Параметрическое ключевое устройство

Номер патента: 165652

Авторы: Исмаилов, Коричнев, Нечаев

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических Республик,л. 74 Ь,М с Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР. Ю, Исмаилов, Л, П. Коричнев и Г, И явител СТРОЙ С входному напряот параметров е О,по велиевышать входное передачи схемы пряжения пржению У.схемы выходчине можетнапряжение.равен: порциональнаВ зависимостиое напряжениначительно прКоэффициент 10 Для кремн=06 - 1,2 в,ключевое уст свойствами,Устройство 15 гласующих у генное усиле гими типами чин или прео личин.исключает необходимо силителей, обеспечивает ие и легко согласуется с датчиков неэлектрически бразователей электричес ь со- собстмн лиих веПр ет изобретени во строи теле целью лнено орой ми -ское ключевое танием для систе ееся тем, что, ссигнала, оно выпо двумя плечами коя другими плеч Параметриимпульсным55 ния, отличаюния входногостовой схемедиоды, а двсаторы. змерс- усилепо молужат онден. уппа15 одпис Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлсно 21 Ч 111963 ( 854423/26-24)с присоединением заявкиПриоритет ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ КЛЮЧЕ Известны парройства с импултелеизмерения.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно выполнено по мостовой схеме; два плеча ее - диоды, два других - конденсаторы. Это усиливает входной сигнал и, следовательно, не требует согласующих устройств.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.Емкость р - и перехода полупроводников изменяется от приложенного к нему напряжения. Это свойство полупроводников использовано в предлагаемом устройстве.Мостовая схема содержит диоды Ди Д и конденсаторы С, и С. Через импульсный трансформатор Тр она питается напряжением прямоугольной формы от генератора коммутационных импульсов ТКИ. Емкость перехода диодов изменяется в зависимости от напряжения У датчика, что нарушает баланс мостовой схемы и приводит к появленшо импульсного напряжения на диагонали моста.Мостовая схема сбалансирована при напряжении управления 1/., =О, С возрастанн. ем У емкость диода Д, увеличивается, а емкость диода Д 2 уменьшается. На выходной диагонали моста амплитуда импульсного нааметрические ключевые уст ьсным питанием для систем 1 вх 9евых диодов коэффициент р =. поэтому 1 г ) 1. Следовательно, ойство обладает усилительными165652 тСоставитель В. Пегасоведактор Н. Г, Копылова Текред Ю. В. Баранов Корректор О. Б. Тюрина Заказ 3813/6 Тираж 750 Формат бум, 60)(90/в Объем 0,13 изд. л. Цена 5 кои. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр, Серова, д, 4ипография, пр. Сапунова

Смотреть

Заявка

854423

Ш. Ю. Исмаилов, Л. П. Коричнев, Г. И. Нечаев

МПК / Метки

МПК: H03K 17/51

Метки: ключевое, параметрическое

Опубликовано: 01.01.1964

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-165652-parametricheskoe-klyuchevoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Параметрическое ключевое устройство</a>

Похожие патенты