158777

Номер патента: 139367

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Кобелев

МПК: G01R 33/02

Метки: индикатор, магнитного, нуля, поля

...9 которого подключается обмотка 4.Генератор б создает в обмотке 8 переменное магнитное поле такой амплитуды, чтооы ферромагнитная лена насыщалась им в направл- нии вдоль ее основной оси 10 анизотропии, При уменьшении мгновен ного значения персменного поля магнитный момент пленки оказываегся в неустойчивом состоянии. и под воздействием исследуемого постоянного магнитного поля, направленного вдоль оси 11, начинает вращаться чо или против часовой стрелки в зависимости от знака постоянного поля. Зто вращение создает сигналы разной полярности в измерительной обмотке 4, выходные сигналы которой интегрируются, усиливаются и поступают на осциллограф 8, к горизонтально отклоняющим пластинам 12 которого подается линейная развертка или сигнал,...

Номер патента: 1095234

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Афтеньев, Горшенин, Силантьев

МПК: G11C 11/14

Метки: исследования, источник, магнитных, магнитоодноосных, магнитооптического, пленок, полей, управляющих, устройства

...полей для исследования магнитоодноосных пленок, содержащий источник постоянного магнитного поля, выполненный в виде двух постоянных магнитов, и источник ортогональных магнитных полей, направленных 10 параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух катушек индуктивности 1.Недостатком этого источника управляющих магнитных полей является трудность магнитооптического исследования пленок,Наиболее близким техническим решением к изобретению является источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок, содержащий две двухконтурные катушки для создания ортогональных 20 магнитных полей в плоскости пленки и двух- контурную катушку для создания магнитного поля, нормального к плоскости...

Номер патента: 1249586

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Заблоцкий, Мельничук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, магнитного, магнитных, поля, смещения, устройстве, формирования, цилиндрических

...магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, потзволяет плавно регулировать напряжен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ность магнитного поля в запоминающем модуле без снижения временнойстабильности магнитов по отношению к процессам старения,П р и м е р, В соответствии спредлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных...

Номер патента: 1410099

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Дударенко, Канатчиков, Соловьев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, источника, магнитного, магнитных, модуле, поля, смещения, цилиндрических

...параллельность поверхностей наконечников, Трудоемкостьизготовления Г-образных пластин посравнению с корпусом типа "пенал"снижается. Формула изобретения 10 Составитель Ю.Розенталь Редактор А,Лежнина Техред М.Ходанич Корректор Г,РешетникЗаказ 3485/48 Тираж 590 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открырий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Нроктая, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных 5 доменах (ЦИД).Целью изобретения является упрощение способа и повышение надежности изготовления источника магнитного поля смещения.На чертеже показана...

Номер патента: 1624520

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Дударенко, Кульшин, Сенкевич

МПК: G11C 5/00

Метки: доменах, информации, источник, магнитного, магнитных, накопителя, поля, смещения, цилиндрических

...например, из феррита бария, а полюсные наконечники 3 выполнены из магнитомягкого материала, Каждый из магнитов 2 с полюсными наконечниками 3 соединен с экранирующим корпусом 1 при помощи установленной на внутренней стенке корпуса 1 прокладки 4, выполненной из термочувствительного материала с заданным коэффициентом температурного расширения. В качестве прокладок 4, играющих роль элемента коррекции магнитного поля смещения, могут быть использованы, например, биметаллические пластины. Корпус 1, магниты 2, магнитные наконечники 3 и прокладки 4 соединены в1624520 Составитель Ю.РозентальТехред М.Моргентал Корректор Н,Король Редактор М. Келемеш Заказ 194 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета пп изобретениям и открытиям при ГКНТ...