Номер патента: 1539917

Авторы: Ильин, Мусатов, Соколов

ZIP архив

Текст

01 ОЗ СОВЕТСКИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 5 Н 02 К 49/00 ЕНИ нической эн зовано в передача гии с помощью маг объеоля мы с повышеннои г ностью. Ц ение пере я полумуф лью цз хническа емо немагнитныис внутренней 8. Увеличе 1 с маг экран 9 в олумуф ие мом беспеч аем СССР1976,льств 9/00,ималоях нием магнитов в пол ые ния нности ос ширины в ди утем в ротяже еньшей ния бо л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР АНИЕ ИЗ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(57) Изобретение относится к областимашиностроения и может быть испольретения моментаитами 3,4 взаимодей ой б с ма нта, пере вается оп итног рмети увели аружн через твует китами го муфтои,ым размещеполумуфтахвой угловоймагнитоволумуфтах.1539917 Такое расположение магнитов в двухслойных муфтах позволяет существенно увеличить передаваемый момент муфты и повысить ее статическую и динамическую устойчивость за счет создания в рабочем зазоре кривой распределения магнитного поля с явно выраженным эксиремумом, т.е, с преобладанием первой гармоники. Формулаиз о бр ете ния Составитель А,Трепутнева Техред М,Ходанич Редактор А.Огар Корректор М,Кучерявая Заказ 227 Тираж 438 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета.по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, уд. Гагарина, 101 Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано впередачах механической энергии с помощью магнитного поля в объемы в по 5вышенной герметичностью.Цель изобретения - увеличение передаваемого момента.На чертеже изображено расположениемагнитов на полумуфтах. 10Наружная (обычно ведущая) полумуфта 1 содержит магнитопровод 2 и закрепленные на нем постоянные анизотропные магниты 3 и 4, установленныеконцентрично в два слоя, Магниты 4меньшей ширины приклеены к магнитам3, между ними расположена демпфернаяклетка 5. Внутренняя ведомая) полумуфта 6 содержит магнитопровод 7 изакрепленные на нем пластинчатые анизотропные магниты 8. Полумуфты отделены немагнитным экраном 9. Угловаяпротяженность оснований магнитов 4 и8 выполнена равной. Расстояние междуоснованиями магнитов 4 и 8 выполнено 25в пределах 0,2-0,3, где 1 - полюсное деление.При вращении наружной полумуфты 1с закрепленными на ней разнополюсными магнитами 3 и 4 и демпферной клеткой 5 за счет магнитных связей, передаваемых через немагнитный экран 9,синхронно с наружной полумуфтой 1вращается внутренняя полумуфта 6 срасположенными на ней магнитами 835, имеющими также разноименную полярностьпо окружности. Таким образом, вращающий момент передается во внутреннюю полость экрана,Магнитная муфта, содержащая ведущую и ведомую полумуфты с магнитопроводами и постоянными аниэотропными магнитамн чередующейся полярности, разделенные немагнитным экраном, на ведущей полумуфте постоянные магниты установлены концентрично в два слоя друг на друге и выполнены разной ширины для каждого слоя, в одном слое между магнитами размещены стержни демпферной клетки, а в другом магниты прилегают торцами друг к другу, на ведомой полумуфте магниты закреплены основаниями на магнитопроводе, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения передаваемого момента, магниты большей ширины закреплены основаниями на магнитопроводе, угловые протяженности оснований магнитов меньшей ширины на ведущей и ведомой полумуфтах выполнены одинаковыми, расстояние между основаниями магнитов разноименной полярности на обеих полумуфтах выполнено в пределах от 0,2 до 0,3, где 1: - полюсное деление.

Смотреть

Заявка

4467784, 14.06.1988

ЛЕНИНГРАДСКАЯ ЛЕСОТЕХНИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ ИМ. С. М. КИРОВА

ИЛЬИН ГЕОРГИЙ ПОЛИЕВКТОВИЧ, МУСАТОВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, СОКОЛОВ ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H02K 49/00

Метки: магнитная, муфта

Опубликовано: 30.01.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1539917-magnitnaya-mufta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитная муфта</a>

Похожие патенты