ось удале анных про робункераонструпарамее пластины 4 к исимости от тации детали ( центра тяжести,рези и т. п,) таки ойства обеспечивал еталей, ориентиров у центра чаши вибние ребра 3 ибираются в залежащей ориенрасположенияпоперечной пропри работе устние с ребра 3резью в сторон 10 При работе устройства ориентируемые детали (контакты) движутся в направлении по стрелке Б (см, фиг. 1) по спиральному транспортному лотку 2 в лежачем положении. При переходе деталей на ребро 3 они зависают15 на нем своей продольной прорезью хвостовиком вверх, Положение поперечной...
Резистор большой мощности для шунтирования контактов дугогасительного устройства выключателя высокого нанряжения
Номер патента: 436396
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Изобретени, Савинков, Сер, Филистович
МПК: H01C 1/06, H01H 33/16
Метки: большой, выключателя, высокого, дугогасительного, контактов, мощности, нанряжения, резистор, устройства, шунтирования
...заполнение газом, когда давление снаружи кожуха выше, чем внутри. Такой кожух значительно ухудшает условия охлаждения резистора.30 Для упрощения конструкции рповышения его надежности при применении распространенных термостойких и изоляционных материалов в предлагаемом устройстве резистивный элемент с неметаллическими материалами помещен в кожух, снабженный по меньшей мере одним фильтром с большой пропускной способностью.В качестве указанного фильтра может быть использован набор мелкоячеистых сеток,Фильтрующая способность филыра берется такой, чтобы обеспечивалось задержание всех частиц с размерами выше допустимых.При достаточно высокой пропускной способности фильтра давление внутри кожуха при работе выключателя (с учетом повышения...
Проходной детекторный свч преобразователь мощности
Номер патента: 1137407
Опубликовано: 30.01.1985
Авторы: Дергачев, Исаев, Силаев, Фурлендер
МПК: G01R 21/12
Метки: детекторный, мощности, проходной, свч
...подложкой омическийконтакт, а с другой стороны - слоемдиэлектрика, образующим с нанесенным на него третьим слоем металлаи низкоомной полупроводниковой подложкой блокирующий конденсатор,причем третий слой металла имеетгальванический контакт с одной извнутренних поверхностей щели, первыйслой металла имеет контакт с противоположной внутреннеи поверхностьющели, а второй слой металла имеетгальванический контакт и с низкочастотным выводом, при этом в него введен дополнительный детекторный диод, соединенный с детекторным диодом по двухполупериодной .схеме. Кроме того, в него введены три дополнительных детекторных диода, соединенных с детекторным диодом по мостовой схеме,На фиг. 1 приведена конструкция проходного детекторного...
Контакт-деталь для точечного контакта коммутационных аппаратов
Номер патента: 578658
Опубликовано: 30.10.1977
Авторы: Ангел, Иван, Любомир, Мария
МПК: H01H 1/06
Метки: аппаратов, коммутационных, контакт-деталь, контакта, точечного
...треугольной пбыть выполнено с пазом в вхвоста.На фиг, 1 показана предлагаемая контдеталь, вид сбоку; на фиг. 2 - - то жс,сверху; на фиг. 3 - сечецце контакт-дев наиболее высокой части; на фиг. 4 -положение контактов в контактной сцс(стрелка А показывает направление двпжэлектрической дуги); на фцг. 5 -- вариантполнения контакт-детали, вцд сверху. 5 Контакт-деталь состоит из двух чаете: равнобедренного треугольника 1 с закруглецнымп углами и треугольной пирамиды 2 со скругленными ребрами, осцоваццем которой является треугольник 1.0 Верхняя часть контакт-детали представляет собой сферическую поверхность 3, которая расположена вблизи вершины угла между равными сторонами равнобедреццого треугольника 1, боковые поверхности треуголь...
Свч-ограничитель мощности
Номер патента: 1215145
Опубликовано: 28.02.1986
Автор: Шеховцев
МПК: H01P 1/15
Метки: мощности, свч-ограничитель
...имеет коэффициенттрансформации напряжения 1:2.СВЧ-ограничитель мощности работает следующим образом.Если мощность на входе не превышает допустимого уровня и нетсигнала с датчика мощности падающей волны (фиг.2 а до момента , ),транзистор 4 закрыт и на его коллекторе будет потенциал источникапитания 12 (фиг.2 п до момента й,),При этом-1 -п-диоды 5 находятсяпод напряжением обратного смещенияи отрезок линии передачи 3 имеетминимальные потери,Если сигнал на входе превышает допустимый уровень, появляется сигнал с датчика мощности падающей волны (фиг.2 а от моментадо), ток детекторного диода 1 открывает транзистор 4 и потенциал его коллектора становится приблизительно равен нулю (фиг.2 о от момента С до С ). Сигнал на входе транс - форматора 7...
Предыдущий патент: Способ контроля генератора по обобщенным параметрам периодической импульсной последовательности
Следующий патент: Многоканальный фазометр
Случайный патент: Режущий инструмент