157374

Номер патента: 278772

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H03F 3/12

Метки: диоде, защиты, помех, туннельном, усилителя

...- 7, в результате чего по мере увеличения пптенсигпостп помех повышается и степень цх ослабления. Для полезных сигналов устройство рассчитывается из условий согласования источника и нагрузки, например циркулятора туннельного диода или антенного фидера и циркулятора. редмет изобретени Устройство ца туннельн щие звенья,де.Известны устройства для защиты от помех усилителя на туннельном диоде, содержащтте несколько фильтрующих звеньев, каждое из которых образовано двумя связанными между собой четвертьволцовыми отрезками разомкнутых полосковых линий и снабжено диодными ключами, которые при сильных помехах шунтируют или расстраивают резонансный контур усилителя.Однако подобныестройства относительно узкополосны и не обеспечивают достаточно...

Номер патента: 1277353

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Соколов

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактных, сквозных, токов, уменьшения, усилителях

...ключи, Вэтом случае в каждомплече усилителя мощности переход коллектор - эмиттер шунтирующего тран зистора подкгпочен между базой и эмиттером силового активного элемента, абаза шунтирующего транзистора подключена через резистор к коллекторусилового активного элемента смежногоотносительно питания плеча и полюсуотсекающего диода, другой полюс которого подключен к нагрузке,По второму варианту в двухтактномусилителе мощности с недифференциальной нагрузкой, содержащем в плечахсиловые активные элементы, нагрузкув одной диагонали, источник питанияв другой диагонали, источники сигналов управления, коллектор-эмиттершунтирующего транзистора подключенмежду базой и эмиттером силового активного элемента, а база шунтирующего транзистора...

Номер патента: 273522

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бигун, Витюк, Евсеев, Иванов, Кравченко

МПК: G06M 1/10, H03K 3/14

Метки: многоустойчивый, фазоимпульсный, элемент

...базы транзистора 11 черезрезистор 15 к источнику напряжения смеще ния, а эмиттера через резистор 1 б к общейшине питания, и включение вторичной обмотки 12 через конденсатор И между базой и эмиттером, а также включение между оазой и эмиттером диода 14, позволяет создать меж 25 30 35 40 45 50 55 60 базой и эмиттером, непосредственно между базой и эмиттером включен диод 14 (плюсом к базе), база через резистор 15 подключена к источнику напряжения смещения, а эмиттер через резистор 15 подключен к общей шине питания, В зарядную цепь конденсатооа 5, последовательно с ограничивающим резистором 17 и первичной обмоткой 18 трансформатора включен кремниевый диод 19. Запись числа и установки требуемого коэффициента деления осуществляется...

Номер патента: 390650

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Новоселов

МПК: H03F 1/08

Метки: постоянного, тока12, усилитель

...6 задают такой режим работы транзистора, при котором диод 9 открыт при заданной нестабильности параметров транзи. стор а, а отрицательная обратная связь замкнута при отсутствии входного тока. При увеличении отрицательного по знаку входного тока периодически осуществляется его интегрирование на интегрцрующем конденсаторе 4, я в момент появления импульса напряжения на выходе источника 5 через диод 3 ня базу транзистора 2 проходят импульсы тока, среднее значение которых за период равно по величине входному току усилителя, При опре. деленной величине входного тока диод 9 запирается и открывается лишь в период прохождения импульса тока. Постоянная составляющая импульсов тока, проходящих через диод 9, выделяется при помощи фильтра 10...

Номер патента: 244412

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дубов, Панов

МПК: H03F 3/12

Метки: диодах, туннельных, усилитель

...и б и характеристикипо,казал, что кочески постоянен в стоты,до частоты, ремени КС-исполь.Верхняя граничжет достигать неолее. 11 редмет изобретения с - сопротивление стора;с - индуктивность мента; согласующего рези- согласующего эле Усилитель на туннельных диодах, содержащий несколыко каскадно вчключенных Г-образ-. ных диодно-реактансно-резистивнь 1 Х ячеек,Известны многокаокадные усилители бегущей. волны на туннельных диодах, содержащие диодно-реактансно-резистивные ячейки.Предлагаемый усилитель отличается от иавестных тем, что,последовательная ветвь каждой ячейки образована туннельным диодом, апараллельная - последовательно соединенными катушкой индуктивности и резистором,Это расширяет дианазон частот и улучшает устойчивость...