Транзисторный ключ

СОЮЭ СОЕЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК О 1)5 Н 0 К 1 /6 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН У СВИДЕТЕЛЬСТВ ТОР с" вам ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОВРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ НИТ СССР(71) Смоленский филиал Иосковскогоэнергетического института. ной технике и может быть использовно в быстродействующих устройствахкоммутации. Цель изобретения - упр 8015558 2щение транзисторного ключа (ТК) - достигается путем использования в составном транзисторе двухобмотоцного линейного дросселя, одна из полуобмотоккоторого последовательно с разделительным диодом подключается к базесилового транзистора. При выключениивходного транзистора в этой полуобмотке возникает импульс напряжения обратной полярности, который формируетобратный ток базы силового транзистора, цто ведет к быстрому запираниюсилового транзистора, ТК содержитвходной 1 и силовой 2 транзисторы,линейный дроссель 3 с двумя полуобмотками 4 и 5, диод б, управляющую клемму 7, коммутирующие клеммы 8 и 9.1 ил, 1555819 .Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах коммутации с высоким быстродействием,Целью изобретения является упрощение устройства за счет использования только одного дросселя с двумяполуобмотками в магнитной системе ипростого управления транзисторнымключем.Цель достигается за счет введенияв цепь базы силового транзистора последовательно с вентильным элементомдиодом, одной из полуобмоток дросселя, благодаря чему при вь 1 ключениивходного транзистора в этой полуобмотке возникает импульс напряженияобратной полярности, который формирует обратный ток базы силового транзистора, что ведет к быстрому запиранию силового транзистора и выключениюустройства.На чертеже приведена принципиальная схема транзисторного ключа,1Устройство содержит входной 1 исиловой 2 транзисторы, линейный дроссель 3 с двумя полуобмотками 1 и 5,диод 6. В качестве входного транзис"тора 1 может быть использован какбиполярный, так и полевой, напримерМДП транзистор. Управляющий электродвходного транзистора 1 подключен кклемме 7 управления устройства. Входной транзистор 1 включен между базойсилового транзистора 2 и свободнымвыводом первой полуобмотки ч линейного дросселя 3. Эмиттер силовоготранзистора 2 соединен с первой кпеммой 8 коммутации, а коллектор - с общей точкой обеих полуобмоток 1 и 5линейного дросселя 3 и с второй клем"мой 9 коммутации. Свободный выводвторой полуобмотки 5 линейного дросселя 3 через обратно включенный диод6 подключен к базе силового транзистора 2. Иежду базой и эмиттером силового транзистора может быть дополнительно включен резистор 10.Транзисторный ключ работает следующим образом.Путем подачи отпирающего сигналана управляющий электрод входноготранзистора 1 этот транзистор открывается и через него начинает протекать ток, который отпирает силовойтранзистор 2. При этом в первой полуобмотке 4 линейного дросселя 3 накап"ливается энергия, величина котордй45 50 55 Транзисторный ключ, содержащий вход"ной и силовой транзисторь 1, диод и линейный дроссель с двумя полуобмотками, входной транзистор управляющийэлектрод которого является клеммойуправления ключа, включен между базойсилового транзистора и свободным выводом первой полуобмотки линейногодросселя, эмиттер силового транзисто"ра соединен с первой клеммой коммутации, а коллектор - с общей точкойобеих полуобмоток линейного дросселяи с второй клеммой коммутации, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения, свободный вывод второй полуобмотки линейного дросселячерез обратно включенный диод соединен с базой силового транзистора. пропорциональна току силового транзис"тора.В момент выключения входной транзистор 1 закрывается. Часть накопленной энергии через общую магнитную систему линейного дросселя 3 переходитво вторую полуобмотку 5 линейногодросселя 3 и вызывает отрицательныимпульс напряжения на катоде диода 6.Диод 6 открьвается, и ток базы силового транзистора 2 приобретает обратное по отношению к нормальному направление, При этом происходит оченьбыстрый процесс рассасывания накопленного заряда в базе, как за счет обратного тока базы, так и за счет увеличения потенциального барьера в обоихр-и переходах силового транзистора,так как напряжения на них возрастают.Таким образом, механизм запираниясилового транзистора эквивалентен тому, который бы происходил при управлении данным транзистором от двухполярного источника управляющего сигнала. В данном же устройстве используется однополярный источник питанияи однополярное управление, а импульснапряжения обратной полярности форми"руется за счет включенного соответствующим.образом линейного дросселя 3,Таким образом, обеспечивается большаяскорость выключения транзисторногоключа при наличии всего одного дросселя с двумя полуобмотками и блокирующего диода, За счет упрощения уст"ройства повышается его надежность иулучшаются также массогабаритные ха"рактеристики.40формула. и зобретения